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[发明专利]结晶性半导体膜和板状体以及半导体装置-CN201911123997.9在审
发明人：人罗俊实;织田真也;高塚章夫 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2015-07-21 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本发明提供半导体特性优异、特别是可抑制漏电流，耐压性和放热性优异的半导体膜和板状体，以及半导体装置。本发明提供结晶性半导体膜或板状体、以及具备含有所述结晶性半导体膜或所述板状体的半导体结构的半导体装置，所述结晶性半导体膜的特征在于，含有具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分，且含有半导体成分即选自镓、铟和铝中的1种或2种以上的氧化物作为主成分，膜厚为1μm以上。
结晶性半导体膜板状体半导体装置氧化物半导体半导体结构半导体特性半导体膜放热性漏电流耐压性氧化物刚玉膜厚半导体

[发明专利]结晶性半导体膜和板状体以及半导体装置-CN201911118021.2在审
发明人：人罗俊实;织田真也;高塚章夫 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2015-07-21 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明提供半导体特性优异、特别是可抑制漏电流，耐压性和放热性优异的半导体膜和板状体，以及半导体装置。本发明提供结晶性半导体膜或板状体、以及具备含有所述结晶性半导体膜或所述板状体的半导体结构的半导体装置，所述结晶性半导体膜的特征在于，含有具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分，且含有半导体成分即选自镓、铟和铝中的1种或2种以上的氧化物作为主成分，膜厚为1μm以上。
结晶性半导体膜板状体半导体装置氧化物半导体半导体结构半导体特性半导体膜放热性漏电流耐压性氧化物刚玉膜厚半导体

[发明专利]结晶性半导体膜和板状体以及半导体装置-CN201911118223.7在审
发明人：人罗俊实;织田真也;高塚章夫 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2015-07-21 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：本发明提供半导体特性优异、特别是可抑制漏电流，耐压性和放热性优异的半导体膜和板状体，以及半导体装置。本发明提供结晶性半导体膜或板状体、以及具备含有所述结晶性半导体膜或所述板状体的半导体结构的半导体装置，所述结晶性半导体膜的特征在于，含有具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分，且含有半导体成分即选自镓、铟和铝中的1种或2种以上的氧化物作为主成分，膜厚为1μm以上。
结晶性半导体膜板状体半导体装置氧化物半导体半导体结构半导体特性半导体膜放热性漏电流耐压性氧化物刚玉膜厚半导体

[发明专利]结晶性半导体膜和板状体以及半导体装置-CN201580032796.1有效
发明人：人罗俊实;织田真也;高塚章夫 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2015-07-21 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：本发明提供半导体特性优异、特别是可抑制漏电流，耐压性和放热性优异的半导体膜和板状体，以及半导体装置。本发明提供结晶性半导体膜或板状体、以及具备含有所述结晶性半导体膜或所述板状体的半导体结构的半导体装置，所述结晶性半导体膜的特征在于，含有具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分，且含有半导体成分即选自镓、铟和铝中的1种或2种以上的氧化物作为主成分，膜厚为1μm以上。
结晶半导体板状体以及装置

[发明专利]电视机和电子设备以及半导体器件的制造方法-CN200510091030.9有效
发明人：山崎舜平;前川慎志;本田达也;小路博信;中村理;铃木幸惠;川俣郁子 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2005-08-03 - 公布日： 2006-02-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供不易发生阈值偏离、具有能够高速运转的逆交错型TFT的半导体器件的制作方法。另外，还提供以减少原料来削减成本、且成品率高的半导体器件的制作方法。本发明用耐热性高的材料形成栅电极后，形成非晶半导体膜，在该非晶半导体膜上掺杂催化剂元素并加热形成结晶性半导体膜，在该结晶性半导体膜上形成具有施主型元素或稀有气体元素的层，并加热，将催化剂元素从结晶性半导体膜中除去后，用该结晶性半导体膜的一部分形成半导体区域，形成与该半导体区域通电的源电极和漏极电极，且形成与栅电极连接的栅布线，形成逆交错型的TFT，从而制成半导体器件。
电视机电子设备以及半导体器件制造方法

