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[发明专利]半导体晶体成长方法和半导体发光元件-CN02804627.7无效
发明人：永井诚二;冨田一义;色川芳宏;加地彻 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2002-02-12 - 公布日： 2004-04-21 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：一种半导体晶体成长方法及半导体发光元件，该法是在底衬底上使与所述底衬底不同的半导体物质结晶成长的半导体晶体成长方法，其特征在于，在开始所述晶体成长前，把离子从所述底衬底的晶体成长面注入。所述半导体发光元件的特征在于，至少作为晶体成长衬底，具有使用上述晶体成长方法制造的半导体晶体。在所述晶体成长过程中，底衬底以离子注入层为界破断，并最终分离为薄膜部分和主要部分。本发明的半导体晶体制造方法，能得到比现有技术结晶性优良、裂纹少的氮化镓单晶。
半导体晶体成长方法发光元件

[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法-CN03102284.7有效
发明人：矶部敦生;山崎舜平;小久保千穗;田中幸一郎;下村明久;荒尾达也;宫入秀和 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2003-01-28 - 公布日： 2003-08-13 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：为了提供由半导体元件或半导体元件组组成的半导体装置，其中在沟道形成区中具有尽可能少的晶粒边界的结晶半导体膜形成于绝缘表面上，其可以高速运转，其具有高的电流驱动性能，且其在元件之间更少波动。本发明的方法包括：在具有绝缘表面的衬底上形成有开口的绝缘膜；在绝缘膜上和开口之上形成具有任意形成的晶粒边界的非晶半导体膜或多晶半导体膜；通过融化半导体膜，将融化的半导体灌入绝缘膜的开口中，并晶化或重结晶半导体膜形成结晶半导体膜；除去在开口中的结晶半导体膜部分之外的结晶半导体膜以形成与结晶半导体膜的顶面接触栅绝缘膜和栅电极。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法-CN200710142234.X有效
发明人：矶部敦生;山崎舜平;小久保千穗;田中幸一郎;下村明久;荒尾达也;宫入秀和 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2003-01-28 - 公布日： 2008-01-23 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：为了提供由半导体元件或半导体元件组组成的半导体装置，其中在沟道形成区中具有尽可能少的晶粒边界的结晶半导体膜形成于绝缘表面上，其可以高速运转，其具有高的电流驱动性能，且其在元件之间更少波动。本发明的方法包括：在具有绝缘表面的衬底上形成有开口的绝缘膜；在绝缘膜上和开口之上形成具有任意形成的晶粒边界的非晶半导体膜或多晶半导体膜；通过融化半导体膜，将融化的半导体灌入绝缘膜的开口中，并晶化或重结晶半导体膜形成结晶半导体膜；除去在开口中的结晶半导体膜部分之外的结晶半导体膜以形成与结晶半导体膜的顶面接触栅绝缘膜和栅电极。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体元件的制造方法-CN200810135797.0有效
发明人：大野彰仁;竹见政义;富田信之 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2005-10-27 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体元件的制造方法，并提供一种技术，能够提高利用了氮化镓衬底(GaN衬底)的半导体元件的制造性，同时在GaN衬底上形成平坦性及结晶性优越的氮化物类半导体层。并且，在GaN衬底(10)的上表面(10a)上层叠含有n型半导体层(11)的多个氮化物类半导体层，从而形成半导体激光器等的半导体元件。
半导体元件制造方法

[发明专利]半导体衬底及其制造方法、以及半导体装置的制造方法-CN200810173930.1有效
发明人：古山将树;井坂史人;下村明久;桃纯平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2008-10-31 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种半导体衬底及其制造方法、以及半导体装置的制造方法，该半导体衬底是在玻璃衬底等低耐热性支撑衬底上隔着缓冲层固定有单晶半导体层的半导体衬底。该半导体衬底的制造方法包括：将加速了的氢离子照射到半导体衬底，以形成包含大量的氢的损伤区域；在接合单晶半导体衬底和支撑衬底之后，加热半导体衬底而在损伤区域中分离单晶半导体衬底；接着，对从单晶半导体衬底分离了的单晶半导体层照射激光束；通过照射激光束，使单晶半导体层熔化而再结晶，以恢复其结晶性并使单晶半导体层的表面平坦化；以及在照射激光束之后，在不使其熔化的温度下加热单晶半导体层，以提高其寿命。
半导体衬底及其制造方法以及装置

[发明专利]层叠结构体及层叠结构体的制造方法-CN202080059393.7在审
发明人：渡部武纪;桥上洋;丹野雅行 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明为一种层叠结构体，其具有结晶性衬底和以镓作为主要成分并且具有β‑gallia结构的结晶性氧化物膜，所述结晶性衬底为以钽酸锂作为主要成分的结晶性衬底；由此提供一种具有热稳定结晶性氧化物膜的廉价层叠结构体
层叠结构制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201980046773.4在审
发明人：杉本雅裕;高桥勋;四户孝;雨堤耕史 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供一种尤其对功率器件有用且半导体特性优异的半导体装置。一种半导体装置(例如，结势垒肖特基二极管等)，在n型半导体层与电极之间设置有多个p型半导体(例如，镁掺杂氧化镓等)，所述半导体装置的特征在于，所述n型半导体层包含具有刚玉结构的结晶性氧化物半导体(例如，α型氧化镓等)作为主成分，设置有三个以上的所述p型半导体，并且所述p型半导体埋入到所述n型半导体层中。
半导体装置

