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[实用新型]一种掺杂的肖特基势垒器件-CN201420442005.5有效
发明人：洪旭峰 -专利权人：上海芯石微电子有限公司
申请日： 2014-08-07 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种掺杂的肖特基势垒器件；该肖特基势垒器件的势垒层是采用了掺杂磷的金属硅化物(P-MSi)作为肖特基势垒层，而传统的肖特基势垒器件的势垒层是无掺杂的金属硅化物(M-Si)作为肖特基势垒层，掺杂磷的金属硅化物势垒层（P-MSi）较传统的无掺杂的金属硅化物(M-Si)势垒层，具有低的势垒高度，因此采用掺杂磷的金属硅化物(P-MSi)作为肖特基势垒层的肖特基器件较传统的肖特基势垒器件，同等面积下
一种掺杂肖特基势垒器件

[发明专利]一种肖特基势垒接触的超势垒整流器及其制造方法-CN201710052574.7在审
发明人：陈文锁;张培健;钟怡;刘建 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基势垒接触的超势垒整流器及其制造方法。所述肖特基势垒接触的超势垒整流器包括重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型体区、栅介质层、栅电极层、肖特基势垒接触区、上电极金属层和下电极金属层。所述肖特基势垒接触的超势垒整流器属于超势垒整流器类型，其可调节的肖特基势垒接触区可以采用常规肖特基势垒的制造工艺形成，能够依据具体应用条件方便的调节反向漏电水平和正向导通能力之间的匹配关系。从而该肖特基势垒接触的超势垒整流器具有制造工艺简单和方便应用的优点。
一种肖特基势垒接触超势垒整流器及其制造方法

[实用新型]一种肖特基势垒接触的超势垒整流器-CN201720104249.6有效
发明人：陈文锁;张培健;钟怡;刘建 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种肖特基势垒接触的超势垒整流器。所述肖特基势垒接触的超势垒整流器包括重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型体区、栅介质层、栅电极层、肖特基势垒接触区、上电极金属层和下电极金属层。所述肖特基势垒接触的超势垒整流器属于超势垒整流器类型，其可调节的肖特基势垒接触区可以采用常规肖特基势垒的制造工艺形成，能够依据具体应用条件方便的调节反向漏电水平和正向导通能力之间的匹配关系。从而该肖特基势垒接触的超势垒整流器具有制造工艺简单和方便应用的优点。
一种肖特基势垒接触超势垒整流器

[发明专利]肖特基势垒制作方法及肖特基势垒-CN201410758156.6在审
发明人：姜硕;唐冬 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十七研究所
申请日： 2014-12-10 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基势垒制作方法，该方法包括如下步骤a.在硅片上形成低势垒金属层；b.在低势垒金属层上形成包覆所述低势垒金属层的电极金属层，形成硅片-低势垒金属-电极金属层结构；c.对所述硅片-低势垒金属-电极金属层结构进行热处理。本发明还公开了一种肖特基势垒。根据本发明的肖特基势垒制作方法和肖特基势垒利用外部的电极金属层对内部的低势垒金属层形成保护，防止低势垒金属层氧化而引起势垒参数不稳定的问题。另外，形成势垒的同时，电极金属层也同时形成，制作肖特基产品时不需要后续进行正面电极金属淀积处理。
肖特基势垒制作方法

[发明专利]一种肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器及其制造方法-CN201710101799.7在审
发明人：陈文锁;张培健;钟怡;刘建;陆泽灼 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器及其制造方法；所述肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器包括上电极层、重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型体区、第二导电类型埋层、栅介质层、栅电极层、肖特基势垒接触区和下电极层。所述肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器属于超势垒整流器类型，其可调节的肖特基势垒接触区可以采用常规肖特基势垒的制造工艺形成，能够依据具体应用条件方便的调节反向漏电水平和正向导通能力之间的匹配关系。从而该肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器具有制造工艺简单和方便应用的优点。
一种肖特基势垒接触沟槽型超势垒整流器及其制造方法

[实用新型]一种肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器-CN201720168934.5有效
发明人：陈文锁;张培健;钟怡;刘建;陆泽灼 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器；所述肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器包括上电极层、重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型体区、第二导电类型埋层、栅介质层、栅电极层、肖特基势垒接触区和下电极层。所述肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器属于超势垒整流器类型，其可调节的肖特基势垒接触区可以采用常规肖特基势垒的制造工艺形成，能够依据具体应用条件方便的调节反向漏电水平和正向导通能力之间的匹配关系。从而该肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器具有制造工艺简单和方便应用的优点。
一种肖特基势垒接触沟槽型超势垒整流器