[发明专利]半导体元件、半导体元件的制造方法以及使用半导体元件的半导体装置-CN201210461422.X有效
发明人：山崎舜平;本田达也;平石铃之介;金村大志;太田将志 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-11-16 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体元件、半导体元件的制造方法以及使用半导体元件的半导体装置，在作为活性层使用氧化物半导体膜的半导体元件中实现稳定的电特性。该半导体元件包括：基底膜，该基底膜为至少表面具有结晶性的氧化物膜；基底膜上的具有结晶性的氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜；栅极绝缘膜上的至少与氧化物半导体膜重叠的栅电极；与氧化物半导体膜电连接的源电极及漏电极，其中，基底膜含有铟及锌。通过采用上述结构，氧化物半导体膜的结晶状态反映基底膜的结晶状态，因此，氧化物半导体膜在膜厚度方向上的大范围具有结晶性。从而，可以使具有该膜的半导体元件的电特性稳定。
半导体元件制造方法以及使用装置

[发明专利]层叠结构体、半导体装置及结晶性氧化物膜的成膜方法-CN202211156828.7在审
发明人：渡部武纪;桥上洋;坂爪崇寛 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种层叠结构体、半导体装置及结晶性氧化物膜的成膜方法。一种层叠结构体，其为至少包括基底基板及以氧化镓为主成分的结晶性氧化物膜的层叠结构体，且所述层叠结构体的所述结晶性氧化物膜侧的面中波长400nm～800nm的光的反射率的平均值为16％以上。由此，可提供一种具有以氧化镓为主成分的结晶性氧化物膜的层叠结构体，所述结晶性氧化物膜的结晶缺陷显著少、结晶性优异且在应用于半导体装置时半导体特性优异。
层叠结构半导体装置结晶氧化物方法

[发明专利]利用μ-PCD法的薄膜半导体的结晶性评价装置-CN201180043985.0有效
发明人：迫田尚和;高松弘行;乾昌广;尾岛太 -专利权人：株式会社神户制钢所;株式会社钢臂功科研
申请日： 2011-09-01 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜半导体的结晶性评价装置(1)及结晶性评价方法，其中，通过对薄膜半导体(2a)的样品(2)的测定部位照射激发光及电磁波，并检测来自样品(2)的反射电磁波的强度来对样品(2)的结晶性进行评价。而且，样品(2)的薄膜半导体(2a)形成在导电性膜(2b)上，并且还在样品(2)和放射电磁波的波导管(13)之间设置有对于激发光具有透光性的介电体(3)。因此，具有该构成的薄膜半导体的结晶性评价装置(1)及方法，即使在如上述那样在半导体薄膜(2a)下形成有导电性膜(2b)的情况下，也能够进行该半导体薄膜的结晶性评价。
利用 pcd 薄膜半导体结晶评价装置

[发明专利]结晶性多层结构、半导体装置及多层结构-CN202210758521.8在审
发明人：髙桥勲;四户孝;德田梨绘;织田真也;人罗俊实 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：本发明涉及结晶性多层结构、半导体装置及多层结构。本发明提供一种电特性优异的结晶性氧化物半导体膜。使用雾化CVD装置使包含掺杂剂的原料溶液雾化或液滴化，通过载气将所得的雾或液滴运送到成膜室内的a面或m面刚玉结构晶体基板附近，之后在成膜室内使所述雾或液滴进行热反应，从而在晶体基板上获得结晶性氧化物半导体膜，所述结晶性氧化物半导体膜具有刚玉结构，并且其主面为a面或m面，所述掺杂剂为n型掺杂剂。
结晶多层结构半导体装置

[发明专利]半导体层叠体、半导体元件及半导体元件的制造方法-CN202180057772.7在审
发明人：桥上洋 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明为一种半导体层叠体，其至少包括基体、缓冲层及至少包含一种金属元素的具有刚玉结构的结晶性金属氧化物半导体膜，所述半导体层叠体在所述基体的主表面上直接或隔着其他层具有所述缓冲层、在所述缓冲层上具有所述结晶性金属氧化物半导体膜，所述半导体层叠体的特征在于，所述缓冲层为组成各自不同的多层缓冲膜的层叠结构体，所述多层缓冲膜中至少有两层缓冲膜的膜厚为200nm以上650nm以下。由此，可提供即使通过异质外延生长而形成时，也具有结晶缺陷、翘曲及裂纹被抑制的高品质的刚玉型结晶性金属氧化物半导体膜的半导体层叠体。
半导体层叠元件制造方法

