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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN00100944.3无效
发明人：张宏勇;鱼地秀贵;高山彻;山崎舜平;竹村保彦 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1994-02-15 - 公布日： 2004-07-07 - 主分类号： H01L29/02 文献下载
摘要：本发明提供的半导体器件包括，有绝缘表面的基片、以及半导体膜，它包括绝缘表面上形成的结晶硅，半导体膜中含有促进结晶的金属，其浓度不大于1原子％。该半导体器件的制法包括：在基片的一绝缘表面上形成含非晶态硅的半导体膜；选择地形成含一种金属的层，它与半导体膜的第一部分接触；对它们进行加热，使半导体膜由第一部分至第二部分结晶，金属则通过半导体膜扩散。将半导体膜的至少第一和第二部分隔离开。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体基板、半导体基板的制造方法及电子装置-CN200980105610.5无效
发明人：秦雅彦;高田朋幸 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2009-02-27 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体基板，其提高化合物半导体装置的转换速度等性能。半导体基板包括：硅基板；形成于硅基板上且具有抵达硅基板的开口部的绝缘膜；形成于开口部的Ge结晶；以Ge结晶为核进行成长而成、且形成为比绝缘膜的表面更凸出的化合物半导体结晶；以及以化合物半导体结晶为晶种面，在绝缘膜上进行横向成长而成的横向成长化合物半导体层。
半导体制造方法电子装置

[发明专利]掺杂的共轭高分子组合物、薄膜及其制备方法和应用-CN202310041044.8在审
发明人：章晨;李选;汪太民 -专利权人：深圳职业技术学院
申请日： 2023-01-12 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C08L65/00 文献下载
摘要：通过溶液沉积将聚合物半导体容易且一致地加工成具有高结晶度的半导体薄膜。促进聚合物半导体结晶性和避免溶液制造困难的潜在方法是利用聚合物溶液而不是仅仅溶剂来介导聚合物半导体结晶。这种掺入另一种聚合物以产生更稳定的溶液，这种聚合物溶液为半导体分子提供了一种流体介质，使其在聚合物/溶剂基质中自组装并组织到更高的分子有序度和相分离，载流子迁移率和拉伸性能得到提高。
掺杂共轭高分子组合薄膜及其制备方法应用

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN01125338.X有效
发明人：田中幸一郎;中嶋节男 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2001-12-21 - 公布日： 2002-08-07 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：在与常规装置相比具有低运行成本的激光照射装置和使用这种装置的激光照射方法中,形成具有等于或大于常规粒径的粒径的晶粒的结晶半导体膜,并利用结晶半导体膜制造TFT,因而实现了能高速操作TFT。在来自作为光源的固体激光器的短输出时间的激光光束照射到半导体膜上的情况下,另一激光光束延迟于一个激光光束,并且激光光束合成以便照射到半导体膜上,因而半导体膜的冷却速度缓慢,并且可以形成具有等于或大于具有长输出时间的激光光束照射到半导体膜上的情况下的粒径大的粒径的晶粒的结晶半导体膜通过用结晶半导体膜制造TFT,可实现能高速操作的TFT。
半导体器件制造方法

[发明专利]氮化物半导体装置的制造方法-CN200910204779.8有效
发明人：大野彰仁;竹见政义 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2009-09-24 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明制造具有p型氮化物半导体层的氮化物半导体装置，所述p型氮化物半导体层的结晶性良好、电阻率足够低、且Mg的掺杂效率大于0.3％。使用有机金属化合物作为III族原料、使用氨和肼衍生物作为V族原料、以及使用Mg原料气体作为p型杂质原料，在GaN基板(10)(基板)上形成p型GaN层(12)(p型氮化物半导体层)。
氮化物半导体装置制造方法

