“结晶性半导体膜”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果7705909个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201610352570.6有效
发明人：肥塚纯一;山出直人;佐藤裕平;岡崎豊;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-04-18 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明的课题之一是给使用氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性，而使该半导体装置高可靠性化。在包括氧化物半导体膜的晶体管的制造工序中，形成包括具有大致垂直于其表面的c轴的结晶的氧化物半导体膜(也称为第一晶体氧化物半导体膜)，对该氧化物半导体膜引入氧而使其至少一部分非晶化来形成包含过剩的氧的非晶氧化物半导体膜在该非晶氧化物半导体膜上形成氧化铝膜之后，进行加热处理而使该非晶氧化物半导体膜的至少一部分结晶化，来形成包括具有大致垂直于其表面的结晶的氧化物半导体膜(也称为第二晶体氧化物半导体膜)。
半导体装置制造方法

[发明专利]激光器照射装置、激光器照射方法以及半导体装置的制造方法-CN200410039780.7有效
发明人：山崎舜平;田中幸一郎 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2004-03-17 - 公布日： 2004-09-22 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明的课题是提供一种能够显著地扩展光束点的面积，并使结晶性差的区域所占的比率下降的激光器照射装置。此外本发明的课题还涉及提供一种能够在使用连续振荡的激光器的同时提高生产率的激光器照射装置。进而，本发明的课题还涉及提供使用了该激光器照射装置的激光器照射方法以及半导体装置的制作方法。通过高次谐波的脉冲振荡的第1激光来对熔化了的区域照射连续振荡的第2激光。通过根据第1激光而引起的半导体膜熔化，对第2激光的半导体膜的吸收系数就显著升高了，第2激光也变得容易被半导体膜吸收了。
激光器照射装置方法以及半导体制造

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200880129496.5有效
发明人：尾崎史朗;中田义弘;小林靖志;美浓浦优一 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2008-06-17 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明半导体装置的制造方法，包括：在基板(10)上形成由硅化合物类绝缘材料构成的绝缘膜(38、40、42)上的工序；在绝缘膜(38、40、42)上形成开口部(48)的工序；通过在含有烃类气体的环境中照射活性能量线，在开口部(48)的内面形成由结晶性SiC构成的阻挡层(50)的工序；以及在形成有阻挡层(50)的开口部(48)内，形成由铜构成的布线结构体(52)的工序。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种P型聚合物半导体材料及其制备方法和应用-CN201710947475.5有效
发明人：郭旭岗;虞坚炜;杨杰;周鑫 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2017-10-12 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种P型聚合物半导体材料及其制备方法和应用，所述P型聚合物半导体材料具有式I所示结构，所述P型聚合物半导体材料为基于邻苯二甲酰亚胺结构的聚合物材料，其具有优良的溶解性，高度的骨架平面性，良好的结晶性，以及可调控的光电性质，这些聚合物用于有机太阳能电池中，都显示出了高的光电转换效率，在作为高性能有机半导体材料方面具有巨大潜力。
一种聚合物半导体材料及其制备方法应用

[发明专利]成膜方法、成膜装置、结晶性氧化物膜及其应用-CN202211120925.0在审
发明人：渡部武纪;桥上洋;坂爪崇寛 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明是一种成膜方法、成膜装置、结晶性氧化物膜及其应用，所述成膜方法在基板上通过喷雾CVD法来使以氧化镓为主成分的结晶性氧化物膜成膜，其包括下述工序：对基板进行加热；对供给包含原料溶液的喷雾的喷嘴进行加热；以及以经加热的喷嘴的喷出方向相对于基板的表面成为垂直方向的方式来将喷雾供给至经加热的基板上，以进行结晶性氧化物膜的成膜，在对喷嘴进行加热的工序中，在基板不存在于喷嘴的喷出方向的状态下进行喷嘴的加热，在进行结晶性氧化物膜的成膜的工序中，在基板存在于喷嘴的喷出方向的状态下进行成膜。由此，提供一种结晶性优异，即便为大面积且薄的膜厚，面内的膜厚分布也良好的以氧化镓为主成分的结晶性氧化物膜。
方法装置结晶氧化物及其应用

