“小路博信”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果22个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201310357304.9有效
发明人：及川欣聪;小路博信;江口晋吾 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2009-05-25 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：为了提供降低起因于静电放电的特性劣化的半导体装置的简单的制造方法，在第一绝缘体和第二绝缘体之间密封具有半导体集成电路及天线的多个元件层；形成包括形成于第一绝缘体表面上的第一导电层、第一绝缘体、元件层、第二绝缘体、形成在第二绝缘体表面上的第二导电层而成的叠层结构；以及使第一绝缘体及第二绝缘体熔化，由此叠层结构被分割使得至少包括一个半导体集成电路及一个天线。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN201110431108.2有效
发明人：宫入秀和;小路博信;下村明久;比嘉荣二;森若智昭;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2007-07-27 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在第一衬底的一个表面上形成吸收光的层；在吸收光的层上提供第二衬底；与第一衬底的另一个表面相对地提供掩模；以及通过经由掩模对吸收光的层照射激光束，将吸收光的层的一部分转印到第二衬底。
半导体器件制造方法

[发明专利]显示装置的制造方法-CN201110140080.7有效
发明人：山崎舜平;小路博信;川俣郁子 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2007-07-04 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：显示装置的制造方法当形成导电层时，在要形成的图形的外侧(相当于图形的轮廓、端部)附着液态的包含导电性材料的组合物，以形成框状的第一导电层(或绝缘层)。附着液态的第二包含导电性材料的组合物，以填充框状的第一导电层的内侧空间，从而形成第二导电层。第一导电层及第二导电层接合而形成，并且形成第一导电层以包围第二导电层的周围，所以可以将第一导电层及第二导电层可以用作连续的一个导电层。
显示装置制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201110043999.4有效
发明人：丸山纯矢;神保安弘;小路博信;桑原秀明;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2007-04-28 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法，从衬底剥离通过比较低温(低于500℃)的步骤而制造的元件，并将其转置到柔性衬底(典型为塑料膜)上。在本发明中，使用常规的大型玻璃衬底用制造设备，在玻璃衬底上形成钼膜(Mo膜)并在其表面上形成氧化膜，并且在钼膜及其表面上通过比较低温(低于500℃)的步骤而制造的元件，然后从玻璃衬底剥离该元件，并将其转置到柔性衬底上。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200980120672.3有效
发明人：及川欣聪;小路博信;江口晋吾 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2009-05-25 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：为了提供降低起因于静电放电的特性劣化的半导体装置的简单的制造方法，在第一绝缘体和第二绝缘体之间密封具有半导体集成电路及天线的多个元件层；形成包括形成于第一绝缘体表面上的第一导电层、第一绝缘体、元件层、第二绝缘体、形成在第二绝缘体表面上的第二导电层而成的叠层结构；以及使第一绝缘体及第二绝缘体熔化，由此叠层结构被分割使得至少包括一个半导体集成电路及一个天线。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体器件-CN200980118810.4有效
发明人：山崎舜平;及川欣聪;小路博信;盐野入丰;加藤清;中田昌孝 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2009-05-18 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：一个目的是在实现厚度和尺寸减小时提供具有对外部应力和静电放电的耐受性的高可靠半导体器件。另一目的是防止在制造过程中由于外部应力或静电放电导致的缺陷形状或特性劣化以高成品率地制造半导体器件。设置彼此面对的第一绝缘体和第二绝缘体、设置于彼此面对的第一绝缘体和第二绝缘体之间的半导体集成电路和天线、设置于第一绝缘体的一个表面上的导电屏蔽体和设置于第二绝缘体的一个表面上的导电屏蔽体。设置于第一绝缘体的一个表面上的导电屏蔽体和设置于第二绝缘体的一个表面上的导电屏蔽体电连接。
半导体器件

[发明专利]制造绝缘体上硅衬底和半导体器件的方法-CN200880012749.0有效
发明人：神保安弘;小路博信;大沼英人;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2008-03-14 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明的一个目的是提供即使使用像玻璃衬底或塑料衬底那样的柔性衬底，也可以高产率地制造可以用在实际应用中的含有SOI层的SOI衬底的方法。并且，本发明的另一个目的是提供使用这样的SOI衬底高产率地制造薄半导体器件的方法。当将单晶半导体衬底与含有绝缘表面的柔性衬底结合和分离单晶半导体衬底以制造SOI衬底时，激活结合表面之一或两者，然后将含有绝缘表面的柔性衬底和单晶半导体衬底相互附接在一起。
制造绝缘体衬底半导体器件方法

