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[发明专利]一种光响应的自旋电子器件及其制备方法-CN201910389022.4有效
发明人：金立川;朱虹宇;贾侃成;何昱杰;唐晓莉;钟智勇;张怀武 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-05-10 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L43/04 文献下载
摘要：一种光响应的自旋电子器件及其制备方法，属于自旋电子功能器件技术领域。所述光响应的自旋电子器件，包括衬底，以及依次形成于衬底之上的磁性薄膜、半导体薄膜和重金属电极。本发明自旋电子器件，基于“磁性薄膜/半导体薄膜/重金属电极”异质结构，通过在磁性薄膜与重金属电极之间增加半导体光响应层，使自旋电子器件中的自旋流输运过程具备响应外界光照作用的能力。当光照射自旋电子器件时，会在半导体薄膜中产生光生载流子，改变“磁性薄膜/半导体薄膜/重金属电极”界面阻抗匹配，实现对自旋流从磁性层向半导体薄膜注入效率的调节；同时，光生载流子浓度影响自旋扩散长度，改变逆自旋霍尔电压信号
一种响应自旋电子器件及其制备方法

[发明专利]电子部件模块以及电子部件模块的制造方法-CN201880054126.3有效
发明人：岩本敬 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2018-08-13 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：电子部件模块(1)具备电子部件(2)、树脂构造体(3)、例如布线层(5)那样的布线部和屏蔽部(6)。树脂构造体(3)覆盖电子部件(2)的侧面(23)的至少一部分以及第2主面。布线部与电子部件(2)电连接。屏蔽部(6)包含第1导体层(61)以及第2导体层(62)。第1导体层(61)与电子部件(2)分离地设置在电子部件(2)与树脂构造体(3)之间，并具有导电性。第2导体层(62)与布线部分离地设置在布线部与树脂构造体(3)之间，并具有导电性。在屏蔽部(6)中，第1导体层(61)和第2导体层(62)成为一体。
电子部件模块以及制造方法

[发明专利]一种应用于光电子集成阵列芯片封装的光耦合设备-CN201410344629.8无效
发明人：王欣;邓晔;刘建国;祝宁华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-07-18 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： G02B6/43 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于半导体光电子集成阵列芯片封装的光耦合设备，包括：管壳或热沉；半导体光电子集成阵列芯片；半导体光电子集成阵列芯片衬底；光学准直透镜阵列；分光棱镜；分光棱镜支架；探测器阵列芯片；光学聚焦透镜阵列本发明在光耦合部分通过安装一个分光棱镜将经过光学准直透镜阵列准直的半导体光电子集成阵列芯片输出的部分光信号引入各自对应的探测器阵列芯片中，克服了在半导体光电子集成阵列芯片耦合封装中因微波微带电路复杂或需双端光耦合而无法安置背光探测器阵列芯片的困难，实现了对半导体光电子集成阵列芯片光信号的实时监测。
一种应用于光电子集成阵列芯片封装耦合设备

[发明专利]具有各向异性的电子和光电子器件及其生产方法-CN201880033644.7有效
发明人： T·罗德迈尔;A·莫尔法;R·埃克斯坦;G·埃尔南德斯-索萨 -专利权人：创新实验室有限公司
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： C09D11/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种生产具有各向异性分子结构的有机半导体材料的电子或光电子器件的方法以及包含具有各向异性分子结构的有机半导体材料的该类电子或光电子器件。本申请进一步涉及包含中空芯和包含有机半导体材料的壳的纤维。
具有各向异性电子光电子器件及其生产方法

[发明专利]具有电子能量调节层的发光二极管外延结构-CN201610257519.7在审
发明人：张紫辉;张勇辉;毕文刚;徐庶;耿翀 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明具有电子能量调节层的发光二极管外延结构，涉及至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件，从上至下顺序包括衬底、缓冲层、第一N型半导体材料、电子能量调节层、第二N型半导体材料层、多量子阱层、P型电子阻挡层和P‑型半导体材料传输层，其中电子能量调节层的相对介电常数为8.5～15.3，小于第一N型半导体材料层和第二N型半导体材料层的介电常数，其厚度为1～5000nm，材料为n‑型掺杂，并且其掺杂元素浓度需大于第一N型半导体材料层和第二N型半导体材料层，n‑型掺杂是通过掺杂Si、Ge、O或H元素实现，克服了现有技术存在在减小漏电子电流的同时却影响空穴的注入效率的缺陷。
具有电子能量调节发光二极管外延结构

