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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]水稻胚中的特异性启动子及其应用-CN201310401718.7有效
发明人：时振英;戴争妍 -专利权人：中国科学院上海生命科学研究院
申请日： 2013-09-05 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： C12N15/113 文献下载
摘要：该启动子特别适合驱动外源基因在水稻胚中特异性表达，而在水稻的其它组织中不表达。所述启动子的表达特异性和专一性很高。本发明还提供了具有所述启动子的构建物、表达盒和载体等。含本发明启动子的转基因水稻可以特异性地改善水稻的农艺性状，有效避免外源基因导入对水稻其它组织的影响，还能在胚中特异性表达外源基因，从而获得各种相关产物。
水稻中的特异性启动子及其应用

[发明专利]侧墙的形成方法-CN201510369468.2有效
发明人：崇二敏;朱轶铮 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-06-29 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种侧墙的形成方法，通过连续两次薄膜沉积，在硅片表面沉积一层氧化硅和一层氮化硅，然后利用干法刻蚀回刻顶层氮化硅并停在底层氧化硅上，最后利用连续两次湿法刻蚀工艺分别去除源漏区氧化硅和侧墙氮化硅，最终形成源漏区硅不受损伤的氧化硅侧墙。本发明在形成栅极侧墙的过程中，可以有效避免源漏区的衬底硅受到损伤，从而增加离子注入工艺窗口，并提高器件性能。
形成方法

[发明专利]视频处理方法及装置-CN201510335214.9有效
发明人：梁瑛玮 -专利权人：北京蓝汛通信技术有限责任公司
申请日： 2015-06-16 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： H04N13/00 文献下载
摘要：通过本发明解决了相关技术中需要客户自己接收视频源文件并对其进行编码、存储所导致的问题，降低了视频网站行业的准入门槛和客户源站的流量负载，减轻了客户源站的流量负载，节省了客户源站的存储资源，加快了网民的上传速度
视频处理方法装置

[发明专利]基于无源RFID和车牌识别技术的车库门禁系统-CN201510019999.9有效
发明人：于复兴;索依娜;宋顶利;张昕;郝胜男 -专利权人：河北联合大学
申请日： 2015-08-04 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： G07C9/00 文献下载
摘要：本发明公开一种基于无源RFID和车牌识别技术的车库门禁系统，包括无源RFID装置，图像捕获装置，输出装置，控制装置。系统采用无源电子标签固定在汽车底盘大大降低了读卡距离，降低了成本；地埋式感应天线方向性好，提高了识别效率。
基于无源 rfid 车牌识别技术车库门禁系统

[发明专利]等离子体刻蚀系统-CN201310719121.7有效
发明人：杨平;黄智林 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2013-12-23 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种等离子体刻蚀系统，其特征在于，包括，射频源、终点检测系统以及反应腔，所述终点检测系统包括光谱仪，所述光谱仪包括光栅，其中，所述射频源和所述光谱仪分别与所述反应腔连接，所述射频源和所述光谱仪并联连接；
等离子体刻蚀系统

[发明专利]一种氮化铝一维纳米结构材料的制备方法-CN201410764375.5有效
发明人：孔苏苏;李辉杰;冯玉霞;赵桂娟;魏鸿源;杨少延;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-12-11 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： C01B21/068 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铝一维纳米结构材料的制备方法，包含以下步骤：步骤1：取一衬底放入氢化物气相外延设备的反应室中；步骤2：在氢化物气相外延设备中对衬底表面进行高温氮化处理；步骤3：将氢化物源和氮源分别通入铝源区和反应室中，在氮化后的衬底上进行柱状排列的氮化铝纳米结构材料制备；步骤4：结束生长后，关闭氢化物源；步骤5：当反应室温度降到550℃以下，关闭氮源；步骤6：反应室温度降到室温后，取出样品。
一种氮化铝一维纳米结构材料制备方法

[发明专利]一种采用NTC热敏电阻的温度测量装置与方法-CN201510096510.8有效
发明人：黄为勇;丁洪影;贾艳玲;潘晓博;陈豹;张艳华;赵文婧;靳艳辉 -专利权人：徐州工程学院
申请日： 2015-03-04 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： G01K7/22 文献下载
摘要：一种采用NTC热敏电阻的温度测量装置与方法，包括电压源、NTC热敏电阻Rt、调节电阻R、参考电阻Rref、数据选择器、A/D转换器，单片机以和显示器；通过单片机选通信号得到电压源电压和参考电阻电压，并应用高阶多项式计算出测定的温度值本发明测量装置结构简单、成本低廉、稳定性好、响应速度快、测量范围大；测量方法对电压源的稳压性能要求低，计算量小，测量精度高，非常适合应用于便携测量仪中。
一种采用 ntc 热敏电阻温度测量装置方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置-CN201510121068.X有效
发明人：张立 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-03-18 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：所述薄膜晶体管的源电极和漏电极位于有源层上，整个有源层位于同一平面内，克服了现有技术中有源层由于爬坡困难导致的易断线问题，而且有源层的厚度均匀，不会出现击穿短路现象，提高了薄膜晶体管的良率。并设置源电极和漏电极为非同层结构，能够灵活调节源电极和漏电极的距离，更易实现窄沟道，提高薄膜晶体管的性能。
薄膜晶体管及其制作方法阵列显示装置

