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[发明专利]半导体结构及半导体结构的制造方法-CN202010811914.1在审
发明人：汪雷 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-08-13 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：半导体结构包括半导体基体、扩散阻挡层以及导电栓塞，半导体基体上设置有栓塞接触孔，栓塞接触孔底部的侧壁上设置有凹槽；扩散阻挡层设置在栓塞接触孔的孔壁上，且填充凹槽；导电栓塞设置在扩散阻挡层内。通过在半导体基体内镶嵌扩散阻挡层，从而增加了扩散阻挡层与半导体基体的接触面积，以此改善漏电流，提升半导体结构的稳定性。
半导体结构制造方法

[发明专利]一种铜基体用耐高温低扩散合金薄膜及其制备方法-CN202211334090.9在审
发明人：高志文;邱龙时;胡小刚;江海霞;刘刚;潘晓龙 -专利权人：西安稀有金属材料研究院有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜基体用耐高温低扩散合金薄膜，该薄膜包括在铜基体上交替设置的中间层和扩散阻挡层，中间层和扩散阻挡层的总层数为2层~48层，中间层和扩散阻挡层的调制比为1:1~5，另外本发明还提供了一种铜基体用耐高温低扩散合金薄膜的制备方法，将铜基体进行刻蚀后依次进行溅射中间层和扩散阻挡层，得到具有耐高温低扩散合金薄膜的铜基体。本发明通过在铜基体上交替设置的中间层和扩散阻挡层形成耐高温低扩散合金薄膜，中间层起到过渡作用，扩散阻挡层效缓解铜基体高温氧化以及扩散问题，层间结合力优异，与基体结合力较好，薄膜在较薄厚度下具有优异的抗高温氧化性能和扩散阻挡性能
一种基体耐高温扩散合金薄膜及其制备方法

[发明专利]作为金属扩散阻挡层的无定形碳的高选择性沉积-CN201610290322.3在审
发明人：唐伟;詹森·达埃金·帕克;帕特里克·A·万克利姆布特;耶斯蒂·多蒂 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2016-05-04 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及作为金属扩散阻挡层的无定形碳的高选择性沉积，具体涉及一种用于提供金属扩散阻挡层的方法，该方法包括：提供包含金属层的衬底；在所述金属层上沉积电介质层；在所述电介质层中定义特征，其中，所述特征包括由所述电介质层定义的侧壁和由所述金属层定义的底表面；在所述特征的所述侧壁上选择性地沉积金属扩散阻挡层，并且不在所述特征的所述底表面上沉积金属扩散阻挡层，其中，所述金属扩散阻挡层包括无定形碳；以及在所述特征中沉积金属。
作为金属扩散阻挡无定形碳选择性沉积

[发明专利]用于硅衬底上的III族氮化物的扩散阻挡层-CN201210411732.0有效
发明人：陈祈铭;邱汉钦;喻中一;蔡嘉雄 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-10-24 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：用于硅衬底上的III族氮化物的扩散阻挡层。本发明涉及集成电路及其形成。在一些实施例中，集成电路包括扩散阻挡层。扩散阻挡层可以布置成阻止来自Si衬底的Si和O2扩散到III族氮化物层内。扩散阻挡层可以包含Al2O3。在一些实施例中，集成电路还包括设置在硅衬底和III族氮化物层之间的晶格匹配结构。
用于衬底 iii 氮化物扩散阻挡

[发明专利]具有氧扩散阻挡层的电容器和制造该电容器的方法-CN03127527.3无效
发明人：郑铉振 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2003-08-06 - 公布日： 2004-07-14 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有双层氧扩散阻挡层的电容器，该电容器含有电极、在电极上含铝层的双层氧扩散阻挡层，在氧扩散阻挡层上的介电层，和介电层上的顶部电极。
有氧扩散阻挡电容器制造方法

