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[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法以及使用该薄膜晶体管的显示装置-CN200910137529.7无效
发明人：吉村裕介 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2009-04-28 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：该薄膜晶体管包括：栅极电极；隔着栅极绝缘膜而形成于所述栅极电极上的结晶化半导体层；以及分别隔着与所述结晶化半导体层相接触的杂质掺杂层而分别设置在所述结晶化半导体层的两端侧上的漏极电极和源极电极。所述结晶化半导体层中的漏极侧长度小于所述结晶化半导体层中的源极侧长度，漏极电极侧的所述杂质掺杂层与所述结晶化半导体层相接触的漏极侧接触长度小于源极电极侧的所述杂质掺杂层与所述结晶化半导体层相接触的源极侧接触长度因此，可以降低在源极侧的栅极电极端中的沟道区域结晶性劣化的影响，并可以抑制晶体管特性的不均。
薄膜晶体管及其制造方法以及使用显示装置

[发明专利]粘性分散液及其制造方法、以及多孔半导体电极基板和色素增感型太阳能电池-CN201580034259.0有效
发明人：木暮英雄;青山孝介;岸本伸三;池上和志 -专利权人：日本瑞翁株式会社
申请日： 2015-07-06 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： C01G23/047 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种对于采用低温成膜法形成半导体多孔膜(多孔半导体层)有用的粘性分散液。本发明的粘性分散液是以水作为分散介质的粘性分散液，包含二氧化钛纳米粒子，固体成分浓度为30～60质量％，二氧化钛纳米粒子包含平均粒径10nm以上且100nm以下的锐钛矿型结晶性二氧化钛纳米粒子和平均粒径5nm以上且15nm以下的板钛矿型结晶性二氧化钛纳米粒子，25℃时的粘度为10Pa·s以上且500Pa·s以下。
粘性分散及其制造方法以及多孔半导体电极色素增感型太阳能电池

[发明专利]半导体装置、该半导体装置的制造方法以及包括该半导体装置的显示装置-CN201780014556.8有效
发明人：山崎舜平;肥塚纯一;冈崎健一;中泽安孝 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2017-02-27 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提高包括氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及可靠性。本发明的一个实施方式是一种包括栅电极、栅电极上的绝缘膜、绝缘膜上的氧化物半导体膜以及氧化物半导体膜上的一对电极的半导体装置。氧化物半导体膜包括第一氧化物半导体膜、第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜以及第二氧化物半导体膜上的第三氧化物半导体膜。第一氧化物半导体膜、第二氧化物半导体膜及第三氧化物半导体膜包括相同的元素。第二氧化物半导体膜包括其结晶性比第一氧化物半导体膜和第三氧化物半导体膜中的一方或双方低的区域。
半导体装置制造方法以及包括显示装置

[发明专利]遮光型水溶性树脂组合物-CN200810110107.6有效
发明人：吕泰勋;金柄郁;尹赫敏;丘冀赫;尹柱豹;李浩真;郑大众 -专利权人：东进世美肯株式会社
申请日： 2008-06-10 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： C08L101/14 文献下载
摘要：本发明提供遮光型水溶性树脂组合物，其可以有效用作位于有机半导体膜和层间绝缘膜之间的遮光性保护膜，该遮光性保护膜用于防止有机电气元件的有机半导体膜在以与层间绝缘膜相接触的形式来形成的情况下结晶性降低的问题，以及防止对层间绝缘膜照射光时发生光氧化的问题。本发明涉及遮光型水溶性树脂组合物，特别是涉及其特征为含有a)水溶性树脂、b)水溶性染料化合物、c)溶剂的用于有机半导体保护膜的遮光型水溶性树脂组合物。
遮光水溶性树脂组合

[发明专利]半导体装置以及包括半导体装置的半导体系统-CN201710922465.6在审
发明人：织田真也;德田梨绘;神原仁志;河原克明;人罗俊实 -专利权人：流慧株式会社
申请日： 2017-09-30 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：在本发明主题的第一方面，半导体装置包括包括含有镓的结晶性氧化物半导体的半导体层；以及位于半导体层上的肖特基电极。半导体层包括3mm2或以下的表面积。
半导体装置以及包括系统

