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[发明专利]TFT基板、具备TFT基板的扫描天线以及TFT基板的制造方法-CN201880022448.X有效
发明人：美崎克纪 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：TFT基板具有：源极金属层(7)，其包含TFT的源极电极(7S)、漏极电极以及源极总线(SL)；栅极金属层(3)，其形成在源极金属层上，包含TFT的栅极电极(3G)、栅极总线(GL)以及贴片电极；栅极绝缘层(4)，其形成在源极金属层与栅极金属层之间；以及导电层(19)，其形成在栅极金属层上，在栅极金属层与导电层之间不具有绝缘层。
tft 基板具备扫描天线以及制造方法

[实用新型]屏蔽栅功率半导体器件-CN202020997663.6有效
发明人：朱袁正;周锦程;杨卓;刘晶晶;叶鹏 -专利权人：无锡新洁能股份有限公司
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种屏蔽栅功率半导体器件，它包括栅极金属、源极金属、沟槽、屏蔽栅多晶硅、栅极多晶硅、屏蔽栅接触孔、栅极接触孔、漏极金属、第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、场氧层、第二导电类型体区、第一导电类型源区、栅氧层、绝缘介质层、屏蔽栅总线金属与栅极总线金属；还包括屏蔽栅极电阻Rs，屏蔽栅极电阻Rs连接在屏蔽栅总线金属与源极金属之间。本实用新型能有效地防止屏蔽栅功率MOSFET的栅极电压、漏源电压、漏源电流在反向恢复过程中出现剧烈的震荡现象，而且屏蔽栅极电阻Rs越大，波形震荡越小。本实用新型的结构不影响器件的静态参数。
屏蔽功率半导体器件

[发明专利]利用土壤剖面表层重金属累积比例解析重金属污染来源的方法-CN202010502702.5在审
发明人：马杰;翁莉萍;陈雅丽;李永涛 -专利权人：农业农村部环境保护科研监测所
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： G01N27/62 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用土壤剖面表层重金属累积比例解析重金属污染来源的方法，所述方法包括：对土壤进行剖面样品采样，测定剖面中Cd、Cu、Pb和Zn重金属含量，用表层土壤重金属含量减去深层土壤重金属确定重金属累积量，扣除重金属地质背景，进而计算不同重金属累积之间的比值。基于与不同污染源(大气沉降、有机肥、灌溉水和矿渣)重金属比值的对比，初步定性确定点位最有可能的重金属污染来源。利用主成分分析确定每个点位可能的多重污染来源。采用逐步线性回归的方法确定不同污染源对点位污染的贡献比例。该方法克服了传统受体模型重金属源解析数据量需求大的缺点，也不需要重金属同位素源解析方法复杂的实验操作。提供了一种对单一或较少田块的，流程简单，易于操作的土壤重金属源解析，具有广泛的应用前景。
利用土壤剖面表层重金属累积比例解析污染来源方法

[发明专利]一种场效应管、其制备方法及电子电路-CN202111001372.2在审
发明人：易洪昇;杨钢宜;黄惠东;王汉星 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本申请提供了一种场效应管、其制备方法及电子电路，场效应管包括：在衬底上依次层叠的沟道层、控制栅极、钝化层、栅金属层、层间介质层、源漏金属层；其中，栅金属层包括间隔设置的金属栅极和台阶，源漏金属层包括源极、漏极以及与源极电连接的场板，场板从源极向漏极一侧延伸且与漏极断开设置，场板具体包括在衬底上的正投影位于金属栅极与漏极之间的一阶场板和二阶场板，二阶场板为覆盖台阶的部分，一阶场板为除了二阶场板之外的部分通过在栅金属层中形成金属栅极图案的同时增加形成台阶的图案，使源漏金属层覆盖台阶的部分被垫高形成二阶场板，这样整个场板的加工只需要通过一次构图工艺，减少了场板制备工艺的复杂度和工业成本。
一种场效应制备方法电子电路