[发明专利]结晶性氧化物半导体膜及半导体装置-CN201780068749.1在审
发明人：髙桥勲;四户孝;德田梨绘;织田真也;人罗俊实 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明提供一种电特性优异的结晶性氧化物半导体膜。使用雾化CVD装置使包含掺杂剂的原料溶液雾化或液滴化，通过载气将所得的雾或液滴运送到成膜室内的a面或m面刚玉结构晶体基板附近，之后在成膜室内使所述雾或液滴进行热反应，从而在晶体基板上获得结晶性氧化物半导体膜，所述结晶性氧化物半导体膜具有刚玉结构，并且其主面为a面或m面，所述掺杂剂为n型掺杂剂。
结晶性氧化物半导体膜掺杂剂成膜刚玉雾化室内半导体装置结构晶体晶体基板液滴运送原料溶液电特性热反应液滴化基板液滴载气主面

[发明专利]照射激光的方法、激光照射装置和半导体器件的制造方法-CN200410007632.7有效
发明人：田中幸一郎;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2004-02-27 - 公布日： 2004-12-01 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：在半导体器件制作工艺中，如用连续振荡激光器进行半导体膜退火，虽可能制作出特性好的元件，但由能被半导体膜充分吸收的波长区的激光形成的射束点的尺寸极小。因此如用椭圆形的光束扫描半导体膜，结晶性缺陷区所占比例就增大，这样不能安置TFT的区域占的比例增大，在高集成化上就有问题。本发明是提供尽量减少在半导体膜上形成的结晶性缺陷区域的激光照射装置、照射激光的方法、及半导体器件制造方法。本发明在半导体膜上照射基波作为谐波的辅助以抑制结晶性缺陷区域的形成，并形成长晶粒区域。
照射激光方法装置半导体器件制造

[发明专利]半导体器件的制造方法、集成电路、电光装置和电子仪器-CN200410033468.7有效
发明人：井上聪 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2004-04-08 - 公布日： 2004-10-13 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种半导体器件的制造方法、集成电路、电光装置和电子仪器，所述半导体器件制造方法包括：在第一基板(10)上形成剥离层(12)的剥离层形成工序；在剥离层上形成绝缘膜(14)的绝缘膜形成工序；在绝缘膜(14)上形成多个微孔(16)的微孔形成工序；在绝缘膜上和微孔(16)内形成半导体膜(18)的成膜工序；通过热处理，熔融结晶化半导体膜，形成结晶性半导体膜(20)的结晶化工序；使用各结晶性半导体膜形成半导体元件(T)的元件形成工序；在剥离层(12)的层内和/或界面上产生剥离，将半导体元件转移到第二基板上的转移工序。根据本发明，可在大面积基板上容易形成细微且高性能的薄膜半导体元件。
半导体器件制造方法集成电路电光装置电子仪器

[发明专利]结晶性硅系列半导体薄膜的制造方法-CN99126970.5无效
发明人：土本修平;田仲広久;緖方潔;桐村浩哉 -专利权人：夏普株式会社;日新电机株式会社
申请日： 1999-12-22 - 公布日： 2004-03-10 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明揭示一种结晶性硅系列半导体薄膜的制造方法，是在基板(S)上形成结晶性硅系列半导体薄膜，该方法包括在基板(S)附近至少形成包含硅系列气体的膜原料气体的等离子体(P)、并在基板(S)上形成硅主体的薄膜的工序；向基板(S)照射由激励粒子原料气体生成的激励粒子、使硅主体的薄膜的硅结晶化的工序，使膜原料气体和激励粒子原料气体的至少一种气体包含用于形成硅半导体的杂质气体，通过这样在基板(S)上形成结晶性硅系列半导体薄膜
结晶系列半导体薄膜制造方法

[发明专利]结晶性层叠结构体，半导体装置-CN201910603781.6有效
发明人：人罗俊实;织田真也 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2015-03-30 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：本发明涉及结晶性层叠结构体及半导体装置。本发明的目的在于提供一种导电性出色的结晶性层叠结构体，该结晶性层叠结构体中，具有刚玉结构的结晶性氧化物薄膜即使在退火(加热)步骤后也没有高电阻化。本发明提供一由该结晶性层叠结构体组成的半导体。其中该结晶性层叠结构体具备底层基板，和直接或介由其他层设置于该底层基板上的具有刚玉结构之结晶性氧化物薄膜，所述结晶性氧化物薄膜的膜厚是1μm以上，所述结晶性氧化物薄膜的电阻率为80mΩcm以下。
结晶层叠结构半导体装置