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[发明专利]一种半导体激光器接触电极及其制备方法-CN202311176626.3在审
发明人：杨文帆;王俊;李泉灵;郭路安;李波;闵大勇;贺章 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2023-09-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体激光器接触电极及其制备方法，其中，半导体激光器接触电极包括：衬底层；接触层，位于衬底层的一侧表面；扩散阻挡层，位于接触层背离衬底层的一侧表面；上盖层，位于扩散阻挡层背离衬底层的一侧表面；其中，扩散阻挡层的材料包括由粘结金属和第一元素形成的化合物，自接触层至上盖层的方向上，扩散阻挡层中的第一元素的组分含量逐渐增加；或者，扩散阻挡层的材料包括由粘结金属和第二元素形成的固溶体，自接触层至上盖层的方向上，扩散阻挡层中的第二元素的组分含量逐渐增加。由于扩散阻挡层中没有形成异质界面，因此本发明提供的半导体激光器接触电极在满足耐高温性能的同时，还具有低的电阻。
一种半导体激光器接触电极及其制备方法

[发明专利]一种边发射半导体发光结构及其制备方法-CN202310884837.6在审
发明人：谭少阳;邵烨;王俊;李泉灵;闵大勇 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01S5/068 文献下载
摘要：本发明揭示了一种边发射半导体发光结构及其制备方法，边发射半导体发光结构包括：位于半导体衬底层上依次层叠的下限制层、有源层和上限制层；边发射半导体发光结构具有相对设置的第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁和第二侧壁在边发射半导体发光结构的慢轴方向排布；边发射半导体发光结构具有位于第一侧壁和第二侧壁之间的电流注入区，电流注入区与第一侧壁和第二侧壁均间隔设置；位于电流注入区在慢轴方向上至少一侧的特征槽，特征槽至少位于上限制层中，特征槽具有朝向电流注入区的特征侧壁；特征侧壁的表面设置有若干朝向所述电流注入区的凸起。边发射半导体发光结构能降低功率抖动。
一种发射半导体发光结构及其制备方法

[发明专利]一种高可靠性半导体封装结构及其制备方法-CN202310553996.8有效
发明人：周立;王俊;曾宪斌;李顺峰;靳嫣然;魏志祥;万远红;李泉灵;潘华东;廖新胜;闵大勇 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：本发明提供一种高可靠性半导体封装结构及其制备方法，高可靠性半导体封装结构包括：热沉；位于所述热沉上的半导体激光器芯片；连接所述热沉和所述半导体激光器芯片的焊接结构，所述焊接结构包括主焊接层和若干合金块，所述主焊接层包围合金块，各合金块周围的主焊接层连接在一起，所述主焊接层的硬度小于所述合金块的硬度。所述高可靠性半导体封装结构兼顾缓解封装应力、可靠性高和寿命长。
一种可靠性半导体封装结构及其制备方法

[发明专利]高功率低发散角垂直腔面发射半导体发光器件及制备方法-CN202310266434.5有效
发明人：王俊;肖垚;苗霈;刘恒;张志成;李泉灵 -专利权人：苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：一种高功率低发散角垂直腔面发射半导体发光器件及制备方法，半导体发光器件包括：第一电流限制层至第M电流限制层，第m电流限制层位于第nt有源层和第nt隧道结之间；当M为偶数时，第一电流限制层的绝缘区宽度至第M/2电流限制层的绝缘区宽度递减，第（M/2）+1电流限制层的绝缘区宽度至第M电流限制层的绝缘区宽度递增；当M为奇数时，第一电流限制层的绝缘区宽度至第（M+1）/2电流限制层的绝缘区宽度递减，第（M+1）/2电流限制层的绝缘区宽度至第M电流限制层的绝缘区宽度递增。同时实现高功率和低发散角。
功率发散垂直发射半导体发光器件制备方法