[发明专利]一种轴对称折叠波导高频慢波结构的多电子注行波管-CN202110624268.2在审
发明人：陈涛 -专利权人：深圳奥镨科技有限公司
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01J25/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种轴对称折叠波导高频慢波结构的多电子注行波管，包括轴对称折叠波导模块和设置于轴对称折叠波导模块上的同轴周期磁铁聚焦系统，所述轴对称折叠波导模块包括内导体和外导体，所述外导体套设于内导体外，内导体的外壁设置有外翅片，外导体的内壁设置有内翅片，外翅片与内翅片交错嵌置形成轴对称折叠波导结构，所述内导体和外导体上均设置有若干电子束通道。本发明通过多注电子束可以减小空间电荷效应，增大总电流，增加微波输出功率。本发明通过轴对称折叠波导内圆周方向的高次电磁波模式提高工作频率。所述同轴周期磁铁聚焦系统有利于提高电子束通道内磁场的轴向分量，减小径向分量，使其更容易传输电子束。
一种轴对称折叠波导高频结构电子行波

[实用新型]一种轴对称折叠波导高频慢波结构的多电子注行波管-CN202121245717.4有效
发明人：陈涛 -专利权人：深圳奥镨科技有限公司
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01J25/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种轴对称折叠波导高频慢波结构的多电子注行波管，包括轴对称折叠波导模块和设置于轴对称折叠波导模块上的同轴周期磁铁聚焦系统，所述轴对称折叠波导模块包括内导体和外导体，所述外导体套设于内导体外，内导体的外壁设置有外翅片，外导体的内壁设置有内翅片，外翅片与内翅片交错嵌置形成轴对称折叠波导结构，所述内导体和外导体上均设置有若干电子束通道。本实用新型通过多注电子束可以减小空间电荷效应，增大总电流，增加微波输出功率。本实用新型通过轴对称折叠波导内圆周方向的高次电磁波模式提高工作频率。所述同轴周期磁铁聚焦系统有利于提高电子束通道内磁场的轴向分量，减小径向分量，使其更容易传输电子束。
一种轴对称折叠波导高频结构电子行波

[发明专利]光电子半导体芯片-CN201280017284.4有效
发明人：卢茨·赫佩尔 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2012-03-15 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提出一种光电子半导体芯片，所述光电子半导体芯片具有半导体层序列（2）和载体衬底（10），其中第一电接触层（7）和第二电接触层（8）至少局部地设置在载体衬底（10）和半导体层序列（2）之间并且通过电绝缘层（9）彼此电绝缘，并且所述光电子半导体芯片具有设置在半导体层序列（2）和载体衬底（10）之间的镜层（6）。半导体芯片（1）具有透明的封装层（13），所述封装层覆盖半导体层序列（2）的侧面（26）、镜层（6）的侧面（16）和电绝缘层（9）的朝向半导体芯片（1）的侧面（15）的侧面（19）。
光电子半导体芯片

[发明专利]半导体装置及制造半导体装置的方法-CN202010643581.6在审
发明人：柳智妍;新及补 -专利权人：安靠科技新加坡控股私人有限公司
申请日： 2020-07-07 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：半导体装置及制造半导体装置的方法。在一个实例中，一种半导体装置包括：衬底，所述衬底包括电介质、第一导体以及第二导体，所述第一导体位于所述电介质的顶侧上，所述第二导体位于所述电介质的底侧上，其中所述电介质具有孔口，并且所述第一导体包括部分通孔，所述部分通孔通过所述孔口接触所述第二导体的衬垫；电子装置，所述电子装置具有电耦合到所述第一导体的互连件；以及包封件，所述包封件位于所述衬底的顶侧上，所述包封件接触所述电子装置的侧面。
半导体装置制造方法

[发明专利]电子器件-CN200710102992.9有效
发明人：桑岛一 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2007-05-08 - 公布日： 2007-11-07 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本发明目的在于提供能高精度地获得电容元件的电容值的电子器件。该电子器件(1)具有形成在衬底(51)的平坦化层(52)上的下部导体(第1导体)(21)、形成在下部导体(21)上的介质膜(31)及形成在介质膜(31)上的、比下部导体(21)薄的上部导体(第2导体)(电容元件(11)由下部导体(21)、介质膜(31)及上部导体(23)构成。
电子器件