[发明专利]一种铜互连结构及其形成方法-CN201210353210.X在审
发明人：曾绍海 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2012-09-20 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜互连结构及其形成方法，包括如下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质层；刻蚀所述介质层，形成暴露衬底的沟槽；在所述沟槽底部，侧壁及所述介质层表面形成一层钌扩散阻挡层；在表面形成有钌扩散阻挡层的所述沟槽内填充金属铜；去除所述沟槽外的钌扩散阻挡层及金属铜。本发明通过采用新型材料制备扩散阻挡层，减薄了扩散阻挡层厚度，降低了薄膜电阻率，同时实现了铜的无籽晶层电镀，简化了工艺步骤。
一种互连结构及其形成方法

[发明专利]一种铜互连扩散阻挡层结构及其制备方法-CN202310711969.9在审
发明人：扈静;芮祥新;汪穹宇;李建恒 -专利权人：合肥安德科铭半导体科技有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜互连扩散阻挡层结构及其制备方法，包括：衬底和扩散阻挡层，所述衬底包括第一导电层和介质层；所述扩散阻挡层设置在衬底和第二导电层之间，所述扩散阻挡层包括依次设置的铌层、铌硅氮化物层和氮化铌层，所述第三层与所述第二导电层接触。通过在铜层和介质层之间设置有多层膜结构的阻挡扩散层，可以有效阻挡铜扩散到介质层中。同时，阻挡扩散层包括铌硅氮化物层和氮化铌层，且氮化铌层位于铌硅氮化物层与铜层之间，可以有效防止铌硅氮化物层中的硅元素进入铜层，破坏铜的电学性能。
一种互连扩散阻挡结构及其制备方法

[发明专利]具有多个电介质栅极堆叠的存储器器件及相关方法-CN201310666570.X有效
发明人： P·卡雷;S·阿莱格雷-马雷;N·劳贝特;柳青;H·贾根纳森;L·埃奇;K·程;B·多丽丝 -专利权人：意法半导体公司;国际商业机器公司
申请日： 2013-12-09 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：栅极堆叠可以包括在沟道区域之上的第一电介质层、在第一电介质层之上的第一扩散阻挡层、在第一扩散阻挡层之上的第一导电层、在第一导电层之上的第二电介质层、在第二电介质层之上的第二扩散阻挡层和在第二扩散阻挡层之上的第二导电层第一电介质层和第二电介质层可以包括不同电介质材料，并且第一扩散阻挡层可以比第二扩散阻挡层更薄。
具有电介质栅极堆叠存储器器件相关方法

[实用新型]存储器器件-CN201320811059.X有效
发明人： P·卡雷;S·阿莱格雷-马雷;N·劳贝特;柳青;H·贾根纳森;L·埃奇;K·程;B·多丽丝 -专利权人：意法半导体公司;国际商业机器公司
申请日： 2013-12-09 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：栅极堆叠可以包括在沟道区域之上的第一电介质层、在第一电介质层之上的第一扩散阻挡层、在第一扩散阻挡层之上的第一导电层、在第一导电层之上的第二电介质层、在第二电介质层之上的第二扩散阻挡层和在第二扩散阻挡层之上的第二导电层第一电介质层和第二电介质层可以包括不同电介质材料，并且第一扩散阻挡层可以比第二扩散阻挡层更薄。
存储器器件

[发明专利]提供掺杂硅的方法-CN202080036231.1在审
发明人：普鲁肖塔姆·库马尔;江庚伟;巴特·J·范施拉芬迪克;缪腾飞;约瑟夫·R·阿贝尔;阿德里安·拉瓦伊 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L21/225 文献下载
摘要：在该衬底的表面形成氧化硅扩散阻挡层。至少一掺杂剂层被沉积在氧化硅扩散阻挡层上。在至少一层的掺杂剂层上沉积帽盖层以形成衬底、氧化硅扩散阻挡层、至少一层掺杂剂层和帽盖层的堆叠件。退火该堆叠件。移除帽盖层、至少一层掺杂剂层以及氧化硅扩散阻挡层。
提供掺杂方法

