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[发明专利]半导体装置-CN201880074220.5在审
发明人：松田时宜;杉本雅裕;四户孝 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，其可以减小反向的漏电流，而且例如在使用介质击穿(dielectric breakdown)电场强度比SiC高得多的高电压下为低损耗的n型半导体(例如氧化镓等)等的情况下，能够不使半导体特性恶化且实现优良的半导体特性一种半导体装置，至少包括n型半导体层，具有刚玉结构的结晶性氧化物半导体(例如为α‑Ga2O3等)作为主成分；以及电场屏蔽层和闸电极，分别直接或隔着其他层被层叠于该n型半导体层上，其中，该电场屏蔽层包含p型氧化物半导体，而且该电场屏蔽层比该闸电极更深地埋入于该n型半导体层中。
半导体装置

[发明专利]半导体器件以及用于制造半导体器件的方法-CN200410055682.2有效
发明人：小路博信;下村明久;古山将树 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2004-08-02 - 公布日： 2005-02-16 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种使用用于促使结晶的金属元素来控制晶向的结晶方法，其中对具有对准的晶向的结晶半导体膜辐照脉冲激光一次以形成具有小晶粒的结晶半导体膜，在相邻晶粒中对准晶向的有序间隔以栅格图形形成小晶粒本发明的又一目的是提供一种用于制造结晶半导体膜的方法。鉴于上述目的，本发明提供一种具有以栅格图形形成晶粒的结晶半导体膜，其中相邻的晶粒中晶向对准，并还提供具有该结晶半导体膜的薄膜晶体管。特别地在本发明中，为形成具有相邻晶粒中对准晶向的晶粒，将用于促使结晶的金属元素选择性地添加，以形成结晶半导体膜并且此后优选地辐照脉冲激光。
半导体器件以及用于制造方法

[发明专利]球状结晶性二氧化硅粒子及其制造方法-CN201880033040.2有效
发明人：佐藤裕;矢木克昌;田中睦人;德田尚三;阿江正德 -专利权人：日铁化学材料株式会社
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C01B33/18 文献下载
摘要：提供与以往相比生产率高、制造成本低、并且包含许多高热传导率的石英，且具有高流动性、高分散性、高填充性、低损耗性，也能够应用于半导体领域的球状结晶性二氧化硅粒子及其制造方法。一种球状结晶性二氧化硅粒子，其特征在于，结晶相为整体的90质量％以上，石英结晶为整体的70质量％以上。另外，相对于粒子整体，包含按氧化物换算为0.4～5质量％的碱金属中的至少一种。
球状结晶二氧化硅粒子及其制造方法

[发明专利]SOI衬底的制造方法、以及半导体装置的制造方法-CN200810088432.7有效
发明人：宫入秀和;下村明久;沟井达也;比嘉荣二;永野庸治 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2008-03-31 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种利用氢离子注入法的SOI衬底的制造方法，在该SOI衬底中，支撑衬底由玻璃衬底那样的耐热性低的衬底构成，并且包括表面的平坦性高且厚度为薄的100nm以下的半导体层。中间夹着接合层将半导体衬底和支撑衬底贴在一起。通过进行加热处理来分割半导体衬底，可以获得固定有从半导体衬底分离的半导体层的支撑衬底。通过对该半导体层照射激光束并使它熔化，提高半导体层的表面的平坦性，且恢复其结晶性。在照射激光束之后，通过蚀刻等来减薄半导体层。通过以上工序，可以制造SOI衬底，在该SOI衬底中，在支撑衬底上存在其厚度为100nm以下的单晶半导体层。
soi 衬底制造方法以及半导体装置