[发明专利]底栅型TFT基板的制作方法-CN201710454064.2有效
发明人：何敏博 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2017-06-15 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种底栅型TFT基板的制作方法，在栅极金属层上形成第一蚀刻阻挡层，在源漏极金属层上形成第二蚀刻阻挡层，然后在栅极金属层上方及源漏极金属层上方分别形成过孔时，先采用第一蚀刻气体蚀刻到第一蚀刻阻挡层、及第二蚀刻阻挡层上，对应在栅极金属层上方及源漏极金属层上方分别形成第一初级过孔及第二初级过孔，再采用第二蚀刻气体同时对第一初级过孔下方第一蚀刻阻挡层、及第二初级过孔下方的第二蚀刻阻挡层进行蚀刻，由于第一蚀刻阻挡层与第二蚀刻阻挡层为相同的材料及厚度，因此可同时被刻穿，从而同步在栅极金属层上方形成第一过孔、在源漏极金属层上方形成第二过孔，避免源漏极金属层被严重过刻而影响源漏极接触电阻和线路连接。
底栅型 tft 制作方法

[发明专利]一种二维层状材料的制备方法及装置-CN201911270442.7有效
发明人：周昌杰;舒可宝;林秋宝;毛兴宇;张秀钦;朱会丽;舒强 -专利权人：集美大学
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种二维层状材料的制备方法，所述二维层状材料的制备方法是在加热装置内部分别放置非金属源和金属化合物或混合物源，所述非金属源位于所述加热装置的进气口和所述金属化合物或混合物源之间，通过所述进气口向所述加热装置中通入惰性气体或混合气体，并进行加热，所述非金属源受热产生非金属气体，在所述惰性气体或混合气体的带动下，遇到所述金属化合物或混合物源受热产生的金属或金属化合物前驱气体，二者反应在所述第二衬底上形成所述二维层状材料。
一种二维层状材料制备方法装置

[实用新型]一种具有自对准栅电极结构的场效应管-CN201821960447.3有效
发明人：周细凤;曾荣周 -专利权人：湖南工程学院
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有自对准栅电极结构的场效应管，包括衬底，衬底上设有沟道材料层，沟道材料层中部为栅电极区域，栅电极区域两侧为源极区域和漏极区域，源极区域和漏极区域上均沉积有第一金属层，第一金属层上沉积有第二金属层，第二金属层上沉积有第三金属层，栅电极区域上沉积有栅介质层，栅介质层上沉积栅金属以形成栅电极。本实用新型的场效应管中，先形成三层金属堆叠的源漏电极，再选择性地腐蚀第二层金属，形成侧向凹陷的源漏电极，最后形成自对准的栅电极，由于与石墨烯相接触的第一层金属不会被腐蚀，栅极与源漏极间的连接区域的长度不会被改变，因此，源漏电极侧向凹陷的程度不会改变连接电阻的大小。
栅电极沉积场效应管源漏电极自对准栅电极本实用新型第二金属层第一金属层沟道材料层侧向凹陷漏极区域源极区域栅介质层金属衬底腐蚀连接电阻连接区域第一层金属层石墨烯源漏极栅金属自对准堆叠三层

[发明专利]中子密封源-CN201980028775.0在审
发明人：马克·沃斯 -专利权人：伊利诺斯工具制品有限公司
申请日： 2019-03-25 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： G21G4/02 文献下载
摘要：一种中子密封源(10)，该中子密封源将金属陶瓷丝源(200)、例如锎‑252/钯丝固持在不锈钢块(14)内的单独的盲孔(20，22，24，26)中。不锈钢块是内部封装(12)的一部分，并且包括以旋转对称方式布置的、用于接纳金属陶瓷丝源的盲孔。金属陶瓷丝源彼此隔开，并且裂变热和衰变热通过不锈钢块排出。
中子密封

[发明专利]改善临近效应的源漏结构制作方法-CN02141341.X无效
发明人：刘训春;张海英;石华芬 -专利权人：中国科学院微电子中心
申请日： 2002-07-05 - 公布日： 2004-01-07 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明一种改善临近效应的源漏结构制作方法，包括如下步骤：(1)根据场效应晶体管的每个源漏图形按照源漏的宽度进行分割，使源图形与漏图形相邻的边为锯齿状，进行制版；(2)在待制作源漏的基片上涂胶，光刻，显影，形成胶图形；(3)金属蒸发，使其上覆盖一层金属层；(4)剥离，去掉多余的金属层，形成获得源漏图形；对场效应晶体管的每个源漏图形按照源漏的宽度进行分割，使源图形与漏图形相邻的边为锯齿状。
改善临近效应结构制作方法

