专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]LDMOS晶体管的场氧化层隔离结构及其制备方法-CN201910435315.1有效
  • 吴亚贞;刘长振 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2019-05-23 - 2022-05-10 - H01L29/78
  • 本发明提供的一种LDMOS晶体管的场氧化层隔离结构及其制备方法,该制备方法包括:提供一半导体衬底;在所述半导体衬底上依次形成第一氧化层和第二氧化层;在所述第二氧化层上形成图形化的光刻胶层;以及以所述图形化的光刻胶层为掩模,对所述第二氧化层进行刻蚀工艺,并清除所述图形化的光刻胶层,以形成LDMOS晶体管的场氧化层隔离结构。本发明将现有的ONO叠层的场氧化层隔离结构替换为由第一氧化层和第二氧化层组成的叠层的场氧化层隔离结构,以减低场氧化层隔离结构对LDMOS晶体管的电气特性的影响。进一步的,在所述第二氧化层上形成保护层,以减低后续离子注入工艺、清洗工艺等对场氧化层隔离结构的损伤。
  • ldmos晶体管氧化隔离结构及其制备方法
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110466672.1在审
  • 吴亚贞 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2021-04-27 - 2021-07-30 - H01L21/336
  • 本发明提供的一种半导体器件及其制造方法,在所述的半导体器件的制造方法中,通过在第二阱区中形成横向排列的第四掺杂区和第二掺杂区,以使所述第二掺杂区和所述第四掺杂区组成齐纳二极管的PN结。由于所述第二掺杂区和所述第四掺杂区横向排列,因此,所述第二掺杂区和所述第四掺杂区的掺杂深度可以相同,故所述第二掺杂区可以与其导电类型相同的第一掺杂区在同一步骤中形成,以及所述第四掺杂区可以与其导电类型相同的第三掺杂区在同一步骤中形成,由此,在形成所述齐纳二极管时,无需采用额外的掩膜版及相应的光刻胶层,从而降低工艺成本。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]一种场氧化层及其形成方法-CN201910853757.8有效
  • 刘长振;令海阳;刘宪周;吴亚贞 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2019-09-10 - 2021-07-16 - H01L21/311
  • 本发明提供的一种场氧化层及其形成方法,场氧化层的形成方法包括以下步骤:提供一半导体衬底;在半导体衬底上形成氧化层;在氧化层上硬掩模层和图形化的光刻胶层;以图形化的光刻胶层为掩模,刻蚀硬掩模层,以形成图形化的硬掩模层,并清除光刻胶层;以及以图形化的硬掩模层为掩模,刻蚀氧化层,以形成场氧化层。本发明通过以图形化的所述硬掩模层为掩模,刻蚀所述氧化层,使得所述氧化层与所述半导体衬底之间的夹角α符合要求场氧化层与半导体衬底之间的夹角,即,所述夹角α在40°~60°之间,该夹角使得后续在场氧化层上形成的场板没有出现多晶硅残留的问题,同时还提高了击穿电压,从而提高了半导体器件的电气性能。
  • 一种氧化及其形成方法
  • [发明专利]一种字线多晶硅阻挡氧化层及其制造方法-CN201910056885.X有效
  • 吴亚贞 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2019-01-22 - 2021-05-07 - H01L27/11521
  • 本发明公开一种字线多晶硅阻挡氧化层及其制造方法。所述字线多晶硅阻挡氧化层为正硅酸乙酯。所述字线多晶硅阻挡氧化层之制造方法,包括:步骤S1:提供硅基衬底,并在其上形成具有存储器单元字线多晶硅的半导体结构,且对字线多晶硅进行化学机械研磨;步骤S2:在具有存储器单元字线多晶硅的半导体结构之异于硅基衬底一侧沉积正硅酸乙酯;步骤S3:对正硅酸乙酯进行化学机械研磨。本发明采用正硅酸乙酯作为字线多晶硅阻挡氧化层,不仅可以在后续刻蚀工艺中有效保护位移侧墙氮化物薄膜,而且不受字线多晶硅植入计量的影响,亦可以省略氧化物颗粒去除工艺,并减少热预算,值得业界推广应用。
