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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]光检测器-CN201380005983.1有效
发明人： L.弗里;F.J.德布鲁伊恩;T.格里蒂 -专利权人：皇家飞利浦有限公司
申请日： 2013-01-08 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种被布置成检测从至少一个光源发射的编码光的光检测器。光检测器（100）包括光电检测器（102），所述光电检测器（102）被布置成检测编码光。光检测器进一步具有图像传感器（104）和屏幕（106），其中光电检测器的视场是在图像传感器的视场内。光检测器被布置成将由图像传感器所捕获的并且包括其编码光被光电检测器检测到的光源的图像显示在屏幕上。本发明还涉及一种检测从至少一个光源发射的光的方法。
检测器

[发明专利]光检测器-CN201110153678.X有效
发明人：黑川义元;池田隆之;田村辉;上妻宗广;池田匡孝 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2011-05-27 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： G06F3/042 文献下载
摘要：本发明的名称为光检测器，抑制外部光的影响。通过包括按照入射光的照度来生成数据信号的光检测器电路和与光检测器电路重叠的光单元的光检测器，第一数据信号由光检测器电路在光单元处于导通状态时生成，第二数据信号由光检测器电路在光单元处于断路状态时形成，以及第一数据信号和第二数据信号经过比较
检测器

[发明专利]光检测器-CN201980021020.8在审
发明人： N·赫施巴赫;C·保利 -专利权人： IEE国际电子工程股份公司
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明涉及一种光检测器(1)。为了提供一种改进的光检测器，尤其是用于红外检测的光检测器，本发明提出，光检测器包括沿检测器表面(P)设置的谐振器‑光二极管单元(10)的二维的布置，用于检测从检测器表面(P)上方入射的辐射并具有与真空中的目标波长(λt)相对应的目标频率(νt)，其中每个谐振器‑光二极管单元(10)包括对目标频率(νt)敏感的光二极管半导体结构(11)和亚波长介电谐振器(30)。
检测器

[发明专利]光检测器-CN201980032956.0在审
发明人：武田浩太郎;本田健太郎 -专利权人：日本电信电话株式会社
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：本发明的课题在于，提供一种能防止由静电放电引起的破坏，预计提高100V以上的耐压的光检测器。本发明的光检测器的特征在于，在锗光电二极管(GePD)连接有由锗和硅构成的齐纳二极管。该光检测器共用光电二极管和齐纳二极管所具备的硅基板、下部包覆层、硅芯层、上部包覆层。
检测器

[发明专利]光检测器-CN201980021367.2在审
发明人：井上晓登;杉浦裕树;广濑裕 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：光检测器(100)，具备：半导体基板(600)，具有第一主面(S1)以及与第一主面(S1)相反的一侧的第二主面(S3)；具有第一导电型的第一半导体层(101)，被形成在半导体基板(600)的第一主面(S1
检测器

[发明专利]光检测器-CN201980033846.6在审
发明人：武田浩太郎;那须悠介 -专利权人：日本电信电话株式会社
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：本发明实现一种不需要检查用的追加回路而在波长和温度依赖特性中也能进行光检测器单独的光灵敏度、OE特性这样的光输入、电输出的特性评价检查的光检测器。一种光检测器(400)，在半导体基板之上形成有光吸收层(414和415)，对从半导体基板的基板面内的方向入射到所述光吸收层(414和415)的信号光进行检测，光检测器(400)的特征在于，光吸收层(414和415)具有在从基板面外的方向观察半导体基板的基板面时，不被连接于光吸收层(414和415)的光电流检测用的电极(417)覆盖的部分。
检测器

[发明专利]光检测器-CN201880086654.7在审
发明人：曹培炎;刘雨润 -专利权人：深圳源光科技有限公司
申请日： 2018-02-03 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： G01S7/481 文献下载
摘要：本文所公开的是一种设备，包括：光源(102)，配置成生成光脉冲，其中光脉冲的一个或多个属性按照第一代码来调制，光脉冲的一个或多个属性从由光脉冲的幅度、光脉冲之间的时间间隔、光脉冲的宽度、光脉冲的光谱及其组合所组成的组中选取；检测器(104)，配置成接收包括目标场景(108)的一部分所散射的光脉冲的相应部分的光的混合，配置成基于第二代码从光的混合中选择光脉冲的部分，并且配置成基于光脉冲的部分的特性来生成电信号。
检测器