[发明专利]用于将热能转换成电能的装置-CN200680052802.0有效
发明人：吐马斯·克里萨 -专利权人：克里萨研究有限公司
申请日： 2006-12-12 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： H01L35/00 文献下载
摘要：本发明提供了电流源以及产生该电流源的方法。电流源包括金属源、缓冲器层、过滤器和收集器。给金属层和半导体层提供电连接，还可以提供磁场施加器。源金属在导带底部具有局域化能态并具有概率放大。电荷穿过电流源的移动产生了电压，该电压上升到出现了平衡反向电流为止。如果负载被连接到电流源，则电流流经负载并耗散功率。所用的能量来自电流源中的热能，并且装置受到冷却。
用于热能转换电能装置

[发明专利]制备含铝磷酸盐的催化剂组合物的方法-CN200680041454.7无效
发明人：丹尼斯·斯塔米尔斯;保罗·奥康纳 -专利权人：雅宝荷兰有限责任公司
申请日： 2006-11-07 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： B01J27/16 文献下载
摘要：用于制备含铝磷酸盐的组合物的方法，其中使用含磷化合物将铝源部分地转化成铝磷酸盐，并且(i)使用二价金属(M^II)源将该铝源部分地转化成阴离子粘土和/或Al-M^II混合金属(氢)氧化物，(ii)使用硅源将该铝源部分地转化成硅铝酸盐，和/或(iii)使用二价金属源和硅源二者将该硅源部分地转化成M^II-硅铝酸盐。
制备磷酸盐催化剂组合方法

[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置-CN201210371229.7有效
发明人：崔晓鹏;于海峰;陈曦;封宾;林鸿涛 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明实施例的阵列基板，包括：公共电极总线和多条相互平行的公共电极线，其特征在于，所述公共电极总线包括多个间隔的栅极金属段和多个间隔的源漏极金属段，且所述源漏极金属段对应于所述栅极金属段之间的空缺位置，所述栅极金属段与所述源漏极金属段之间通过第一绝缘层隔开，对应相邻的所述栅极金属段和所述源漏极金属段之间通过过孔电连接。
阵列及其制造方法显示装置

[发明专利]非金属材料缺陷检测装置及检测方法-CN201811511795.7在审
发明人：俞跃;周继雯 -专利权人：中国特种设备检测研究院
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： G01J5/00 文献下载
摘要：本发明提供一种非金属材料缺陷检测装置及检测方法，该装置包括激励源和红外热像仪，所述激励源与所述红外热像仪的镜头呈预设的夹角；其中：所述激励源用于提供照射到非金属试样表面的红外光；所述红外热像仪用于获取所述非金属试样表面的红外热像图通过本发明进行非金属材料缺陷检测减少了激励源对被测试样辐射的不均匀性；同时解决了激励源在被测试样表面产生的反射问题，提高了非金属材料缺陷检测的准确度和灵敏度，降低了误检率和漏检率。
激励源非金属材料缺陷检测装置红外热像仪被测试样缺陷检测试样表面红外光红外热像图不均匀性红外热像准确度灵敏度漏检率误检率检测预设反射照射辐射镜头

[发明专利]方法及具有包含金属源极的存储器单元的串的设备-CN202210665414.0在审
发明人：陆振宇;罗杰·W·林赛;安德鲁·比克斯勒;永军·杰夫·胡;刘海涛 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2014-10-31 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本申请涉及方法及具有包含金属源极的存储器单元的串的设备。本发明揭示用于形成存储器单元的串的方法、一种具有存储器单元的串的设备及一种系统。一种用于形成存储器单元的所述串的方法包括在衬底上方形成金属硅化物源极材料。对所述金属硅化物源极材料进行掺杂。存储器单元的垂直串形成在所述金属硅化物源极材料上方。半导体材料垂直形成且邻近于存储器单元的所述垂直串并耦合到所述金属硅化物源极材料。
方法具有包含金属存储器单元设备

[发明专利]OLED驱动背板、其检测方法及显示装置-CN202010089322.3有效
发明人：汪军;李广耀;王海涛;王东方;成军;王庆贺;苏同上;钱国平;张银忠;闫梁臣 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2020-02-12 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： G09G3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种OLED驱动背板、其检测方法及显示装置，通过在该OLED驱动背板非显示区的源漏金属层设置第一检测焊盘和第二检测焊盘，且第一检测焊盘与第一传输信号线在源漏金属层直接电连接，第二检测焊盘与第二传输信号线在源漏金属层直接电连接这样OLED驱动背板在源漏金属层时就可进行Array Test，使得OLED驱动背板的GOA区和显示区点不良在源漏金属层时实现检出，以提高GOA区和显示区的良率。
oled 驱动背板检测方法显示装置