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[发明专利]电子部件收纳用封装、电子装置以及电子模块-CN201880043502.9在审
发明人：福重元气;泽田惠佑 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：电子部件收纳用封装包含：具有电子部件的搭载部的基部；位于基部上、从基部突出的突出部；在基部上位于包围搭载部的位置的框部；位于框部上的框状金属化层；位于与搭载部在厚度方向上面对面的一侧的位置的多个外部连接导体；位于突出部上、连接电子部件的连接导体；和与连接导体连接、被导出到基部的布线导体，连接导体的厚度从与布线导体面对面的一侧到布线导体侧厚度逐渐变大。
电子部件收纳封装装置以及模块

[发明专利]具有侧面I/O的增强型I/O半导体芯片封装和冷却组装件-CN202210397535.1在审
发明人：杜连昌;J·L·斯莫利;S·奈卡恩蒂;E·W·巴德里乌斯;Y·曾;张新军;M·印;张志超;C·张;Y·范;周明理;G·迎;Y·任;C·J·赵;卢俊;K·王;T·G·汉娜;V·K·波杜;M·A·施密瑟尔;L·冯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：描述了一种半导体芯片封装。半导体芯片封装具有基板。基板在基板的附加表面区域上具有侧面I/O。侧面I/O耦合到半导体芯片封装内的半导体芯片的I/O。还描述了一种冷却组装件。冷却组装件具有用于引导电缆以连接到半导体芯片侧面I/O的通道，该侧面I/O位于冷却模块的底座和电子电路板之间，该电子电路板位于垫板和背板之间，并且该电子电路板通过其中插入半导体芯片封装的插口耦合到半导体芯片的第二
具有侧面增强半导体芯片封装冷却组装

[发明专利]半导体装置、半导体装置制造方法、集成基板和电子设备-CN201780018848.9有效
发明人：山本雄一 -专利权人：索尼公司
申请日： 2017-03-17 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L23/02 文献下载
摘要：本发明涉及能够提高半导体装置的耐湿性的半导体装置、半导体装置的制造方法、集成基板和电子设备。本发明的半导体装置设置有半导体芯片和保护部件，该保护部件是具有耐湿性的透明构件，且该保护部件覆盖与半导体芯片的侧面垂直的第一表面和与第一表面相反的第二表面中的至少一者和侧面。本发明的电子设备设置有半导体装置和信号处理单元。例如，本发明能够应用于成像元件以及具有成像元件的电子设备。
半导体装置制造方法集成电子设备

[发明专利]光电子半导体组件-CN201180034889.X有效
发明人： M.施奈德;D.拉茨;J.拉姆切恩 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2011-06-16 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：在光电子半导体组件（1）的至少一个实施方式中，该光电子半导体组件（1）包含具有载体上侧（20）的载体（2）。在该载体上侧（20）处装配至少一个光电子半导体芯片（3）。该半导体芯片（3）包括具有至少一个用于产生电磁辐射的活性层的半导体层序列（32）以及辐射能透过的衬底（34）。此外，半导体组件（1）包括反射性浇铸材料（4），该浇铸材料从载体上侧（20）出发在横向方向上环绕地围绕半导体芯片（3）至少直至衬底（34）的一半高。
光电子半导体组件

[发明专利]氮化物半导体发光元件及其制作方法-CN202180003207.2在审
发明人：王瑜;史志结;常安;师修磊;李政鸿;林兓兓 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明属于半导体领域，尤其涉及氮化物半导体发光元件及其制作方法，其中氮化物半导体发光元件包括N型半导体层；P型半导体层；有源层，所述有源层位于所述N型半导体层和P型半导体层之间；盖层，所述盖层位于有源层和P型半导体层之间；空穴注入层，所述空穴注入层位于所述盖层和P型半导体层之间；电子阻挡层，所述电子阻挡层位于所述空穴注入层和P型半导体层之间；其特征在于：所述空穴注入层包括第一含铝层、第二含铝层以及第三含铝层本发明在空穴注入层内插入高铝含量的第二含铝层，可以阻挡电子溢流以及改善电子阻挡层的极化电场。
氮化物半导体发光元件及其制作方法

[发明专利]线路板及其制造方法-CN200910179603.1有效
发明人：清水敬介;川村洋一郎 -专利权人：揖斐电株式会社
申请日： 2009-09-29 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： H05K1/18 文献下载
摘要：线路板具备导体图案(110)、具有电极(210)的电子部件以及基板。在此，电子部件被配置在基板内部。另外，电子部件的电极通过通路孔(201a)与导体图案(110)相连接。并且，该电子部件的电极的厚度比导体图案(110)的厚度薄。更优选为电子部件的电极的厚度在导体图案(110)的厚度的1/2以下。
线路板及其制造方法

[发明专利]电子装置及其电子封装-CN201510755430.9有效
发明人：林孝义;李嘉炎;蔡欣昌 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2015-11-09 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子装置及其电子封装，电子封装包括一基板以及一半导体芯片。基板具有多个基板电极。半导体芯片设于该基板之上，其中，该半导体芯片包括多个芯片电极，各自电性连接该基板的多个所述基板电极。本发明的电子封装，芯片电极充分接触基板电极。该半导体芯片的热量被传导至该基板，沿一散热路径而传导，且该散热的主要路径为一直线。因此散热路径被简化，且电子封装的散热效率被改善。
电子装置及其封装

[发明专利]电子元件安装用基板、电子装置以及电子模块-CN201810511674.6有效
发明人：岩元大树 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本发明提供一种电子元件安装用基板、电子装置以及电子模块。电子元件安装用基板具有由上下被层叠的多个层构成并安装电子元件的基板。基板具有位于多个层之间的多个导体层。基板具有连续地位于多个层的侧面的凹部。基板的凹部具有位于凹部内并且覆盖凹部中的至少1个导体层的端部的电极。导体层与电极含有不同的金属材料。导体层的外缘在俯视下位于比基板的外缘更靠内侧的位置。
电子元件安装用基板电子装置以及模块