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN201510221344.X有效
发明人：山崎舜平;广桥拓也;高桥正弘;岛津贵志 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-12-07 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：可以使用更大的衬底，并且通过形成具有高结晶性程度的氧化物半导体层，可以制造具有所希望的高场效应迁移率的晶体管，由此可以实现大型显示装置或高性能半导体装置等的实用化。在衬底上形成第一多元氧化物半导体层，以及在第一多元氧化物半导体层上形成单元氧化物半导体层；然后，通过在500℃以上1000℃以下，优选为550℃以上750℃以下进行加热处理从表面向内部进行结晶生长，使得形成包含单晶区域的第一多元氧化物半导体层及包含单晶区域的单元氧化物半导体层；以及在包含单晶区域的单元氧化物半导体层上层叠包含单晶区域的第二多元氧化物半导体层。
制造半导体装置方法

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN201510329843.0有效
发明人：山崎舜平;广桥拓也;高桥正弘;岛津贵志 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-12-07 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：可以使用更大的衬底，并且通过形成具有高结晶性程度的氧化物半导体层，可以制造具有所希望的高场效应迁移率的晶体管，由此可以实现大型显示装置或高性能半导体装置等的实用化。在衬底上形成第一多元氧化物半导体层，以及在第一多元氧化物半导体层上形成单元氧化物半导体层；然后，通过在500℃以上1000℃以下，优选为550℃以上750℃以下进行加热处理从表面向内部进行结晶生长，使得形成包含单晶区域的第一多元氧化物半导体层及包含单晶区域的单元氧化物半导体层；以及在包含单晶区域的单元氧化物半导体层上层叠包含单晶区域的第二多元氧化物半导体层。
制造半导体装置方法

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN201210283668.2有效
发明人：山崎舜平;广桥拓也;高桥正弘;岛津贵志 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-12-07 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：可以使用更大的衬底，并且通过形成具有高结晶性程度的氧化物半导体层，可以制造具有所希望的高场效应迁移率的晶体管，由此可以实现大型显示装置或高性能半导体装置等的实用化。在衬底上形成第一多元氧化物半导体层，以及在第一多元氧化物半导体层上形成单元氧化物半导体层；然后，通过在500℃以上1000℃以下，优选为550℃以上750℃以下进行加热处理从表面向内部进行结晶生长，使得形成包含单晶区域的第一多元氧化物半导体层及包含单晶区域的单元氧化物半导体层；以及在包含单晶区域的单元氧化物半导体层上层叠包含单晶区域的第二多元氧化物半导体层。
制造半导体装置方法

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN201811108754.3有效
发明人：山崎舜平;广桥拓也;高桥正弘;岛津贵志 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-12-07 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：可以使用更大的衬底，并且通过形成具有高结晶性程度的氧化物半导体层，可以制造具有所希望的高场效应迁移率的晶体管，由此可以实现大型显示装置或高性能半导体装置等的实用化。在衬底上形成第一多元氧化物半导体层，以及在第一多元氧化物半导体层上形成单元氧化物半导体层；然后，通过在500℃以上1000℃以下，优选为550℃以上750℃以下进行加热处理从表面向内部进行结晶生长，使得形成包含单晶区域的第一多元氧化物半导体层及包含单晶区域的单元氧化物半导体层；以及在包含单晶区域的单元氧化物半导体层上层叠包含单晶区域的第二多元氧化物半导体层。
制造半导体装置方法