[发明专利]一种具有钛钨层的肖特基势垒二极管及其制造方法-CN202211079155.X在审
发明人：杨敏红;刘韵吉;单慧 -专利权人：桑德斯微电子器件（南京）有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种肖特基势垒二极管及制备方法，二极管结构是，在肖特基势垒硅化物和正面金属之间有一层钛钨层；具体的二极管构造是：从上到下依次为正面金属，钛钨层，肖特基势垒层，n‑外延层，衬底层，背面金属；肖特基势垒位于n‑外延层和钛钨层之间；钛钨层下面肖特基势垒层周围还设有氧化层。肖特基势垒层，n‑外延层，衬底层制备完成后溅射钛钨：用磁控溅射仪溅射钛钨层，钛钨厚度在0.1um‑0.3um，用于保护肖特基势垒，再制备正面金属电极。
一种具有钛钨层肖特基势垒二极管及其制造方法

[发明专利]异质结构场效应晶体管-CN200580023009.3无效
发明人： H·马赫尔;P·鲍德特 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2005-07-06 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：HEFT具有衬底(2)、缓冲层(4)、沟道层(8)、隔离层(10)、δ掺杂层(12)、肖特基势垒层(14)和盖层(18)以及金属层(20)，后者利用下面的半导体形成肖特基势垒。沟道可以是GaInAs，以及势垒层(4)、隔离层(10)和肖特基势垒层可以是AlInAs。在肖特基势垒层(14)和金属层(18)之间添加例如GaAs的附加薄层，以在不产生过多的缺陷的情况下增强肖特基势垒高度。
结构场效应晶体管

[发明专利]一种低势垒肖特基二极管及其制备方法-CN201711336861.7在审
发明人：倪炜江;张敬伟;袁俊 -专利权人：北京世纪金光半导体有限公司
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种低势垒肖特基二极管及其制备方法，该肖特基二极管的肖特基势垒金属包括上下两层金属，其中下层金属为把高势垒金属的纳米级颗粒均匀的掺入低势垒金属中的合金，上层金属为低势垒金属；肖特基二极管的有源区势垒调制层的掺杂浓度高于沟道层，所述沟道层的掺杂浓度高于漂移层。本申请中的肖特基接触的外延层表面形成高掺杂层，并且用高低不同势垒两种金属的合金形成一薄层的肖特基接触层，最终根据以上两个因素增加了半导体表面的最高电场，根据镜像力原理对肖特基接触的势垒高度进一步降低，形成比单一金属的势垒更低的肖特基二极管
一种低势垒肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]一种低反向漏电流的肖特基二极管与制备方法-CN202310394327.0在审
发明人：李嘉琳;朱涛;魏晓光;张丙可;李玲;赵万利;周行;葛欢;常树丞;孙俊敏;白雪 -专利权人：北京智慧能源研究院
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种低反向漏电流的肖特基二极管及制备方法，肖特基二极管包括元胞区，元胞区包括衬底层、外延层、高掺杂区、高肖特基势垒接触区域、中肖特基势垒接触区域、正面电极层、背面电极层；所述外延层位于所述衬底层之上本发明通过在常规肖特基势垒面积较大的区域加入部分高肖特基势垒区域，此区域导通开启电压小，但具有高肖特基势垒，在正向通流能力损失较少的情况下，减少肖特基势垒二极管和结势垒肖特基二极管部分因肖特基区域镜像力导致反向阻断漏电过大的问题
一种反向漏电肖特基二极管制备方法

[实用新型]肖特基势垒-CN201420778129.0有效
发明人：姜硕;唐冬 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十七研究所
申请日： 2014-12-10 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： H01L29/47 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种肖特基势垒，包括硅片、低势垒金属层及电极金属层，所述低势垒金属层蒸镀在所述硅片上，所述电极金属层蒸镀在所述低势垒金属层上并包覆所述低势垒金属层。根据本实用新型的肖特基势垒利用外部的电极金属层对内部的低势垒金属层形成保护，防止对势垒的热处理过程中低势垒金属层被氧化而引起势垒参数不稳定的问题。形成势垒的同时，电极金属层也同时形成，制作肖特基产品时不需要后续进行正面电极金属淀积的处理。
肖特基势垒