[发明专利]一种分段式电流舵DAC电路-CN201410421771.8有效
发明人：林剑辉 -专利权人：长沙瑞达星微电子有限公司
申请日： 2014-08-25 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： H03M1/66 文献下载
摘要：该分段式电流舵DAC电路包括由电阻R0~R6组成的电阻衰减网络、开关S0~S11组成的开关电路和电流源I0~I11组成的电流源电路。本发明的主要优点是利用电阻衰减网络对12位电流型DAC进行合理分段，减小了电路（电流源及译码电路）的复杂程度，减小了芯片的面积，降低了芯片的功耗，同时还提高了DAC的性能。
一种段式电流 dac 电路

[发明专利]数据传送方法和设备-CN201310272835.8有效
发明人：吴洋;张文亮;于松海;周应超;龚静娟 -专利权人：伊姆西公司
申请日： 2013-06-21 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H04L29/08 文献下载
摘要：该方法包括：在源设备处，响应于来自客户端的数据连接建立请求，建立与目标设备的多个数据连接，所述数据连接建立请求中承载有关于所述目标设备已启用的多个接收端口的信息；以及从所述源设备、经由所述多个数据连接向所述目标设备传送数据根据本发明实施方式的数据传送/接收方法和设备采用从源设备到目标设备的多个并行的数据连接来传送数据，能够提高数据备份或恢复的速度和可靠性。
目标设备方法和设备数据传送数据连接源设备数据连接建立传送数据接收端口数据备份并行承载响应客户恢复

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201510580584.9有效
发明人：霍宗亮;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2015-09-12 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，在共源区与其下方的衬底之间嵌入了隔离结构，其能够在进行共源区注入时抑制杂质产生不期望的扩散，避免了由于杂质过度扩散而引起的操作失效；在三维存储器件编程和读状态时候，电子从共源区向位线流动，而在擦除时，空穴从衬底注入，由于隔离结构的存在，三维存储器件实现了编程/擦除时候需要的电子和空穴在空间上的分离，提高了擦写的效率，也有利于提高集成度。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种提高菊花穗源的培育方法-CN201510589822.2有效
发明人：周余华;周琴;蒋涛;王磊;于健;王红梅 -专利权人：江苏农林职业技术学院
申请日： 2015-09-16 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： A01G1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高菊花穗源的培育方法，包括以下步骤(1)提供穗源；(2)调节株型；(3)控制株高。因此，与现有技术相比，本发明菊花培育方法可以提供大量穗源，不用分几次摘心，不用经常换盆，且易于控制高度，整枝后株型得到有效保证，使株条高度一致，花朵大小一致，开花时间一致，能够培育出高品质的菊花。
一种提高菊花培育方法

[发明专利]一种横向导电结构SiCMOSFET功率器件-CN201510486076.4有效
发明人：贾仁需;汪钰成;吕红亮;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2015-08-07 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种横向导电结构SiC MOSFET功率器件,所述SiC MOSFET功率器件自上而下包括栅极、SiO2隔离介质层、N+漏区、N+源区、P+欧姆接触区、P阱、N‑漂移区和P型SiC衬底；其中，N+漏区、N+源区和P+欧姆接触区水平设置，N+源区和P+欧姆接触区位于P阱内；在SiO2隔离介质层与N‑漂移区之间的界面具有一层等离子体增强化学气相淀积PECVDSiO2界面层。
一种横向导电结构 sic mosfet 功率器件

[发明专利]半导体器件和有形成在半导体台面源区绝缘栅双极晶体管-CN201510469220.3有效
发明人： R·巴布尔斯克;M·戴内塞;J·G·拉文;P·莱希纳;H-J·舒尔策 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-05-12 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件和有形成在半导体台面源区绝缘栅双极晶体管。一种半导体器件，包括：半导体台面，其包括与源区形成第一pn结并且与漂移区形成第二pn结的至少一个本体区。电极结构在半导体台面的相对侧上。在沿着半导体台面的延伸方向布置的源区之间的分离区域中，半导体台面包括至少一个部分或完整的收缩。
半导体器件形成半导体台面绝缘双极晶体管

[发明专利]含有具有抗炎性质的肽组分的营养组合物及其用途-CN201480015753.8有效
发明人： D.洪曼;E.A.F.范托尔;G.格罗斯;M.H.舍马克;T.T.兰伯斯 -专利权人： MJN美国控股有限责任公司
申请日： 2014-03-11 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： A23L33/18 文献下载
摘要：本公开内容涉及包含蛋白等价物源的营养组合物，其中20%至80%的蛋白等价物源包含含有以下的肽组分：SEQ ID NO 4、SEQ ID NO 13、SEQ ID NO 17、SEQ ID NO 21、SEQID NO 30、SEQ ID NO 31、SEQ ID NO 32、SEQ ID NO 51、SEQ ID NO 57、SEQ ID NO 60和SEQ ID NO 63，和20%至80%的蛋白等价物源包含完整蛋白
含有具有性质组分营养组合及其用途

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