[发明专利]液晶显示装置以及其制造方法-CN200910152136.3有效
发明人：及川欣聪;江口晋吾;增山光男;片庭正敏;小路博信;中田昌孝 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2009-07-09 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本发明提供具有柔性并且即使受到来自外部的压力也不容易损坏的可靠性高的液晶显示装置。另外，还提供以高成品率制造具有柔性并且即使受到来自外部的压力也不容易损坏的可靠性高的液晶显示装置的方法。一种液晶显示装置，包括：包括第一纤维体和第一有机树脂的第一结构体；包括第二纤维体和第二有机树脂的第二结构体；夹持在所述第一及所述第二结构体之间的液晶；使所述第一及所述第二结构体固定，并且密封所述液晶的密封剂。所述第一及所述第二纤维体分别浸渗有所述第一及所述第二有机树脂，并且所述第一及所述第二结构体彼此接触。
液晶显示装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200710146856.X有效
发明人：宫入秀和;田中幸一郎;小路博信;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2007-08-24 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供不使用光掩模和抗蚀剂而以简单的工序精确地进行薄膜加工的方法。而且，本发明提供以低成本制造半导体器件的方法。在衬底上形成第一层；在第一层上形成光吸收层；在光吸收层上形成具有透光性的层；从具有透光性的层一侧向光吸收层选择性地照射激光束。由于光吸收层吸收激光束的能量，通过光吸收层中的气体释放、光吸收层的升华或蒸发等，来去除光吸收层的一部分和与光吸收层接触的具有透光性的层的一部分。通过将残留了的具有透光性的层或光吸收层用作掩模蚀刻第一层，可以在所希望的区域中以所希望的形状对第一层进行加工，而不使用常规的光蚀刻技术。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200710138353.8无效
发明人：宫入秀和;小路博信;下村明久;比嘉荣二;森若智昭;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2007-07-27 - 公布日： 2008-02-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在第一衬底的一个表面上形成吸收光的层；在吸收光的层上提供第二衬底；与第一衬底的另一个表面相对地提供掩模；以及通过经由掩模对吸收光的层照射激光束，将吸收光的层的一部分转印到第二衬底。
半导体器件制造方法

[发明专利]显示器件的制造方法-CN200710137128.2有效
发明人：山崎舜平;田中幸一郎;小路博信;荒井康行 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2007-07-30 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明的目的在于提高材料的利用效率并且提供一种通过简化了的工序可以制造的显示器件及其制造技术。形成光吸收层，在光吸收层上形成绝缘层，对光吸收层及绝缘层选择性地照射激光，去除光吸收层的照射区及绝缘层的照射区以在光吸收层及绝缘层中形成开口，并且在开口中与光吸收层接触地形成导电膜。通过将导电膜与露出了的光吸收层接触地形成在开口中，光吸收层及导电膜其中间夹着绝缘层可以彼此电连接。
显示器件制造方法

[发明专利]显示器件的制造方法-CN200710137129.7有效
发明人：山崎舜平;田中幸一郎;小路博信;大石洋正 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2007-07-30 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明的目的在于提高材料的利用效率并且提供一种通过简化了的工序可以制造的显示器件及其制造技术。形成光吸收层，在光吸收层上形成绝缘层，对光吸收层及绝缘层选择性地照射激光，去除绝缘层的照射区以在绝缘层中形成开口，并且在开口中与光吸收层接触地形成导电膜。通过将导电膜与露出了的光吸收层接触地形成在开口中，光吸收层及导电膜其中间夹着绝缘层可以彼此电连接。
显示器件制造方法

[发明专利]显示装置的制造方法-CN200710127144.3有效
发明人：山崎舜平;小路博信;川俣郁子 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2007-07-04 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： H01L21/288 文献下载
摘要：当形成导电层时，在要形成的图形的外侧(相当于图形的轮廓、端部)附着液态的包含导电性材料的组合物，以形成框状的第一导电层(或绝缘层)。附着液态的第二包含导电性材料的组合物，以填充框状的第一导电层的内侧空间，从而形成第二导电层。第一导电层及第二导电层接合而形成，并且形成第一导电层以包围第二导电层的周围，所以可以将第一导电层及第二导电层可以用作连续的一个导电层。
显示装置制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200710100936.1有效
发明人：丸山纯矢;神保安弘;小路博信;桑原秀明;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2007-04-28 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供如下技术方案：从衬底剥离通过比较低温(低于500℃)的步骤而制造的元件，并将其转置到柔性衬底(典型为塑料膜)上。在本发明中，使用常规的大型玻璃衬底用制造设备，在玻璃衬底上形成钼膜(Mo膜)并在其表面上形成氧化膜，并且在钼膜及其表面上通过比较低温(低于500℃)的步骤而制造的元件，然后从玻璃衬底剥离该元件，并将其转置到柔性衬底上。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体器件、电视机及其制造方法-CN200580003172.3有效
发明人：山崎舜平;小路博信;荒井康行 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2005-01-24 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的目的是提供用于以容易的工艺制造具有膜图案如绝缘膜、半导体膜或导电膜的衬底的方法，且进一步地，提供具有高生产量或者以低成本生产的半导体器件和电视机及其制造方法。本发明的一个特征在于通过微滴泄放方法形成第一膜图案，将光敏材料泄放或涂敷到第一膜图案上，通过用激光束照射第一膜图案和光敏材料交叠的区域并通过显影来形成掩模图案，和通过使用掩模图案作为掩模蚀刻第一膜图案来形成具有希望形状的第二膜图案。
半导体器件电视机及其制造方法

1
2
下一页»
尾页
共 22 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top