[发明专利]一种基于场板和复合势垒层的GaN基肖特基势垒二极管-CN201810984772.1在审
发明人：郑雪峰;马晓华;郝跃;白丹丹 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于场板和复合势垒层的GaN基肖特基势垒二极管，包括衬底、位于衬底上的缓冲层和位于缓冲层上的沟道层；位于沟道层上的复合势垒层，包括第一势垒层、第二势垒层和第三势垒层；位于第一势垒层上的阴极；位于第二势垒层上的复合阳极，包括阳极欧姆接触和阳极肖特基接触；位于第三势垒层上的P型GaN帽层；位于P型GaN帽层上的基极；覆盖在复合势垒层、P型GaN帽层、阳极肖特基接触和基极上的钝化层。本发明实施例的GaN基肖特基势垒二极管通过引入复合势垒层、P型GaN帽层、基极和复合阳极，在提高器件击穿电压的同时减小了器件的开启电压，改善了器件的击穿特性和可靠性。
势垒层复合势垒帽层肖特基势垒二极管肖特基接触阳极复合阳极沟道层缓冲层场板衬底器件击穿电压阳极欧姆接触阴极击穿特性开启电压钝化层减小引入覆盖

[发明专利]一种基于MoN合金的肖特基势垒二极管及其制作方法-CN202110954158.2在审
发明人：徐洋喜 -专利权人：江苏芯唐微电子有限公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MoN合金的肖特基势垒二极管及其制作方法，涉及肖特基势垒二极管领域，该肖特基势垒二极管的N型半导体衬底的正面设置开设有肖特基窗口的钝化层，肖特基窗口处设置有金属场板终端，金属场板终端包括在N型半导体衬底的表面从下至上依次层叠的MoN合金膜、Mo金属层和Al金属层，利用MoN合金可以改善肖特基接触中存在的势垒非均匀现象，使得该肖特基势垒二极管在不同测试温度下，肖特基势垒几乎不发生变化，势垒的非均匀性得到明显的改善，从而提高肖特基二极管的电学性能。
一种基于 mon 合金肖特基势垒二极管及其制作方法

[发明专利]具有肖特基金属结的半导体装置及其制作方法-CN201911171044.X在审
发明人：单亚东;谢刚;胡丹;李武华 -专利权人：广微集成技术（深圳）有限公司
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有肖特基金属结的半导体装置及其制作方法，所述半导体装置包括衬底以及形成于衬底表面的外延层，所述外延层上设有多个沟槽，每一沟槽内填充有多晶硅，且所述多晶硅与沟槽之间形成有栅氧化层，该多晶硅上表面形成有第一金属层，所述外延层与多晶硅相邻的上表面处形成有第二金属层，且该外延层上表面还形成有所述第一金属层，所述第二金属层和外延层形成的肖特基势垒与第一金属层和外延层形成的肖特基势垒大小不同。本发明采用两种不同的势垒金属作为肖特基接触，器件反向阻挡时，利用高势垒的肖特基金属对低势垒肖特基金属的电场屏蔽作用降低肖特基势垒电流，器件正向导通时，器件因低势垒肖特基金属具有较低的导通压降。
具有基金半导体装置及其制作方法

[发明专利]一种基于肖特基势垒的气体光检测器-CN201811202489.5在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：中山科立特光电科技有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： G01N21/63 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于肖特基势垒的气体光检测器，包括弧面在下方的半圆形透光棱镜，半圆形透光棱镜的平面上方设置有气体感应层，气体感应层的上方设置有N型半导体层，N型半导体层的上方设置有金属层，金属层与外接电源的正极电连接，N型半导体层外接电源的负极电连接；基于肖特基势垒的气体光检测器，通过在检测器中设置气体感应层，由入射光入射气体感应层从而引起肖特基结的肖特基势垒发生变化，不同气体填充在气体感应层，会引起肖特基势垒不同的变化，在已知入射光特性的情况，根据肖特基势垒的变化，判断待测气体的特性，该基于肖特基势垒的气体光检测器，结构简单，实现了基于肖特基势垒检测器的多用能应用。
肖特基势垒气体感应光检测器检测器外接电源金属层棱镜透光负极电连接入射光特性待测气体气体填充肖特基结入射光正极电弧面入射应用

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