[发明专利]制造Ⅲ－V族化合物半导体的方法-CN03108535.0无效
发明人：平松和政;三宅秀人;坊山晋也;前田尚良;家近泰 -专利权人：住友化学工业株式会社
申请日： 2003-03-26 - 公布日： 2003-10-08 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：当形成III－V族氮化物半导体的晶体层时，首先在衬底上覆盖氮化物半导体层以便形成基底层，并且通过氢化物气相外延在不低于800Torr的淀积压力下在该基底层上外延生长由通式InxGayAlzN(其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，x+y+z＝1)表示的III－V族氮化物半导体。通过使淀积压力不低于800Torr，可以显著地提高III－V族氮化物半导体的结晶性并降低它的缺陷密度。
制造化合物半导体方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200610073760.0有效
发明人：田中幸一郎;中嶋节男 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2001-12-21 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件的制造方法。在与常规装置相比具有低运行成本的激光照射装置和使用这种装置的激光照射方法中，形成具有等于或大于常规粒径的粒径的晶粒的结晶半导体膜，并利用结晶半导体膜制造TFT，因而实现了能高速操作TFT。在来自作为光源的固体激光器的短输出时间的激光光束照射到半导体膜上的情况下，另一激光光束延迟于一个激光光束，并且激光光束合成以便照射到半导体膜上，因而半导体膜的冷却速度缓慢，并且可以形成具有等于或大于具有长输出时间的激光光束照射到半导体膜上的情况下的粒径大的粒径的晶粒的结晶半导体膜通过用结晶半导体膜制造TFT，可实现能高速操作的TFT。
半导体器件制造方法

[发明专利]导电性膜及其制造方法-CN201780038948.8在审
发明人：村上俊秀 -专利权人：日本瑞翁株式会社
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： B32B27/32 文献下载
摘要：一种导电性膜，为具有基材膜和设置在上述基材膜上的有机导电层的导电性膜，上述基材膜由树脂形成，上述树脂包含具有结晶性的含有脂环式结构的聚合物，上述基材膜的厚度为5μm以上且50μm以下，上述具有结晶性的含有脂环式结构的聚合物的晶化度为上述具有结晶性的含有脂环式结构的聚合物优选为双环戊二烯的开环聚合物的加氢物。
基材膜脂环式结构导电性膜结晶性聚合物树脂聚合物优选开环聚合物双环戊二烯有机导电层加氢物晶化度制造

[发明专利]聚酯层合膜及转印箔-CN200680041597.8有效
发明人：药师堂健一;桥本幸吉;木村将弘 -专利权人：东丽株式会社
申请日： 2006-11-08 - 公布日： 2008-11-12 - 主分类号： B32B27/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种聚酯层合膜，至少按聚酯层、由结晶性参数ΔTcg为35℃以下的高结晶性聚酯形成的高结晶性聚酯层、及脱模层的顺序层合，在室温23℃湿度65％气氛中脱模层的表面与水的接触角为85°以上。本发明提供同时满足脱模性、印刷性及成型性、且性价比优异的成型用聚酯层合膜。
聚酯层合膜转印箔

