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[发明专利]一种快恢复二极管及其制备方法和应用-CN202010547030.X有效
发明人：欧阳潇;沈怡东;王成森 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2020-06-16 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供了一种快恢复二极管及其制备方法和应用。该制备方法包括：提供一N型硅单晶片；通过磷预扩和磷再扩的方式，在N型硅单晶片的正反两面的表面制备N+扩散层；去除正面的N+扩散层；通过硼预扩和硼再扩的方式，在去除N+扩散层的正面扩散硼；扩散铂；正反两面均进行微腐蚀，去除微表面的富集铂源；两面同时沉积富氧多晶硅膜；将多余的铂析出至富氧多晶硅膜内；剥离富氧多晶硅膜；350℃‑450℃下沉积SiO2薄膜；经过光刻槽、台面腐蚀、钝化，得到快恢复二极管。由本发明的制备方法得到的二极管可以在维持产品快恢复时间的同时，降低产品的压降及硅片的脆度，提高产品性能，降低碎片率。
一种恢复二极管及其制备方法应用

[发明专利]一种SGT器件制作方法-CN202211538265.8在审
发明人： 沈怡东;王成森 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本申请提供了一种SGT器件制作方法，涉及半导体技术领域。首先提供一带有沟槽的硅片，沿沟槽的表面生长场板氧化层，在沟槽内生长预设厚度的第一多晶硅层，第一多晶硅层的厚度小于沟槽的深度，再将位于第一多晶硅层上方的场板氧化层去除，再沿第一多晶硅层的表面与沟槽的侧壁生长二氧化硅层，再对位于侧壁的二氧化硅层掺杂，然后对位于侧壁的二氧化硅层进行刻蚀，并保留位于第一多晶硅层表面的二氧化硅层；其中，掺杂后的二氧化硅层的刻蚀速率大于位于第一多晶硅层表面的二氧化硅层的刻蚀速率，再沿沟槽的侧壁制作栅氧化层，最后沿沟槽内沉积多晶硅，以形成第二多晶硅层。本申请提供的SGT器件制作方法具有工艺简单，成本更低的优点。
一种 sgt 器件制作方法

[发明专利]一种能充分利用显影液的新型自动显影机-CN201710461897.1有效
发明人：王成森;沈广宇;薛治祥;沈怡东;王琳 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2017-06-19 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G03F7/30 文献下载
摘要：一种能充分利用显影液的新型自动显影机，包括设备下部与显影缸承载圆盘连接的显影缸，显影缸承载圆盘设置在与设备结构安装盘连接的平面轴承和转轴上，设备结构安装盘与齿轮副连接，齿轮副与步进电机连接；设备上部包括设有悬挂臂并与平面轴承连接的悬挂臂旋转盘，平面轴承连接在齿轮副和旋转步进电机上，上下移动机架通过燕尾滚珠滑道安装于设置在固定工作台上的固定机架上，固定工作台上设有光幕传感器，固定机架内设有燕尾滚珠滑道和滚珠螺母，滚珠螺母与精密丝杠和上下移动步进电机相连。采用本发明可以自动根据显影液浓度依次逐个更换显影液的设备，方便地完成显影，还可自动启动灭火装置保证安全。
一种充分利用显影液新型自动显影

[实用新型]一种电泳工装夹具与电泳系统-CN202222023862.9有效
发明人： 沈怡东;徐冠东;张超;胡潘婷 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： C25D13/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种电泳工装夹具与电泳系统，该电泳工装夹具包括承片台、主体以及至少一个电极板，承片台安装于主体，至少一个电极板与主体可拆卸连接，承片台用于连接第一极性的电源，电极板用于连接第二极性的电源，且第一极性与玻璃粉的带电极性相同，第二极性与玻璃粉的带电极性相反；承片台包括台体与固定件，台体与固定件连接；其中，台体用于承载晶圆，固定件用于与晶圆的侧边抵持。本申请提供的电泳工装夹具与电泳系统具有稳定性更强的优点。
一种电泳工装夹具系统