  • 一种多晶阻挡氧化及其制造方法
  • [发明专利]LDMOS晶体管及其制备方法-CN202010870912.X在审
  • 吴亚贞 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2020-08-26 - 2020-10-16 - H01L21/336
  • 本发明提供的一种LDMOS晶体管及其制备方法,所述制备方法包括以下步骤:提供一半导体衬底,并形成有底部氧化层和中间氧化层;刻蚀中间氧化层;在中间氧化层上形成顶部氧化层;执行离子注入工艺,在半导体衬底中形成漂移区和体区;去除底部氧化层和顶部氧化层,在体区上方形成补充氧化层,漂移区和体区交界处及附近区域的半导体衬底上具有底部氧化层和顶部氧化层;刻蚀底部氧化层、中间氧化层、顶部氧化层和补充氧化层,以形成场氧板。本发明通过在体区和漂移区的交界处及附近区域的底部氧化层和中间氧化层较厚,使得场氧板的整体厚度加厚,该结构在使用时,虽此交界处的电场最大,在可靠性评估过程中,不会出现了热载流子注入失效的问题。
  • ldmos晶体管及其制备方法
  • [发明专利]一种调整LDMOS晶体管中氧化物场板角度的方法-CN202010872365.9在审
  • 吴亚贞 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2020-08-26 - 2020-10-16 - H01L21/336
  • 本发明提供的一种调整LDMOS晶体管中氧化物场板角度的方法,所述方法包括以下步骤:提供一半导体衬底;在半导体衬底上形成第一氧化膜层;执行第一次退火工艺;形成第二氧化膜层,使得第二氧化膜层与第一氧化膜层构成场氧化膜层;以及湿法刻蚀场氧化膜层,以形成氧化物场板,从而形成LDMOS晶体管。本发明首先形成第一氧化膜层,并对所述第一氧化膜层进行第一次退火工艺,接着在形成第二氧化膜层,使得湿法刻蚀时氧化物场板的角度是可控的,该夹角使得后续在氧化物场板上形成场板时没有出现多晶硅残留的问题,同时还提高了击穿电压,减低了特征导通电阻,从而提高了半导体器件的电气性能。
  • 一种调整ldmos晶体管氧化物角度方法
  • [发明专利]BCD工艺中形成衬垫氧化层的方法-CN202010093218.1在审
  • 吴亚贞;刘宪周;令海阳 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2020-02-14 - 2020-06-12 - H01L21/02
  • 本发明提供了一种BCD工艺中形成衬垫氧化层的方法,包括:提供一衬底,所述衬底上形成有第一氧化层;形成依次堆叠的场氧化层及硬掩膜层;对所述场氧化层执行刻蚀工艺以得到场板;利用酸性溶剂去除暴露的所述第一氧化层并露出所述衬底;以及形成与所述场板底部的所述第一氧化层处于同层高度的第二氧化层,其中,所述第二氧化层和所述第一氧化层构成衬垫氧化层。去除暴露的并被损伤的所述第一氧化层并在去除掉的所述第一氧化层的位置上沉积第二氧化层,从而得到了厚度均匀的、致密的所述衬垫氧化层,使得所述衬垫氧化层后续能够形成稳定的工艺窗口,从而更有利于后续从该工艺窗口对衬底进行离子注入以形成高压阱区,为后续工艺提供了良好的前段工艺。
  • bcd工艺形成衬垫氧化方法
  • [实用新型]一种农业种植播种机-CN201920787262.5有效
  • 吴亚贞;孙晓钰;程春爱 - 吴亚贞
  • 2019-05-29 - 2020-02-18 - A01C7/00
  • 本实用新型公开了一种农业种植播种机,包括支撑板,其特征是:所述支撑板的上侧固定连接支撑杆,所述支撑杆的一侧固定连接种子存放槽,所述支撑杆的中部设置有出粒口,所述出粒口连通所述种子存放槽,所述支撑杆的一侧设置有间歇出粒机构和种子间歇下落机构。本实用新型涉及农业种植播种机领域,具体地讲,涉及一种农业种植播种机。本装置能够进行种子的播种。
  • 一种农业种植播种机

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