[发明专利]具有半导体器件的电子电路的异质结构-CN201910626636.X在审
发明人：斯特范·施穆尔特;安德诺·瓦霍维亚克;亚历山大·鲁夫 -专利权人：纳姆实验有限责任公司;德累斯顿工业技术大学
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：根据所提出的目的，本发明由一种电子电路构成，其具有半导体器件，该半导体器件包含异质结构，并且该异质结构包含具有化合物半导体的第一层，具有化合物半导体的第二层邻接于第一层，以便构成用于二维电子气(2DEG)的沟道，使得其中二维电子气不存在。因此，本发明特别涉及一种电子电路，其具有半导体器件，该半导体器件包含III‑V异质结构并且III‑V异质结构包含第一层，该第一层包含GaN并且邻接于第二层，以便构成用于二维电子气(2DEG)的沟道，并且第一层的纯度使得二维电子气不存在因此，对于前述电子电路来说有利的是，该电子电路被如下地封闭，即：运行中波长小于400nm的光不能到达III‑V异质结构并且该波长能够生成自由载流子。
异质结构第一层半导体器件二维电子气电子电路化合物半导体邻接波长沟道自由载流子封闭

[发明专利]封装结构和其制作方法-CN201310552017.3有效
发明人：李嘉炎;蔡欣昌;李芃昕 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2013-11-08 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明公开了一种封装结构和其制作方法，封装结构包括：一第一半导体元件，包括一第一半导体基底和一第一电子元件，第一半导体元件具有一第一侧和相对第一侧的第二侧，其中至少部分第一电子元件邻近第一侧，且其中第一半导体元件具有一通孔，穿过第一半导体元件，其中通孔具有一第一开口，邻近第一侧；一内连线结构，设置于第一半导体元件中，其中内连线结构包括：一导孔结构，设置于通孔中，且导孔结构不超过第一开口；一第一金属垫，设置于第一半导体元件的第一侧上，且覆盖通孔，其中第一金属垫邻接导孔结构，且电性连接第一电子元件；及一第二半导体元件，与第一半导体元件垂直整合，其中第二半导体元件包括一第二电子元件，电性连接第一电子元件。
封装结构制作方法

[发明专利]电子器件及其制造方法-CN202210076778.5在审
发明人：梶真志 -专利权人：东京COSMOS电机株式会社
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H05B3/02 文献下载
摘要：本公开提供电子器件及其制造方法，该电子器件及其制造方法实现导体的断线防止并实现高通用性。该电子器件是具有第一部件和线状的导体，所述导体设置于所述第一部件，在所述导体中的实施弯曲加工或冲压加工的部分，设置有比其他部分更粗的粗线部。
电子器件及其制造方法

[发明专利]一种固体氧化物燃料电池阴极及应用-CN201611019689.8有效
发明人：赵哲;程谟杰;黄志东 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2016-11-21 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01M4/86 文献下载
摘要：本发明公开了一种固体氧化物燃料电池阴极，其特征在于所述阴极由氧离子导体骨架，纳米电子导体和纳米氧还原催化剂组成，其中，电子导体和氧还原催化剂均匀地包覆在氧离子导体骨架上，强化了氧分子‑氧离子‑电子的传递过程
一种固体氧化物燃料电池阴极应用

[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法-CN202010390048.3在审
发明人：金权泰;韩意书;新及補;李泰勇 -专利权人：艾马克科技公司
申请日： 2020-05-11 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：半导体装置和制造半导体装置的方法。在一个实例中，一种半导体装置可以包括：(a)电子装置，所述电子装置包括装置顶部侧、与所述装置顶部侧相对的装置底部侧，以及在所述装置顶部侧与所述装置底部侧之间的装置侧壁；(b)第一导体，所述第一导体包括在所述装置侧壁上的第一导体侧区段、在所述装置顶部侧上并且耦合到所述第一导体侧区段的第一导体顶部区段以及耦合到所述第一导体侧区段的第一导体底部区段；以及(c)保护材料，所述保护材料覆盖所述第一导体和所述电子装置。所述第一导体顶部区段的下表面可以高于所述装置顶部侧，并且所述第一导体底部区段的上表面可以低于所述装置顶部侧。本文中也公开其它实例和相关方法。
半导体装置制造方法

[发明专利]用于制造光电子器件的方法和光电子器件-CN201980088661.5在审
发明人：安德烈亚斯·普洛斯尔 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：提出一种用于制造光电子器件(1)的方法，所述方法具有如下步骤：‑提供具有功能性半导体层(3)和生长层(5)的半导体晶片(2)，所述功能性半导体层具有电子控制元件(4)；‑在半导体晶片(2)中产生多个凹部(6)，所述凹部使生长层(5)局部地露出；以及‑在露出的生长层(6)上外延生长多个半导体层堆(7)。此外，提出一种光电子器件(1)。
用于制造光电子器件方法

[发明专利]高电子迁移率晶体管的结构及相关方法-CN202110500018.8在审
发明人：雷嘉成;L·S·素赛;J·J·杰里 -专利权人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
申请日： 2021-05-08 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：高电子迁移率晶体管的结构和形成高电子迁移率晶体管的结构的方法。高电子迁移率晶体管具有第一半导体层、沿界面邻接第一半导体层的第二半导体层、栅极电极和源/漏区域。绝缘区域设置在第一半导体层和第二半导体层中。绝缘区域在横向位于栅极电极和源/漏区域之间的位置处延伸穿过界面。
电子迁移率晶体管结构相关方法