[发明专利]显示装置以及显示装置的制造方法-CN202080101372.7在审
发明人：青木智久;蜂谷笃史;齐藤裕一;古川博章 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G09G3/3208 文献下载
摘要：一种具备像素电路(PC)的显示装置(10)，在像素电路中形成有包括结晶性硅半导体膜(SC)的第一结构的驱动晶体管(T4)和电容元件(Cp)，电容元件包括与驱动晶体管的第一栅极(15a)电连接的第一电容电极(17a)、与第一电容电极相对的第二电容电极(19a)、以及配置在第一电容电极与第二电容电极之间的介电膜(18a)，介电膜(18a)形成在与第一层间绝缘膜(16)和第二层间绝缘膜(20)不同的层。
显示装置以及制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201180043987.X有效
发明人：山崎舜平;野中裕介;井上卓之;津吹将志;秋元健吾;宫永昭治 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2011-09-05 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一目的在于制造包括氧化物半导体膜的半导体装置，其具有稳定电气特性及高可靠性。以如下方法形成结晶氧化物半导体膜而不用进行多个步骤：通过利用包括在氧化物半导体靶材中的多种原子的原子量的差异，在氧化物绝缘膜上优先淀积具有低原子量的锌以形成包含锌的种晶；并且在进行晶体生长的同时淀积具有高原子量的锡此外，通过使用包含锌的具有六角形晶体结构的种晶作为核来进行晶体生长以形成结晶氧化物半导体膜，从而形成单晶氧化物半导体膜或实质上单晶氧化物半导体膜。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN02105132.1有效
发明人：山崎舜平;三津木亨;高野圭惠 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2002-02-22 - 公布日： 2002-10-02 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：提供了一种执行激光辐照的方法作为使半导体膜结晶的方法。但若激光被辐照到半导体膜,则半导体膜同时被熔化并局部膨胀。衬底与半导体膜之间的温度梯度是陡峭的,在半导体膜中可能出现畸变。这样,在某些情况下,得到的结晶半导体膜的薄膜质量就会降低。利用本发明,借助于在用激光执行半导体膜的晶化之后,用热处理工艺对半导体膜进行加热,降低了半导体膜的畸变。比之激光辐照造成的局部加热,此热处理工艺在整个衬底和半导体膜上进行。因此,有可能降低形成在半导体膜中的畸变,从而提高半导体膜的物理性质。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200710006745.9有效
发明人：山崎舜平;三津木亨;高野圭惠 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2002-02-22 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供了一种执行激光辐照的方法作为使半导体膜结晶的方法。但若激光被辐照到半导体膜，则半导体膜同时被熔化并局部膨胀。衬底与半导体膜之间的温度梯度是陡峭的，在半导体膜中可能出现畸变。这样，在某些情况下，得到的结晶半导体膜的薄膜质量就会降低。利用本发明，借助于在用激光执行半导体膜的晶化之后，用热处理工艺对半导体膜进行加热，降低了半导体膜的畸变。比之激光辐照造成的局部加热，此热处理工艺在整个衬底和半导体膜上进行。因此，有可能降低形成在半导体膜中的畸变，从而提高半导体膜的物理性质。
半导体器件制造方法

[发明专利]树脂材料及树脂膜-CN201480064195.4有效
发明人：宫泽慎介 -专利权人：日本瑞翁株式会社
申请日： 2014-12-19 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： C08G61/08 文献下载
摘要：本发明为一种树脂材料、由该树脂材料形成的膜及将金属薄膜层合于该膜的层合膜，所述树脂材料为以[(结晶性含极性基团二环戊二烯开环聚合物加氢物)∶(结晶性非极性二环戊二烯开环聚合物加氢物)的重量比为100∶0～1∶99的比例包含结晶性含极性基团二环戊二烯开环聚合物加氢物及结晶性非极性二环戊二烯开环聚合物加氢物的树脂组合物，所述结晶性含极性基团二环戊二烯开环聚合物加氢物是将结晶性非极性二环戊二烯开环聚合物加氢物、自由基引发剂及具有烯属不饱和键的含极性基团化合物进行熔融混炼而得，其中，来源于所述具有烯属不饱和键的含极性基团化合物的结构单元量相对于100重量份的所述结晶性含极性基团二环戊二烯开环聚合物加氢物和结晶性非极性二环戊二烯开环聚合物加氢物的合计
二环戊二烯开环聚合物加氢物极性基团结晶性非树脂材料结晶性极性基团化合物烯属不饱和键重量份自由基引发剂金属薄膜层树脂组合物熔融混炼层合膜树脂膜重量比

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201210158073.4有效
发明人：肥塚纯一;佐藤裕平;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-05-18 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造半导体器件的方法。向包括氧化物半导体膜的半导体器件提供稳定的电学特性和高可靠性。在制造包括氧化物半导体膜的晶体管的过程中，形成无定形氧化物半导体膜，向所述无定形氧化物半导体膜加入氧，这样形成含过量氧的无定形氧化物半导体膜。然后，在所述无定形氧化物半导体膜上形成氧化铝膜，在其上进行热处理，以使至少部分无定形氧化物半导体膜结晶，这样形成晶体氧化物半导体膜。
制造半导体器件方法