[发明专利]光检测器-CN201880086623.1在审
发明人：曹培炎;刘雨润 -专利权人：深圳源光科技有限公司
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： G01S17/931 文献下载
摘要：光源(102)，配置成生成一主光束，其沿第一维发散以照亮目标场景(108)中的一行，和衍射光束，其沿第一维发散并且与和第一维垂直的第二维中的一主光束分隔开；其中光源(102)配置成扫描第二维中的光束；检测器(104)包括第一批多个光接收组件(140)，其配置成检测从目标场景(108)所返回的一主光束的光，和第二批多个光接收组件(142)，其配置成检测从目标场景(108)所返回的衍射光束的光。
检测器

[发明专利]光检测器-CN201980021327.8在审
发明人：杉浦裕树;井上晓登 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：固体摄像元件(100)具备：P型的半导体基板(10)；N型的第一半导体层(11)，位于半导体基板(10)的上方，在第一区域(A1)中与半导体基板(10)接合；以及N型的第二半导体层(12)，在比第一区域(A1)靠外侧的第二区域(A2)中位于半导体基板(10)及第一半导体层(11)之间，其杂质浓度比第一半导体层(11)的杂质浓度低。半导体基板(10)及第一半导体层(11)形成APD1；在半导体基板(10)的厚度方向上，第二半导体层(12)达到比半导体基板(10)及第一半导体层(11)的边界部(14)靠下方的位置。
检测器

[发明专利]光检测器-CN201880051197.8在审
发明人：山崎理弘;柴山胜己;北浦隆介 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2018-07-24 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： G01J1/02 文献下载
摘要：光检测器具备光检测元件和参考元件。参考元件具有第二基板和以在与第二基板的第二表面之间形成空隙的方式配置于第二表面上的第二膜体。
检测器

[发明专利]光检测器-CN202010984880.6在审
发明人：陈建宏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种光检测器，光检测器包括半导体层、第一超晶格结构以及吸光材料。第一超晶格结构位于半导体层中，吸光材料位于第一超晶格结构上。第一超晶格结构包括垂直堆叠的多对硅层与第一硅锗层。
检测器

[发明专利]光检测器-CN202080023403.1在审
发明人：井上晓登 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：光检测器(100)具备对于入射光具有灵敏度的第1APD(10)以及不论入射光如何都流过一定的电流的第2APD(20)。
检测器

[发明专利]光检测器-CN202080023598.X在审
发明人：可部达也;新井秀幸;相川恒;杉浦裕树;井上晓登;森三佳;中西贤太郎;坂田祐辅 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：在光检测器(1000)，具有APD(111)的受光部(100)与外围电路部(200)分别设置在p型半导体基板(10)的第一主面(S1)上，光检测器(1000)还包括在半导体基板(10)的第二主面(S2)上设置的背面电极(300)和设置在受光部(100)与外围电路部(200)之间的p型第一分离部(13)。
检测器

[发明专利]光检测器-CN202080023840.3在审
发明人：杉浦裕树;井上晓登 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：光检测器(1)是具备以阵列状配置有多个像素(11)的像素阵列(10)的光检测器(1)，多个像素(11)分别包括：第1导电型的第1半导体层(12)；第1导电型的第2半导体层(13)，位于第1半导体层(12
检测器

[发明专利]光检测器-CN202111097469.8在审
发明人：井上晓登;杉浦裕树;广濑裕 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：光检测器(100)，具备：半导体基板，具有第一主面以及与所述第一主面相反的一侧的第二主面；外延层，形成于所述半导体基板；倍增区域，在所述外延层中，与所述第一主面大致平行，并且对在所述半导体基板通过光电转换产生的电荷进行雪崩倍增
检测器

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