[实用新型]一种涡轮增压器的防机油泄漏结构-CN202222380746.2有效
发明人：俞方俊;王云飞;沈怡东;刁月红;张人铨 -专利权人：博马科技（上海）有限责任公司
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： F02B39/14 文献下载
摘要：一种涡轮增压器的防机油泄漏结构，包括转轴，转轴上依次套设有压轮、密封衬套和垫片，密封衬套的外周设置有环形隔板，密封衬套上在环形隔板的两侧分别套设有中间体盖板和止推轴承，本实用新型在中间体盖板设置了一个环形凸台，机油堆积在环形泄油槽中，机油自然淌下时环形凸台可以阻挡机油，减少进入中间体盖板与密封衬套之间的机油量，进而减小涡轮增压器压气机端的机油泄漏。本实用新型在密封衬套的环形隔板上设置了一个锥面，环形凸台的边缘与锥面的延长线之间没有接触，具有一定间隙，保证正常工况下从锥面甩出的机油不会被中间体盖板的环形凸台阻挡，而是进入环形泄油槽内，在特殊发动机工况下涡轮增压器压气机端的机油泄漏得到改善。
一种涡轮增压机油泄漏结构

[发明专利]快恢复二极管芯片制造方法-CN202210523522.4在审
发明人：朱泽中;沈怡东;欧阳潇;王成森;张超;庄翔 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种快恢复二极管芯片制造方法，涉及半导体技术领域。快恢复二极管芯片制造方法包括：将第一晶片和第二晶片的背面进行磷掺杂，其中，第一晶片和第二晶片均为N型硅单晶片；对磷掺杂后的第一晶片和第二晶片进行硅硅键合；在第一晶片的背面扩散形成N+区及浓度渐变的缓冲层；在第一晶片的正面形成平面终端保护结构；磨去第二晶片；对第一晶片的背面进行金属化。该方法创新性地使用硅硅键合工艺，使用硅单晶片成功替代了外延片，产出的快恢复产品的性能基本达到外延平面二极管产品的性能，而且大大降低了快恢复产品的生产成本，可适用于经济批量生产。
恢复二极管芯片制造方法

[发明专利]控制内燃机的电气化废气涡轮增压器的方法及机动车-CN201911415015.3在审
发明人：敖日格乐;曹文跃;刁月红;刘金龙;沈怡东;王云飞;张人铨;赵宗立 -专利权人：博马科技（上海）有限责任公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： F02B37/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于控制内燃机(3)的电气化废气涡轮增压器(2)的方法(1)，该方法包括：措施a)，根据该措施监测对内燃机(3)提出的负载要求(16)，以及措施b)，如果在措施a)中监测的负载要求(16)超过预设的阈值(17)，则激活电气化废气涡轮增压器(2)的增压模式(18)。
控制内燃机电气化废气涡轮增压方法机动车

[发明专利]一种钝化层制作方法-CN202110373658.7在审
发明人： 沈怡东;张超;徐冠东 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本申请提供了一种钝化层制作方法，涉及半导体技术领域。首先提供一待钝化二极管，其中，待钝化二极管包括相互连接的N型层与P型层，然后利用正硅酸乙酯沿P型层的表面制作二氧化硅层，再去除目标区域内的二氧化硅层，并露出目标区域内的P型层，再对目标区域内的P型层与N型层进行刻蚀，以形成露出PN结的沟槽，最后利用玻璃粉在沟槽内实现电泳玻璃工艺，并将玻璃粉进行烧结，以形成钝化层。本申请提供的钝化层制作方法具有产品性能好、可靠性高以及复杂度低等优点。
一种钝化制作方法

[发明专利]一种半导体器件制作方法-CN202110262572.7在审
发明人： 沈怡东;王成森;张超;李松松 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体器件制作方法，涉及半导体技术领域。首先提供一N型硅片，其中，N型硅片上设置有扩散窗口，然后沿N型硅片的表面涂覆铝源，并形成铝源层，再沿铝源层的表面沉积掩蔽层，然后在与扩散窗口对应位置的掩蔽层表面设置光刻胶，并刻蚀除扩散窗口区域以外的铝源层与掩蔽层，最后在目标环境下使铝源层向N型硅片的扩散窗口进行的扩散，以制作半导体器件。本申请提供的半导体器件制作方法具有扩散方式简单，效率高且对设备要求低的优点。
一种半导体器件制作方法

[实用新型]一种用于功率半导体器件的扩散自动进炉的装置-CN202022254380.5有效
发明人：李松松;沈怡东;张超;钱海军 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2020-10-12 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于功率半导体器件的扩散自动进炉的装置，包括平行设置、且依次排列的横梁Ⅰ、横梁Ⅱ、横梁Ⅲ和横梁Ⅳ，横梁Ⅰ、横梁Ⅱ、横梁Ⅲ、横梁Ⅳ的两端分别通过连接杆固定连接，横梁Ⅲ上安装有滚轮，横梁Ⅳ的一侧设有延长杆，延长杆上设有卡杆。本实用新型结构简单、使用便捷，可以将舟厚度为6‑10mm的薄多晶硅舟通过短拉钩将其推至石英管内，然后在的延长杆的作用下，通过运行程序，将舟推至扩散炉恒温区位置，实现半导体杂质扩散，形成PN结。
一种用于功率半导体器件扩散自动装置