[发明专利]半导体衬底的制造方法、半导体装置、及电子设备-CN200810169882.9有效
发明人：下村明久;井坂史人;永野庸治;桃纯平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2008-10-10 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：制造隔着缓冲层而具有单晶半导体层的半导体衬底。对半导体衬底掺杂氢，形成包含大量氢的损伤层。在将单晶半导体衬底和支撑衬底接合在一起之后，加热半导体衬底，在损伤区域中分离单晶半导体衬底。通过从具有单晶半导体层的一侧对单晶半导体层照射激光束，使单晶半导体层的照射激光束的区域的从表面有深度方向的一部分区域熔化，基于不熔化而留下的单晶半导体层的平面取向进行再晶化，恢复结晶性，并且使单晶半导体层的表面平坦化
半导体衬底制造方法装置电子设备

[发明专利]半导体装置或结晶-CN201380002360.9在审
发明人：金子健太郎;人罗俊实;平尾孝 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2013-09-24 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供形成良质的刚玉型结晶膜的半导体装置。本发明提供的由具有刚玉型结晶结构的底层基板、具有刚玉型结晶结构的半导体层、具有刚玉型结晶结构的绝缘膜形成的半导体装置。在具有刚玉型结晶结构的材料中包括多种氧化膜，不仅能够发挥作为绝缘膜的功能，而且底层基板、半导体层以及绝缘膜全部具有刚玉型结晶结构，由此，在底层基板上能够实现良质的半导体层、绝缘膜。
半导体装置结晶

[发明专利]半导体器件的制造方法和电子设备的制造方法-CN01137486.1无效
发明人：宫坂光敏 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 1996-06-26 - 公布日： 2003-02-05 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有在基板上淀积半导体膜的半导体膜淀积工艺，反复进行使该半导体膜的一部分熔融结晶化处理，从而使该半导体膜的实质上整个领域进行结晶的第1退火工艺，对该已结晶的半导体膜施行快速热处理的第2退火工艺，对该已结晶的半导体膜施行电路图案形成工艺，以及形成与最终得到的晶体性半导体连接的电极的电极形成工艺。
半导体器件制造方法电子设备

[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置-CN200610071632.2无效
发明人：岛田浩行 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2006-03-27 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供一种半导体装置的制造方法和根据该制造方法而得到的半导体装置，其中，半导体装置的制造方法，具备：第1工序，对形成在基板上的结晶性半导体膜3之中除了第1部分以外的至少第2部分及第3部分注入杂质；第2工序因此得到良好的电特性的晶体管，可以实现半导体装置的微细化或高密度化，进一步实现三维重叠。
半导体装置制造方法

[发明专利]氧化锌系半导体晶体的制造方法-CN200780030699.4有效
发明人：大道浩儿;贝渊良和;藤卷宗久;吉川明彦 -专利权人：株式会社藤仓;国立大学法人千叶大学
申请日： 2007-06-22 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： H01L21/363 文献下载
摘要：一种氧化锌系半导体晶体的制造方法，用于至少使锌和氧到达基板表面，在该基板上生长氧化锌系半导体晶体，在1×10^-4Torr以下的真空气氛中，将上述锌的一部分或全部离子化，并使其到达上述基板表面，生长氧化锌系半导体晶体。结果，可提供能够生长晶体的生长速度快、生长表面平坦性和结晶性良好，并且晶体内的杂质极少的氧化锌系半导体晶体的氧化锌系半导体晶体的制造方法。
氧化锌半导体晶体制造方法

[发明专利]氮化物半导体发光元件和氮化物半导体发光元件的制造方法-CN200910126852.4无效
发明人：持田笃范;长谷川义晃 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-03-20 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： H01S5/028 文献下载
摘要：本发明实现氮化物半导体发光元件在高功率运行时的长期稳定运行。氮化物半导体发光元件具备氮化物半导体的多层膜。氮化物半导体的多层膜设置在基板上，由氮化物半导体结晶构成，含有发光层。在该氮化物半导体的多层膜上形成共振器的端面，在该端面的至少一个上设有由氮化铝结晶构成的保护膜。保护膜具有结晶轴与构成设有保护膜的共振面的端面的氮化物半导体结晶的结晶面相互成90度的结晶面。
氮化物半导体发光元件制造方法

首页
«上一页
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
下一页»
尾页
共 100000 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top