[发明专利]电流源电路、信号线驱动电路及其驱动方法以及发光装置-CN200380108899.9有效
发明人：木村肇;小山润 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2003-12-19 - 公布日： 2006-02-22 - 主分类号： G09G3/30 文献下载
摘要：晶体管的元件特性起因于制造过程中层叠的半导体膜和栅绝缘膜的膜厚的不均匀性和膜的构图精度等而发生离散，特别是多晶硅晶体管的情况下，通过结晶生长方向和晶界中的缺陷等引起结晶性的离散。
电流电路信号线驱动及其方法以及发光装置

[发明专利]氧化物半导体膜以及半导体装置-CN201510496344.0有效
发明人：山崎舜平;津吹将志;秋元健吾;大原宏树;本田达也;小俣贵嗣;野中裕介;高桥正弘;宫永昭治 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2011-11-21 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种氧化物半导体膜以及半导体装置。提供一种具有更稳定的导电性的氧化物半导体膜。此外，通过使用氧化物半导体膜来提供具有稳定的电特性及高可靠性的半导体装置。氧化物半导体膜包括结晶区域，且结晶区域包括a‑b面与膜的表面实质上平行且c轴与膜的表面实质上垂直的晶体；氧化物半导体膜具有稳定的导电性且相对于可见光、紫外线光等的照射更电稳定。通过将这种氧化物半导体膜用于晶体管，可以提供具有稳定的电特性的可靠性高的半导体装置。
氧化物半导体以及装置

[发明专利]用于结晶化半导体膜的方法和由该方法结晶化的半导体膜-CN200710138198.X有效
发明人： M·A·克劳德;A·T·沃特萨斯 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2007-07-31 - 公布日： 2008-03-19 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及用于结晶化半导体膜的方法和由该方法结晶化的半导体膜。提供了一种用于使用掩埋晶种1脉冲层间结晶化工艺结晶化半导体膜的方法。该方法在透明衬底上以该顺序形成具有结晶结构的第一半导体膜，具有暴露第一半导体膜顶表面的一部分的开口的绝缘体层，然后以该顺序形成具有非晶结构的第二半导体膜。激光退火第二半导体膜使得第二半导体膜完全熔化并且第一半导体膜局部熔化。使用未熔化的第一半导体膜作为晶种，结晶化第二半导体膜。
用于结晶半导体方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN00100943.5无效
发明人：张宏勇;鱼地秀贵;高山彻;山崎舜平;竹村保彦 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1994-02-15 - 公布日： 2004-05-19 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件的制造方法，它包括以下的步骤：使一种催化物质与一种含非晶态硅的半导体膜进行选择性部分接触，所述催化能够促进该半导体膜结晶化。对所述已带有催化物质的半导体膜进行退火，以使半导体膜结晶。以及，由半导体膜的顶表面对所述催化剂物质进行腐蚀，其中，该半导体膜基本上不受腐蚀步骤的作用。
半导体器件制造方法

[发明专利]可喷墨打印的有机半导体材料组合物-CN201710680201.4无效
发明人：李胜夏;高思敏;蓝河 -专利权人：上海幂方电子科技有限公司
申请日： 2017-11-10 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： C09D11/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种可用于喷墨打印的有机半导体材料组合物和有机场效应晶体管的半导体层及其制备方法，该有机半导材料组合物包含C8‑BTBT、聚合物添加剂和有机溶剂；且该组合物对环境污染小，可实现稳定喷墨，采用本发明组合物喷墨制备的半导体薄膜连续性好和结晶性强
喷墨打印有机半导体材料组合

[发明专利]一种半导体金属氧化物的原位合成方法-CN201310746845.0有效
发明人：邹德春;傅永平;彭鸣;于潇;蔡欣;简蓉 -专利权人：北京大学
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体金属氧化物的原位合成方法，包括：在基底上涂覆一层液态金属醇化物M(OR)_y或其溶液或TiCl4，置于空气中10秒以上，形成水解层；再将其置于高温热台上，在高于400℃温度下，在空气中煅烧2分钟以上，即得到半导体金属氧化物，其中，M代表金属元素，R代表烷基单元，OR代表醇根阴离子；再通过30‑60分钟的退火（退火温度400‑500℃），即可以得到结晶性良好的半导体氧化物相比于同体系的纳米颗粒材料，本发明制备的半导体金属氧化物结晶性更高，载流子迁移率更大。合成的材料非常有望在染料敏化太阳能电池、光解水制氢、光降解有机污染物及锂离子电池等领域得到广泛的应用。
一种半导体金属氧化物原位合成方法

[发明专利]粘着力增强的厚膜导体组合物-CN95119050.4无效
发明人： M·H·拉布兰治;B·J·施克林;B·E·泰勒 -专利权人：纳慕尔杜邦公司
申请日： 1995-12-06 - 公布日： 1996-08-21 - 主分类号： H01B1/22 文献下载
摘要：本发明涉及厚膜导体组合物，该组合物由于加入了长石家族的结晶性物质而增强了可焊性和对基底的粘着力。
粘着增强导体组合

[发明专利]氮化物半导体元件及其制造方法-CN200680038980.8无效
发明人：尺田幸男;园部雅之;伊藤范和 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2006-10-19 - 公布日： 2008-10-22 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种高特性的氮化物半导体元件，该氮化物半导体元件以Mg_xZn_1－xO(0≤x≤0.5)这样的氧化锌类化合物作为基板，在其上部生长的氮化物半导体层的结晶性良好，并且能够防止膜的脱落和裂纹的发生，漏电电流小。当在基板(1)上叠层氮化物半导体层而形成氮化物半导体元件时，基板(1)由Mg_xZn_1－xO(0≤x≤0.5)这样的氧化锌类化合物构成，在该基板(1)上相接设置有由Al_yGa_1－yN(0.05≤y≤0.2)构成的第一氮化物半导体层(2)，在该第一氮化物半导体层(2)上叠层有氮化物半导体层(3)～(5)，使得形成半导体元件
氮化物半导体元件及其制造方法

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