[实用新型]一种用于扩大芯片之间间距的扩膜设备-CN202022055417.1有效
发明人： 沈怡东;潘建英;曹鑫银;龚凯凯 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种用于扩大芯片之间间距的扩膜设备，包括外壳（15），外壳（15）内固定设置底座（1）；底座（1）上依次设置升降电机（13）和支撑柱（21），升降电机（13）连接承片台（10），支撑柱（21）上设置环形的割膜轨道（11）；割膜轨道（11）上设置割膜刀架（3），割膜刀架（3）上设置割膜刀（4）；割膜轨道（11）通过其侧边的齿与旋转电机（2）输出轴上设置的齿轮连接，旋转电机（2）固定在中空承片台（19）内壁；中空承片台（19）上方设置中空压盖（20），中空压盖（20）内设置压盘（7），压盘（7）通过中间空的活塞杆（23）连接压盘气缸（6）。本实用新型加大芯片间距，避免芯片之间的挤压崩边。
一种用于扩大芯片之间间距设备

[实用新型]压缩机和压缩机壳体-CN201922473965.3有效
发明人： 沈怡东 -专利权人：博马科技（上海）有限责任公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： F04D29/42 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于车辆的涡轮增压器的压缩机。压缩机包括铸造的压缩机壳体，其中，压缩机壳体包括沿轴向方向定向的入口通道、容纳压缩机叶轮的容纳室、扩散器、螺旋室和出口通道，这些部件按上述顺序以空气传导的方式连接。在压缩机壳体中形成有具有吸入侧管道、压力侧管道和通向外部的阀室的再循环管道。压力侧管道将出口通道与阀室以空气传导的方式连接，而吸入侧管道将阀室与入口通道以空气传导的方式连接。压缩机包括超限再循环阀，其从外部接合在阀室中并通过其紧固凸缘紧固到压缩机壳体上的阀凸缘。本实用新型还涉及压缩机壳体。
压缩机壳体

[实用新型]一种多功能力量训练器械-CN202020939969.6有效
发明人： 沈怡东 -专利权人： 沈怡东
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： A63B21/005 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多功能力量训练器械，包括立柱、第一电机、第一传动装置和第一磁粉制动器，所述立柱上连接有导轨，所述导轨上滑动连接有滑块，所述滑块上连接有握杆，所述第一电机与第一传动装置连接，第一传动装置与滑块连接，第一电机能够带动第一传动装置运动进而带动滑块上下运动，第一电机的输出轴插入第一磁粉制动器的轴孔中；通过使用本装置，可以实现电控训练阻力，实现训练阻力的精准控制。
一种多功能力量训练器械

[实用新型]一种高速降温炉-CN202020532829.7有效
发明人： 沈怡东;王成森;潘蔡军 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2020-04-12 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： B22D30/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高速降温炉，包括降温箱体和T字形支撑散热板，所述降温箱体下端四角位置处设置有支撑底脚，所述降温箱体前下端中间位置处设置有控制器，因为安装有回流冷却管装置，且回流冷却管装置分别与进水管装置和排水管装置固定连接，所以当进水管装置和排水管装置分别与外部的冷水储存罐固定连接之后，就使得整个装置形成一个回流冷却装置，从而可以吸收大量铸造零件的高温，又因为安装有散热风机，且散热风机设置为两个，同时两个散热风机分别设置为进风机和排风机，所以当两个散热风机进行工作的时候，就可以加快热气的散发，缩短散热的时间，这样就提高了散热效率。
一种高速降温

[实用新型]一种PN结扩散或钝化用单峰高温的加热炉-CN202021000554.9有效
发明人： 沈怡东;欧阳潇;王成森 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种PN结扩散或钝化用单峰高温的加热炉。该加热炉具有温度控制设备，加热炉主体为炉管，炉管一端为硅片进口，另一端为硅片出口，炉管的硅片进口端和出口端为低温区，中部为高温区。本实用新型的上述PN结扩散或钝化用单峰高温的加热炉可以用于硅片的扩散和钝化。通过上述加热炉实现的扩散和钝化提高了多硅片进出炉烧结工艺的一致性，提高特性参数的一致性。
一种 pn 扩散钝化单峰高温加热炉

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