[发明专利]包括具有扩散阻挡层的软磁性底层的垂直磁性记录介质-CN200610149439.6无效
发明人：李在喆;尹成龙;吴薰翔;金雪基 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-11-20 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： G11B5/667 文献下载
摘要：本发明提供了一种垂直磁性记录介质，其包括具有扩散阻挡层的软磁底层。该垂直磁性记录介质包括软磁记录底层和形成在所述软磁性底层上的记录层。所述软磁性底层包括：衬底、底层、扩散阻挡层、反铁磁层和软磁性层。该底层形成在衬底上，且扩散阻挡层形成在底层上。反铁磁层形成在扩散阻挡层上，且软磁性层形成在反铁磁层上。
包括具有扩散阻挡磁性底层垂直记录介质

[发明专利]晶体管结构及其制备方法-CN202310975923.8在审
发明人：倪振飞;俞华亮;王淑奇 -专利权人：长鑫科技集团股份有限公司
申请日： 2023-08-02 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该方法包括：提供衬底；在衬底上形成高K介质层；在高K介质层上形成第一功函数调整结构，第一功函数调整结构包括依序堆叠的第一扩散阻挡层、第一功函数调整层和第二扩散阻挡层；在第一功函数调整结构上形成第二功函数调整结构，包括：在第二扩散阻挡层上形成第二功函数调整层；利用射频薄膜沉积工艺在第二功函数调整层上形成第三扩散阻挡层；利用直流薄膜沉积工艺在第三扩散阻挡层上形成第四扩散阻挡层；以及在第二功函数调整结构上形成栅极层本公开的制备方法能够使晶体管结构有效阻挡金属元素的扩散，提高晶体管结构的电学性能，提高良率。
晶体管结构及其制备方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201710130724.1有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：在所述第一功函数层上形成牺牲层后，氧化所述第一功函数层，在所述第一功函数层与所述牺牲层之间形成扩散阻挡层；在所述扩散阻挡层上形成金属栅极，所述金属栅极与所述扩散阻挡层和第一功函数层用于构成栅极结构一方面本发明方案中所形成的扩散阻挡层有效的避免了金属栅极中的杂质离子扩散到第一功函数层中，从而提高了第一功函数层的性能；另一方面，在形成牺牲层之后再氧化所述第一功函数层形成扩散阻挡层，所述牺牲层可以有效控制氧化所述第一功函数层时通入反应物的流量，从而有效可以控制所形成的扩散阻挡层的厚度，进而改善了半导体结构的电学特性。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]三维非易失性存储器件、包括它的存储系统及其制造方法-CN201210450901.1在审
发明人：金锡九 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2012-11-12 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维非易失性存储器件，所述三维非易失性存储器件包括：垂直沟道层，所述垂直沟道层从衬底突出；层间绝缘层和导电层图案，所述层间绝缘层和导电层图案沿着垂直沟道层交替地沉积；阻挡金属图案，所述阻挡金属图案包围每个导电层图案；电荷阻挡层，所述电荷阻挡层插入在垂直沟道层与阻挡金属图案之间；以及扩散阻挡层，所述扩散阻挡层插入在阻挡金属图案与电荷阻挡层之间。
三维非易失性存储器包括存储系统及其制造方法

[发明专利]一种半导体激光器接触电极及其制备方法-CN202311176626.3在审
发明人：杨文帆;王俊;李泉灵;郭路安;李波;闵大勇;贺章 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2023-09-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体激光器接触电极及其制备方法，其中，半导体激光器接触电极包括：衬底层；接触层，位于衬底层的一侧表面；扩散阻挡层，位于接触层背离衬底层的一侧表面；上盖层，位于扩散阻挡层背离衬底层的一侧表面；其中，扩散阻挡层的材料包括由粘结金属和第一元素形成的化合物，自接触层至上盖层的方向上，扩散阻挡层中的第一元素的组分含量逐渐增加；或者，扩散阻挡层的材料包括由粘结金属和第二元素形成的固溶体，自接触层至上盖层的方向上，扩散阻挡层中的第二元素的组分含量逐渐增加。由于扩散阻挡层中没有形成异质界面，因此本发明提供的半导体激光器接触电极在满足耐高温性能的同时，还具有低的电阻。
一种半导体激光器接触电极及其制备方法