[发明专利]交流电固态开关-CN202011222926.7在审
发明人： R·普拉萨德;C·S·纳穆杜里 -专利权人：通用汽车环球科技运作有限责任公司
申请日： 2020-11-05 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：一种AC电子固态开关包括：电绝缘和导热层；第一导电迹线；第二导电迹线；以及多个半导体管芯，每个半导体管芯电连接到第一导电迹线和第二导电迹线。所述多个半导体管芯中的每个形成MOSFET、IGBT或其他类型的电子可控开关。AC电子固态开关还包括公共漏极导体，该公共漏极导体电连接到所述多个半导体管芯的每个漏极端子。AC电子固态开关被构造成在断开状态下沿第一方向和第二方向在650伏特与1700伏特之间阻断，该第二方向与第一方向相反，并且AC电子固态开关被构造成在导通状态下连续地承载至少500 A，其中压降小于2 V
交流电固态开关

[发明专利]半导体装置-CN202180061737.2在审
发明人：田村侑也 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：半导体装置包含：半导体层，其具有第1主面以及所述第1主面的相反侧的第2主面；电子传输层，其形成在所述半导体层的所述第1主面上；电子供给层，其形成在所述电子传输层上；栅极导电层，其形成在所述电子供给层上；源极导电层和漏极导电层，其以间隔所述栅极导电层的方式形成在所述电子供给层上；阳极导电层，其形成在所述半导体层的所述第2主面上，且与所述源极导电层电连接；阴极导电层，其形成在所述半导体层的所述第1主面上，且与所述漏极导电层电连接；以及整流元件，其以与所述阳极导电层以及所述阴极导电层电连接的方式利用所述半导体层而形成。
半导体装置

[发明专利]电子装置-CN202310256209.3在审
发明人：戴名柔;蔡嘉豪 -专利权人：群创光电股份有限公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本揭露提供一种电子装置，包括基板、第一导线、多个半导体、绝缘层以及多个电极。第一导线设置于基板上并沿着第一方向延伸。多个半导体设置于基板上并沿着第一方向排列。于电子装置的上视图中，多个半导体重叠第一导线。绝缘层设置于第一导线与多个半导体之间且具有多个开孔。多个电极设置于基板上。于电子装置的上视图中，多个电极分别重叠多个半导体。于电子装置的上视图中，多个开孔的每一者重叠多个半导体的至少一者。多个开孔的数量小于电极的数量。本揭露实施例的电子装置具有较佳的可靠度或较佳的显示质量。
电子装置

[发明专利]一种有机半导体激光产生方法及装置-CN201910611842.3有效
发明人：陶国华;谭云舒 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2019-07-08 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01S5/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机半导体激光产生方法及装置，所述方法包括：当有机半导体基态电子接收到电信号后，所述有机半导体基态电子激发到激发态；调控声子，通过电子与声子的直接耦合达到电荷传输态；通过电子与声子直接耦合发生单线态裂分，达到亚稳定的多激子中间态，产生粒子数反转；所述有机半导体基态电子不断从多激子中间态跃迁回基态，控制有机半导体层产生激光。本发明将单线态的多激子中间态最终转化为单线态基态，不需要系间窜越，转化效率高，通过对电声子耦合的调节，使激光的性能更加优异，可广泛应用于有机半导体激光器件领域。
一种有机半导体激光产生方法装置

[发明专利]一种表面构筑离子导体-电子导体混合包覆的富锂锰基正极材料及其制备方法和应用-CN202110097744.X有效
发明人：曹雁冰;胡国荣;彭忠东;杜柯;苏浩东;范举;孙芊 -专利权人：中南大学
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种表面构筑离子导体‑电子导体混合包覆的富锂锰基正极材料及其制备方法和应用，包括富锂锰基正极材料内核和离子导体‑电子导体混合包覆层；所述离子导体‑电子导体混合包覆层为离子导电物和电子导电物混合交联的表面修饰层，其中离子导电物为氟基聚阴离子化合物，电子导电物为环化后的聚丙烯腈。
一种表面构筑离子导体电子混合富锂锰基正极材料及其制备方法应用