|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 1646620个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [实用新型]半导体封装结构-CN202120639680.7有效
-
陶媛;沈冬冬
-
华为技术有限公司
-
2021-03-29
-
2021-12-31
-
H01L25/07
- 本申请涉及半导体封装领域，提供一种半导体封装结构，包括基板、电子组件、封装体及金属屏蔽层。基板包括衬垫、电路连接结构及接触垫；电子组件包括第一电子器件及第二电子器件；封装体覆盖所述电子组件，并开设有隔离槽；金属屏蔽层包括封装屏蔽部及连接屏蔽部，封装屏蔽部与电路连接结构电性连接；在隔离槽贯穿封装体时，隔离槽的下半部填充有第一导电填充体；在隔离槽未贯穿封装体时，半导体封装结构还包括导电嵌入体，隔离槽开设至露出导电嵌入体的上表面。本半导体封装结构减小了隔离槽内导电材料的用量，半导体封装结构在经受热量变化时，相较于隔离槽内填满导电材料，本半导体封装结构的翘曲变小。
- 半导体封装结构
- [发明专利]氮化物半导体装置-CN202210669334.2在审
-
畑洋辅
-
罗姆股份有限公司
-
2022-06-14
-
2023-01-13
-
H01L29/06
- 本发明的氮化物半导体装置(10)包含：电子传输层(16)，由氮化物半导体构成；电子供给层(18)，形成在电子传输层(16)上，由具有比电子传输层(16)大的带隙的氮化物半导体构成；第1保护层(22)，形成在电子供给层(18)上，由具有比电子供给层(18)小的带隙的氮化物半导体构成；第2保护层(24)，形成在第1保护层(22)上的一部分，由具有比第1保护层(22)大的带隙的氮化物半导体构成；栅极层(26)，形成在第2保护层(24)上，由具有比第2保护层(24)小的带隙的氮化物半导体构成，并且包含受体型杂质；栅极电极(28)，形成在栅极层(26)上；以及源极电极(32)及漏极电极(34)，与电子供给层(18)相接。
- 氮化物半导体装置
|
