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- [发明专利]一种射频收发前端-CN202110557446.4有效
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刘石头;杨天应;张胜峰
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深圳市时代速信科技有限公司
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2021-05-21
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2023-02-28
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H04B1/40
- 本发明提供了一种射频收发前端，该射频收发前端包括天线、发射端电路、接收端电路、射频开关以及隔直电容，该射频开关分别连接到该发射端电路和该接收端电路，该天线通过隔直电容分别连接到该射频开关的两端，该发射端电路用于放大待发射的射频信号的功率，该接收端电路用于减少系统的噪声干扰并放大接收到的射频信号，该发射端电路和该接收端电路集成在一个封装内。通过将射频开关串联在射频收发前端的发射端电路上并将发射端电路和接收端电路集成在一起，该射频收发前端的体积得以显著减小，从而提升了射频收发前端的便携性与广泛适用性。
- 一种射频收发前端
- [发明专利]一种蒸发台的蒸发偏移量测量方法及系统-CN202110380186.8有效
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杨天应
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深圳市时代速信科技有限公司
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2021-04-08
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2023-02-14
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H01L21/66
- 本发明公开了一种蒸发台的蒸发偏移量测量方法及系统，通过对Si片进行沉积和光刻处理，对所述Si片上的沉积层进行等离子刻蚀，形成所述对位光刻图形对应的第一对位标记；再对所述Si片进行光刻处理，形成金属蒸发标记光刻图形；所述金属蒸发标记光刻图形与所述第一对位标记的套刻误差，记为第一次套刻误差；蒸发金属，形成金属蒸发标记；所述金属蒸发标记与所述第一对位标记的套刻误差，记为第二次套刻误差；根据所述第一次套刻误差和所述第二次套刻误差，计算所述蒸发台的蒸发偏移量。本发明提供的一种蒸发台的蒸发偏移量测量方法及系统，能准确测量蒸发台的蒸发偏移量，为修正调整设备和修正版图设计提供数据支撑。
- 一种蒸发偏移测量方法系统
- [发明专利]一种肖特基结可靠性评估方法及装置-CN202110440890.8有效
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杨天应
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深圳市时代速信科技有限公司
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2021-04-23
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2022-11-11
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G01R31/26
- 本发明公开了一种肖特基结可靠性评估方法及装置，该方法包括：通过对待测器件进行栅漏间电压测试，提取待测器件的多个测试电压；采用中位秩估计法计算多个测试电压的累积分布函数；将累积分布函数进行线性拟合得到累积分布函数拟合图；根据累积分布函数拟合图中偏离线性区域的缺陷点数，计算待测器件的缺陷栅极密度，并根据缺陷栅极密度评估待测器件肖特基结的可靠性。本发明实施例在对测试电压进行线性拟合得到对应的累积分布函数拟合图后，根据累积分布函数拟合图来计算待测器件的缺陷密度，从而根据该缺陷密度评估待测器件肖特基结的可靠性，能够准确对待测器件的肖特基结的缺陷进行评估，进而能够有效提高肖特基结可靠性评估的准确性。
- 一种肖特基结可靠性评估方法装置
- [发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202110718604.X有效
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杨天应;刘丽娟;刘石头
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深圳市时代速信科技有限公司
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2021-06-28
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2022-06-24
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H01L21/335
- 本申请提供一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，方法包括：去除漂移层上的导电沟道形成无源结构；在无源结构的漂移层上形成第一源极金属和第一漏极金属；第一栅极金属位于第一源极金属和第一漏极金属之间；在第一栅极金属上形成第二钝化层；在第二钝化层上形成源场板，由于第一开路测试结构与实际器件结构高度相似，其区别仅在于通过微电子或半导体制备工艺将导电沟道去除，使得第一开路测试结构形成无栅控功能的无源测试结构，如此，在配合现有开路去嵌入结构时，能够完全去除Cpg和Cpd，包括Cpg1、Cpg2、Cpg3以及Cpd1和Cpd2，因此，能够有效提高模型精度，避免后期需要花费大量时间对参数进行拟合。
- 一种半导体器件及其制备方法
- [发明专利]半导体器件和半导体器件的制备方法-CN202210321329.2有效
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许建华;乐伶聪;杨天应
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深圳市时代速信科技有限公司
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2022-03-30
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2022-06-24
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H01L23/48
- 本发明提供了一种半导体器件和半导体器件的制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体器件包括衬底、半导体层、源极金属、漏极金属和栅极金属，将源极金属、漏极金属和栅极金属间隔分布在电极分布区内，且栅极金属设置在源极金属和漏极金属之间的沟道区域，同时沟道区域的中部设置有第一隔离区，第一隔离区对应的半导体层为具有绝缘特性的第一绝缘层，从而使得第一隔离区内形成了第一无源散热区。在器件运行时，由于设置有第一隔离区，第一隔离区内为绝缘特性，故第一隔离区内不会因为电流经过而产生热量累计，并且第一隔离区位于沟道区域的中部，能够降低器件中心区域的热累计，降低整个器件的热量集中度，改善器件的热分布。
- 半导体器件制备方法
- [发明专利]半导体器件-CN202111110198.5有效
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杨天应
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深圳市时代速信科技有限公司
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2021-09-23
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2022-05-31
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H01L29/10
- 一种半导体器件，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括衬底结构、形成于衬底结构上的缓冲层和势垒层、间隔设于势垒层上的源极和漏极、位于源极与漏极之间的栅极；衬底结构包括衬底，衬底的上表面形成有注入深度小于衬底厚度的第一注入掺杂区，第一注入掺杂区在衬底上的正投影面积小于衬底的面积，第一注入掺杂区位于有源区；衬底的上表面还包括与第一注入掺杂区邻接的第二注入掺杂区，第二注入掺杂区的能级大于第一注入掺杂区的能级，且其一侧和第一注入掺杂区邻接、另一侧和非注入掺杂区邻接；第一注入掺杂区的能级在0eV至1.43eV之间，非注入掺杂区的能级大于0.47eV。该半导体器件能降低电流崩塌效应且能保证衬底的高绝缘性。
- 半导体器件
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