专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种含有α-Al2-CN202111658844.1有效
  • 程皓;张永辉;白鸽;郁荣;候雯菲;程凯峰;康媛媛 - 西安超码科技有限公司
  • 2021-12-30 - 2023-09-05 - C04B35/83
  • 本发明涉及一种含有α‑Al2O3涂层的高密度C/C‑SiC复合材料坩埚,属于单晶硅拉制炉用热场部件技术领域。所述复合材料坩埚包括坩埚本体以及涂覆在坩埚本体内表面的α‑Al2O3涂层,坩埚本体是通过CVI工艺、树脂浸渍炭化工艺以及反应熔渗工艺依次对炭纤维预制体进行热解炭、树脂炭以及碳化硅增密处理获得的C/C‑SiC复合材料。所述复合材料坩埚既具有支撑作用又可保证熔融硅纯度,避免石英坩埚的使用,而且复合材料坩埚的使用寿命显著提高,有效降低单晶硅拉制成本,解决了现有技术中必须同时使用石英坩埚和炭/炭复合材料坩埚拉制单晶硅所带来的问题。
  • 一种含有albasesub
  • [发明专利]一种含有氧化铝涂层的C/SiC复合材料坩埚-CN202111658860.0有效
  • 程皓;张永辉;白鸽;郁荣;康媛媛;候雯菲;程凯峰 - 西安超码科技有限公司
  • 2021-12-30 - 2023-09-05 - C04B35/80
  • 本发明涉及一种含有氧化铝涂层的C/SiC复合材料坩埚,属于单晶硅拉制炉用热场部件技术领域。本发明所述复合材料坩埚包括C/SiC复合材料坩埚本体以及涂覆在坩埚本体内表面的氧化铝涂层,且C/SiC复合材料坩埚本体中的陶瓷基体为非晶型SiC以及氧化铝涂层以γ‑Al2O3为主;以γ‑Al2O3为主的涂层与非晶型SiC陶瓷基体具有良好的适配性,结合强度高,在满足坩埚力学性能要求的基础上,一方面大大降低了Si蒸汽对坩埚的侵蚀,而且避免了对复合材料坩埚的机械损伤,提高了坩埚的使用寿命,一方面在单晶硅拉制过程中不会引入杂质成分,保证了拉制单晶硅过程中熔融硅的纯度,与同时使用石英坩埚和炭/炭复合材料坩埚相比,采用本发明所述复合材料坩埚拉制单晶硅的成本显著降低。
  • 一种含有氧化铝涂层sic复合材料坩埚
  • [发明专利]一种含有α-Al2-CN202111658870.4有效
  • 张永辉;程皓;郁荣;白鸽;候雯菲;康媛媛;程凯峰 - 西安超码科技有限公司
  • 2021-12-30 - 2023-09-05 - C04B41/87
  • 本发明涉及一种含有α‑Al2O3涂层的中密度C/C‑SiC复合材料坩埚,属于单晶硅拉制炉用热场部件技术领域。所述复合材料坩埚包括坩埚本体以及涂覆在坩埚本体内表面的α‑Al2O3涂层,坩埚本体是通过化学气相渗透工艺和反应熔渗工艺依次对炭纤维预制体进行热解炭以及碳化硅增密处理获得的C/C‑SiC复合材料,炭纤维预制体的体积密度为0.5g/cm3~0.7g/cm3,热解炭增密至1.2g/cm3~1.4g/cm3,碳化硅增密至1.6g/cm3~1.8g/cm3。所述复合材料坩埚既具有支撑作用又可保证熔融硅纯度,避免使用石英坩埚,而且复合材料坩埚使用寿命显著提高,有效降低单晶硅拉制成本,解决了现有技术中必须同时使用石英坩埚和炭/炭复合材料坩埚拉制单晶硅所带来的问题。
  • 一种含有albasesub
  • [发明专利]一种含有α-Al2-CN202111658891.6有效
  • 程皓;张永辉;白鸽;郁荣;候雯菲;康媛媛;程凯峰 - 西安超码科技有限公司
  • 2021-12-30 - 2023-09-05 - C04B35/80
  • 本发明涉及一种含有α‑Al2O3涂层的C/SiC复合材料坩埚,属于单晶硅拉制炉用热场部件技术领域。本发明所述复合材料坩埚包括C/SiC复合材料坩埚本体以及涂覆在坩埚本体内表面的α‑Al2O3涂层,且C/SiC复合材料坩埚本体中的陶瓷基体为β‑SiC;α‑Al2O3涂层与β‑SiC陶瓷基体具有良好的适配性,结合强度高,在满足坩埚力学性能要求的基础上,一方面大大降低了Si蒸汽对坩埚的侵蚀,而且避免了对复合材料坩埚的机械损伤,提高了坩埚的使用寿命,一方面在单晶硅拉制过程中不会引入杂质成分,保证了拉制单晶硅过程中熔融硅的纯度,满足单晶硅拉制的需求,相比于同时使用石英坩埚和炭/炭复合材料坩埚拉制单晶硅,采用本发明所述复合材料坩埚拉制单晶硅的成本降低。
  • 一种含有albasesub
  • [发明专利]一种装配式预制墙体及其施工方法-CN202310515205.2在审