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200480001492.0无效
发明人：井上满夫;宫川修;坂本孝雄 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2004-08-31 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底(1)上形成非晶硅膜(2)的非晶硅层叠工序；对上述非晶硅膜(2)照射激光(16)，将上述非晶硅膜(2)的至少一部分变换为多晶硅膜(3)的照射工序；以及在上述照射工序之后，在含氧的气氛中氧化上述多晶硅膜(3)表面的氧化工序，作为上述激光(16)，使用将波长为≥350nm且≤800nm的脉冲激光变换成在宽度方向上具有至少≥3(mJ/cm²)/μm的能量密度梯度的线形光束的激光利用此方法，能够容易地制造出结晶性优良的半导体器件。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN03124387.8有效
发明人：牧田直树 -专利权人：夏普公司
申请日： 2003-04-24 - 公布日： 2003-11-05 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种半导体器件，它包括至少一个薄膜晶体管，此薄膜晶体管包括半导体层、栅电极、以及栅绝缘膜。在半导体层中，确定了一个包括沟道形成区、源区、以及漏区的结晶区。栅电极被提供来控制沟道形成区的导电性。栅绝缘膜被提供在栅电极与半导体层之间。此半导体层包括其结晶区外面的吸杂区。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]透明导电膜及使用其的基板、电子器件以及液晶显示装置-CN200680043207.0无效
发明人：梅野聪;海上晓;井上一吉;田中信夫 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2006-10-31 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：一种透明导电膜，其含有铟氧化物、锡氧化物和至少一种的镧系金属氧化物，具有与导体的连接部分，且至少所述连接部分具有结晶性。
透明导电使用电子器件以及液晶显示装置

[发明专利]载体、燃料电池用电极、膜电极组件以及包含该组件的燃料电池-CN201780059813.X在审
发明人：金埈永;李辰华 -专利权人：可隆工业株式会社
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： B01J21/18 文献下载
摘要：本发明提供关于高结晶性石墨化碳载体和包含所述载体的燃料电池用电极、膜电极组件以及燃料电池的技术，所述高结晶性石墨化碳载体包含具有高结晶性石墨化层的碳粒子，所述高结晶性石墨化层包含在其表面键合的官能团。本发明的一实施例涉及的高结晶性石墨化碳载体能够改善耐久性以及电化学活性，从而提升燃料电池的性能。
高结晶性石墨化碳载体燃料电池燃料电池用电膜电极组件石墨化层电化学活性表面键合碳粒子

[发明专利]探针片、探针卡、半导体检查装置及半导体装置的制造方法-CN03159863.3无效
发明人：春日部进;长谷部健彦;成塚康则;长谷部昭男 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2003-09-26 - 公布日： 2004-07-14 - 主分类号： G01R1/073 文献下载
摘要：本发明提供一种探针片、探针卡、半导体检查装置及半导体装置的制造方法。该探针卡具有：与以狭窄间距形成的检查对象物的电极进行电连接的第一接触端子、从该第一接触端子引出的布线、和与该布线电连接的第二接触端子，该第一接触端子是利用具有结晶性的构件的刻蚀孔穴形成的。
探针半导体检查装置制造方法

[发明专利]光催化剂功能性膜及其制备方法-CN201580042104.1有效
发明人：李东一;徐周焕;金贤宰;张慧胤;郑胜文 -专利权人：乐金华奥斯有限公司
申请日： 2015-07-31 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： B01J21/06 文献下载
摘要：本发明提供光催化剂功能性膜，上述光催化剂功能性膜为基材层、阻隔层及光催化剂层的层叠结构，上述阻隔层为非结晶性TiO₂膜，上述光催化剂层包含非结晶性TiO₂膜以及形成于上述非结晶性TiO₂膜的表面的可见光活性光催化剂粒子。本发明提供光催化剂功能性膜的制备方法，上述光催化剂功能性膜的制备方法包括如下的步骤：在钛前体中加入醇溶剂及酸，并通过脱水及脱醇反应取得TiO₂溶胶的步骤；在基材上涂敷上述TiO₂非结晶性溶胶并对上述TiO₂非结晶性溶胶进行干燥来形成阻隔层的步骤；以及在上述阻隔层上涂敷如下的组合物并对上述组合物进行干燥来形成光催化剂层的步骤，上述组合物通过在上述TiO₂非结晶性溶胶中混合可见光活性光催化剂粒子而成。
光催化剂功能及其制备方法