[发明专利]结晶性氧化物膜-CN201980043074.4在审
发明人：高桥勋;四户孝 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明提供一种具有刚玉结构的外延膜，其具有优异的对于减少了由于小面生长引起的位移等缺陷的半导体装置等有用的晶体品质。一种结晶性氧化物膜，包括刚玉结构的横向生长区域，所述横向生长区域实质上不包含小面生长区域，晶体生长方向为c轴或大致c轴方向，并包括在c轴或大致c轴方向上延伸的位移线，晶体生长已在c轴或大致c轴方向上扩展的结晶性氧化物彼此相互接合
结晶氧化物

[发明专利]半导体基板的制造方法、SOI晶圆的制造方法及SOI晶圆-CN202110442064.7在审
发明人：曲伟峰;井川静男;砂川健 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种可在单晶硅基板上形成低缺陷、高结晶性、厚膜的SiC单晶膜的半导体基板的制造方法。所述半导体基板的制造方法为表面具有SiC单晶膜的半导体基板的制造方法，其包括：使碳附着于单晶硅基板的表面的工序；使附着了所述碳的所述单晶硅基板的表面碳化而形成SiC单晶底层膜的工序；在所述SiC单晶底层膜上形成非晶硅膜的工序；以所述SiC单晶底层膜为晶种，通过固相生长将所述非晶硅膜制成SiC单晶膜的工序。
半导体制造方法 soi 晶圆

[发明专利]太阳能电池单元及太阳能电池单元的制造方法-CN201880015651.4有效
发明人：矢野步;瀬能未奈都;难波伸 -专利权人：松下控股株式会社
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：太阳能电池单元(10)包括：第1导电型的结晶性半导体的基板(20)；被设于基板(20)的一主表面的第1区域(W1)上的第1半导体层(21)；被设于一主表面的与第1区域(W1)不同的第2区域(W2)上的第2半导体层(22)；被设于第1半导体层(21)上的第1透明电极层(23)；以及被设于第2半导体层(22)上的第2透明电极层(24)。第1半导体层(21)包含第1导电型的第1非晶态半导体层(31)和从一主表面向第1透明电极层(23)延伸的第1结晶性半导体部(35)。第2半导体层(22)包含与第1导电型不同的第2导电型的第2非晶态半导体层(32)。
太阳能电池单元制造方法

[发明专利]层叠结构体和半导体装置-CN202080069177.0在审
发明人：大岛孝仁;鸟山达矢 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：提供一种层叠结构体，其对半导体装置有用，具有面积大、膜厚分布良好且膜厚为30μm以下的结晶膜，并且散热性优异。所述层叠结构体通过在支撑体上直接或隔着其他层层叠结晶膜而成，所述结晶膜包含结晶性金属氧化物作为主成分，所述支撑体在室温下具有100W/m·K以上的导热率，所述结晶膜具有刚玉结构，而且，所述结晶膜的膜厚为1μm～30μm，所述结晶膜的面积为15cm2以上，所述面积中的所述膜厚的分布在±10％以下的范围内。
层叠结构半导体装置

[发明专利]薄膜半导体装置的制造方法-CN200710186006.2无效
发明人：国井正文 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2007-11-09 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜半导体装置的制造方法，即使在低的基板温度下也能维持成膜速度而把结晶性硅薄膜在基板上成膜，这样把结晶性硅薄膜直接向基板上成膜在生产上实用化，而且谋求通过使用该硅薄膜而高性能化。利用把以Si_nH_2n+2(n＝1、2、3、…)表示的硅烷类气体和卤化锗气体作为原料气体而使用的等离子CVD法，把包含结晶结构的硅薄膜在基板上进行成膜的工序。作为原料气体还通过使用掺杂剂气体而把含有被活性化了的掺杂剂的硅薄膜进行成膜。
薄膜半导体装置制造方法