  • 汪丹;孙宏亮;吴银银;杨鑫宇;程皓;张凯;夏月明 - 河南信阳潢川城投建鼎住宅工业股份有限公司
  • 2023-05-06 - 2023-08-11 - E04B2/00
  • 本发明提出了一种装配式预制墙体及其施工方法,所述装配式预制墙体包括预制墙本体,预制墙本体内预埋有连接管,连接管内设置有双锥型涨紧套、中涨紧套、上涨紧套和双锥型连接柱,双锥型连接柱的下端嵌于上涨紧套内,上端嵌于双锥型涨紧套内,双锥型连接柱内设置有内螺纹管,连接管内还设置有连接杆,连接杆上中锥型支架和下锥型支架,下锥型支架嵌于双锥型涨紧套内,连接杆的上端螺接于内螺纹管内,下端螺接于内螺纹管内,中锥型支架和下锥型支架上均设置有竖向连通孔,中锥型支架的竖向连通孔处设置有密封气囊。本发明装配过程中,无需安装斜支撑;连接杆置于连接筒内,双锥型连接柱为装配时安装,运输时不易磕碰损坏,装配时无需校正垂直度。
  • 一种装配式预制墙体及其施工方法
  • [发明专利]一种含有氧化铝涂层的高密度C/C-SiC复合材料坩埚-CN202111653464.9有效
  • 张永辉;程皓;白鸽;郁荣;候雯菲;康媛媛;程凯峰 - 西安超码科技有限公司
  • 2021-12-30 - 2023-08-11 - C04B35/83
  • 本发明涉及一种含有氧化铝涂层的高密度C/C‑SiC复合材料坩埚,属于单晶硅拉制炉用热场部件技术领域。所述复合材料坩埚包括坩埚本体以及涂覆在坩埚本体内表面的氧化铝涂层,坩埚本体是通过CVI工艺、树脂浸渍炭化工艺以及PIP工艺依次对炭纤维预制体进行热解炭、树脂炭以及碳化硅增密处理获得的体积密度为1.8g/cm3~2.0g/cm3的C/C‑SiC复合材料,氧化铝涂层的成分以γ‑Al2O3为主;其中,炭纤维预制体的体积密度为0.3g/cm3~0.6g/cm3,热解炭增密至1.0g/cm3~1.2g/cm3,树脂炭增密至1.4g/cm3~1.6g/cm3,碳化硅增密至1.8g/cm3~2.0g/cm3。所述复合材料坩埚既具有支撑作用又可保证熔融硅纯度,而且使用寿命显著提高,有效降低单晶硅拉制成本,解决了现有技术中必须同时使用石英坩埚和炭/炭复合材料坩埚拉制单晶硅所带来的问题。
  • 一种含有氧化铝涂层高密度sic复合材料坩埚
  • [实用新型]一种蛇形弯测试装置-CN202320012687.5有效
  • 陆郭庆;汪智涛;程皓;周杭卿;孙晓辉;李景康 - 浙江南都电源动力股份有限公司;杭州南都动力科技有限公司
  • 2023-01-04 - 2023-08-11 - G01N3/08
  • 本实用新型公开了一种蛇形弯测试装置,包括测试平台,所述测试平台的两端均设有压块结构,所述测试平台的至少一端设有测试结构,所述压块结构包括压杆和压块,所述压杆可相对所述测试平台升降调节,所述压块可移动调节的安装于所述压杆上以压紧极片的极耳侧或膜区侧,所述测试平台上位于所述压杆的下方设有移动底杆,所述移动底杆可在所述测试平台上沿朝向所述测试结构的方向移动,所述测试结构用于向所述移动底杆施加拉力。本实用新型目的在于解决现有技术中存在的技术问题,提供一种蛇形弯测试装置,它能准确测量出两侧蛇形弯值,能更准确了解出辊压中间与极耳侧纵向变形程度,及时调整辊压工序。
  • 一种蛇形测试装置
  • [发明专利]一种金属氢氧化物复合电催化剂的制备方法及其产品-CN202111522301.7有效
  • 田忠良;李铮;周言根;程皓;郭春;汪滔 - 中南大学
  • 2021-12-13 - 2023-07-11 - C25B11/075
  • 本发明公开了一种金属氢氧化物复合电催化剂的制备方法及其产品,包括以下步骤:1)将金属盐A、金属盐B和金属盐C中的至少一种,按照设定的比例将其置于溶剂中,搅拌溶解后,得到溶液D;2)将导电基底Y进行预处理,取预处理后的导电基底Y置于溶液中D中,在设定温度下进行吸附,吸附完毕后,进行真空干燥,干燥完毕后,得到前驱体;3)将前驱体置于碱性溶液中进行浸泡,浸泡完毕后,得到金属氢氧化物复合电催化剂。本发明所述的复合电催化剂为纳米多孔结构,缺陷丰富,比表面积大,导电性好,具有优异的电荷传输特性和稳定性。其中活性最好的催化剂常规条件下,电流密度为10mAcm‑2时仅需过电位180mV,而且在反应900h之后,体系仍保持稳定。
  • 一种金属氢氧化物复合催化剂制备方法及其产品

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