[发明专利]结晶性树脂组合物和结晶性树脂膜-CN200680002435.3无效
发明人：大山一;角田守男;中尾哲也 -专利权人：三菱工程塑料株式会社
申请日： 2006-01-16 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： C08L77/00 文献下载
摘要：本发明提供一种阻气性、透明性、滑动性优异的结晶性树脂组合物和结晶性树脂膜。该结晶性树脂组合物相对于结晶性树脂(A)100重量份，含有多孔填料(B)0.01～0.5重量份，多孔填料(B)包括平均粒径为1.5～6μm的球状多孔填料(B－1)和平均粒径为0.4～1.5μm的多面体状多孔填料(B－2)，其重量比在1/90≤(B－1)/(B－2)≤1/1的范围内；该结晶性树脂膜当厚度为15μm时，在23℃、65％RH下的氧透过量为50ml/[m²·day·atm]以下，雾度为2.5％以下，膜之间的静摩擦系数在23℃、65％RH下为0.5以下，在23℃、90％RH下为0.6以下。
结晶树脂组合

[发明专利]制备具有结晶性的半导体膜的设备和方法-CN94119374.8无效
发明人：大谷久;安达广树 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1994-12-03 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：通过催化剂元素的作用在低温下使非晶硅膜晶化的方法中，本发明提供了自动地导入催化剂元素的工序的系统。在非晶硅膜的表面涂敷含有促进晶化元素的溶液时，可按14～21所示的单元进行必要的工序。
制备具有结晶半导体设备方法

[发明专利]一种硫化铋半导体薄膜的制备方法-CN201610065059.8有效
发明人：蒋良兴;汪颖;陈建宇;刘芳洋;孙凯乐;赖延清 -专利权人：中南大学
申请日： 2016-01-29 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： C01G29/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硫化铋半导体薄膜的制备方法，该制备方法是将基底依次置于铋盐乙二醇甲醚溶液中浸泡和含硫化合物有机溶液中浸泡后，在保护气氛中进行热处理，即在基体表面生成硫化铋半导体薄膜，该方法操作简单、成本低、重现性好、易于大规模连续生产，该方法可以控制硫化铋薄膜厚度以及硫化铋薄膜大面积连续致密生长，制备的硫化铋半导体薄膜厚度均匀、结晶性好、连续致密，且具有良好的光电性能。
一种硫化半导体薄膜制备方法

[发明专利]氧化物半导体膜及半导体装置-CN201210103353.5有效
发明人：高桥正弘;秋元健吾;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-04-10 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本发明的目的之一是提供一种导电率稳定的氧化物半导体膜。另外，本发明的目的之一是通过使用该氧化物半导体膜，对半导体装置赋予稳定的电特性，提供一种可靠性高的半导体装置。在包含铟(In)、镓(Ga)以及锌(Zn)的氧化物半导体膜中，具有在平行于氧化物半导体膜的被形成面的法向矢量的方向上一致的c轴取向的结晶区，c轴取向的结晶区的组成以In1+δGa1-δO3(ZnO)m(注意，0＜δ＜1，m＝1至3)表示，包括c轴取向的结晶区的整体的氧化物半导体膜的组成以InxGayO3(ZnO)m(注意，0＜x＜2，0＜y＜2，m＝1至3)表示。
氧化物半导体装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200410043485.9无效
发明人：张宏勇;鱼地秀贵;高山彻;山崎舜平;竹村保彦 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1994-02-15 - 公布日： 2004-10-27 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供的半导体器件包括，有绝缘表面的基片以及半导体膜，它包括绝缘表面上形成的结晶硅，半导体膜中含有促进结晶的金属，其浓度不大于1原子％。该半导体器件的制法包括：在基片的一绝缘表面上形成含非晶态硅的半导体膜；选择地形成含一种金属的层，它与半导体膜的第一部分接触；对它们进行加热，使半导体膜由第一部分至第二部分结晶，金属则通过半导体膜扩散。将半导体膜的至少第一和第二部分隔离开。
半导体器件及其制造方法