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- [发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202010419289.6在审
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林昌杰
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南亚科技股份有限公司
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2020-05-18
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2021-02-02
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H01L29/78
- 该半导体结构具有一基底、一第一漏极应力源、一第一源极应力源、一埋入式栅极结构、一第二漏极应力源、一第二源极应力源以及一平面栅极结构。该基底具有一图案密集区以及一图案稀疏区。该第一漏极应力源设置在该图案密集区中。该第一源极应力源设置在该图案密集区中。该埋入式栅极结构设置在该图案密集区中，并位在该第一漏极应力源与该第一源极应力源之间。该第二漏极应力源设置在该图案稀疏区中。该第二源极应力源设置在该图案稀疏区中。该平面栅极结构设置在该图案稀疏区中，并位在该第二漏极应力源与该第二源极应力源之间。
- 半导体结构及其制备方法
- [发明专利]半导体器件-CN202111052909.8有效
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林坤;杨天应;刘丽娟;吴文垚
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深圳市时代速信科技有限公司
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2021-09-09
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2021-12-14
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H01L29/40
- 该半导体器件包括衬底、位于衬底上的半导体叠层、位于半导体叠层上且间隔排布的源极欧姆金属和漏极欧姆金属、与源极欧姆金属接触连接的源极互连金属、与漏极欧姆金属接触连接的漏极互连金属、位于源极互连金属与漏极互连金属之间且与半导体叠层接触连接的栅极金属，以及位于半导体叠层上且与源极互连金属形成金属互连的源场板；其中，源场板位于源极互连金属和漏极互连金属之间，源场板至漏极欧姆金属的距离小于源场板至漏极互连金属的距离。该半导体器件能够在不额外增加器件面积的条件下减小源极和漏极之间的寄生电容，从而提高器件的漏极效率。
- 半导体器件
- [发明专利]具有双栅极晶体管器件的恒流CMOS输出驱动电路-CN98119669.1有效
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哈特马德·特利茨基
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西门子公司
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1998-09-21
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1999-06-30
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H03H11/00
- 一种输出驱动电路包含有源极和漏极晶体管的双栅极pFET器件,源极晶体管源极与电源连,其漏极与漏极晶体管源极连,漏极晶体管漏极与输出驱动电路输出端连;双栅极nFET器件有源极和漏极晶体管,源极晶体管源极与地电位连,其漏极与漏极晶体管源极连,漏极晶体管漏极与输出驱动电路输出端连;第一开关装置,连到pFET器件源极晶体管栅极;第二开关装置,连到nFET器件源极晶体管栅极;偏压发生装置,连到pFET器件漏极晶体管的栅极,还有连到nFET器件漏极晶体管栅极端的第二输出端。
- 具有栅极晶体管器件cmos输出驱动电路
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