[发明专利]半导体发光元件、图像显示装置及照明装置及其制造方法-CN02803154.7无效
发明人：大畑丰治 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2002-09-25 - 公布日： 2004-02-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提供通过在倾斜结晶面的中腹部形成电极、使从该元件的下侧的光取出面取出光的效率得到提高的半导体发光元件及其制造方法。此外，可使发生的光高效地全反射，同时，形成电极的倾斜结晶面的中腹部比之倾斜结晶面的其他区域结晶性更好，因此，可仅在结晶性良好的区域注入电流，光取出效率与发光效率可同时提高，从而形成对输入电流光取出效率高的半导体发光元件此外，按照对本发明的半导体发光元件配列构成的图像显示装置、照明装置及其制造方法，对输入电流具有高发光效率的发光元件被配置于装置基板，可减低流入各元件的电流的密度，同时，可提供能显示高品质图像的图像显示装置及亮度强的照明装置
半导体发光元件图像显示装置照明装置及其制造方法

[发明专利]掺氮II-VI族化合物半导体的成膜方法-CN95190541.4无效
发明人：伊藤哲;谷口理;池田昌夫;奥山浩之;本弘范;长井政春;玉村好司 -专利权人：索尼公司
申请日： 1995-04-28 - 公布日： 1997-10-01 - 主分类号： H01L21/363 文献下载
摘要：在基片上，形成由II族元素中之至少一种元素与VI族元素中之至少一种元素构成的II-VI族化合物半导体膜之际，借助于带电粒子排除装置除去等离子中的带电粒子之同时，将激发态氮等离子照射到上述基片上，完成掺氮的II-VI族化合物半导体的成膜，提高了激活率，提高了结晶性。
掺氮 ii vi 化合物半导体方法

[发明专利]半导体器件及其生产方法-CN201510087457.5在审
发明人：大鹿嘉和;松浦哲也 -专利权人：同和电子科技有限公司
申请日： 2011-03-01 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件及其生产方法。提供一种半导体元件，作为有效地使用缓冲区以将改进的结晶性和平坦性赋予功能层压体的结果，所述半导体元件具有改进的功能层压体的平坦性和结晶性。还提供一种半导体元件的生产方法。所述半导体元件通过在基板上形成缓冲区和包括多层氮化物半导体层的功能层压体而获得。所述功能层压体在缓冲区侧具有n型或i型第一AlxGa1-xN层(0≤x＜1)。
半导体器件及其生产方法

[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN200610091231.3无效
发明人：加藤树理;冈秀明;金本启;原寿树;酒井彻志 -专利权人：精工爱普生株式会社;国立大学法人东京工业大学
申请日： 2006-06-07 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置在单晶半导体基板(11)上形成埋入氧化膜(12)，在埋入氧化膜(12)上形成有构成背栅电极的第1单晶半导体层(13)。并且，第1单晶半导体层(13)上形成埋入氧化膜(14)，在埋入氧化膜(14)上，堆积被台面隔离的第2单晶半导体层(15a、15b)，使第2单晶半导体层(15a、15b)的膜厚比第1单晶半导体层13的膜厚更厚，并且在第2单晶半导体层(15a、15b)上形成SOI晶体管。这样，能够抑制形成场效应晶体管的半导体层的结晶性能下降，并且在形成场效应晶体管的半导体层下面，配置低电阻化的背栅电极。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]半导体装置及采用其的显示装置-CN03811609.X有效
发明人：吉冈宏人;藤田达也;越智久雄;杉原利典;原猛;川崎雅司;大野英男 -专利权人：夏普株式会社;川崎雅司;大野英男
申请日： 2003-03-26 - 公布日： 2005-08-17 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：在逆参差型的MOSFET(1)中，用无定形的氧化铝形成相对于由氧化锌构成的作为上述半导体层的沟道层(5)的栅绝缘层(4)。通过形成如此的结构，在沟道层(5)和栅绝缘层(4)的界面的缺陷能级被降低，能够得到与用结晶性叠层膜制作全部叠层膜的半导体装置同等水平的性能。另外，如此的方法，也能够用于顺参差型的MOSFET等，通用性也高。
半导体装置采用显示装置