[发明专利]一种波长锁定系统和波长锁定方法-CN202310288442.X在审
发明人：俞浩;林朋远;王俊;李泉灵;廖新胜;闵大勇 -专利权人：苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01S5/0687 文献下载
摘要：本发明揭示了一种波长锁定系统和波长锁定方法，包括：半导体激光芯片；设置在半导体激光芯片的出光侧的透射式闪耀光栅；半导体激光芯片适于给透射式闪耀光栅提供入射光；设置在半导体激光芯片和透射式闪耀光栅之间的准直单元；透射式闪耀光栅设置在特征位置，入射光的入射角等于透射式闪耀光栅的光栅闪耀角，入射光适于照射在光栅结构的表面形成第m级反射式衍射光和第0级透射式衍射光，第m级反射式衍射光适于与入射光平行，第0级透射式衍射光适于穿过透射式闪耀光栅并从第二面出射形成出射光，出射光适于和入射光平行，m为大于或等于1的整数。降低色散效应、简化波长锁定的光路、提高锁定波长在宽温度范围和高输出功率的情况下的稳定性。
一种波长锁定系统方法

[发明专利]激光芯片的辅助焊接装置-CN202110071392.0有效
发明人：潘华东;周军;李泉灵;陈绍兴;王俊 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： B23K3/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种激光芯片的辅助焊接装置，其包括台阶热沉，用于放置COS；升降件，与所述压针连接，用于控制所述压针与COS上表面抵触；若干倾斜设置的压针，所述压针与COS一一对应设置，所述压针对COS的作用力的水平分力驱使COS朝向台阶热沉的台阶侧壁进行紧靠限位，所述压针朝向COS一端上设置有用于和COS贴合的抵触块，所述抵触块下表面和COS上表面平行，本发明具有将激光芯片固定在台阶热沉上时，使激光芯片不会偏移位置。
激光芯片辅助焊接装置

[发明专利]一种储存装置-CN202110982571.X有效
发明人：叶秀玲;王俊;李泉灵 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： B65D25/10 文献下载
摘要：本发明提供一种储存装置，包括：储存盒，所述储存盒包括：储存基板；位于所述储存基板的上表面的多个间隔的限位件，多个所述限位件呈阵列排布，每个所述限位件包括第一子限位件和第二子限位件，所述第一子限位件和所述第二子限位件沿着储存基板的表面交叉，多个所述限位件围成多个限位槽，所述限位槽适于容纳半导体激光器件。半导体激光器件在储存装置中的定位更加精确，有利于自动化设备对半导体激光器件的取放、位置记录和追踪；由于限位件是间隔的，在限位件的间隙处不会触碰半导体激光器件侧部的敏感器件区，有利于保护半导体激光器件在运输过程中不被损坏。
一种储存装置

[发明专利]集合耦合、NA控制及检测的NA耦合装置及搭建方法-CN202110188130.2有效
发明人：潘华东;黄盟;李泉灵;王俊;闵大勇 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2021-02-10 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本申请提供一种集合耦合、NA控制及检测的NA耦合装置及方法，NA耦合装置包括底板，在底板上，设置有:载物台，垂直设于底板上，用于放置待耦合激光器；功率检测器，垂直设于底板上，设置在载物台的一侧，用于检测载物台上的待耦合激光器的功率；NA控制结构，垂直设置于底板上，设置于载物台与功率检测器之间，用于对待耦合激光器的输出光束附加光阑；位置调整装置，垂直设置于底板上，用于调整待耦合激光器的位置，以根据功率确定待耦合激光器的位置，本方案，集和耦合、NA控制、待耦合激光器的NA检测于一体，节省了空间，实现上述功能可在一台机器上完成，无需更换装置，提高了耦合激光器生产作业效率。
集合耦合 na 控制检测装置搭建方法

[发明专利]高效率有源层和半导体发光器件及制备方法-CN202210353728.7有效
发明人：王俊;谭少阳;周立;程洋;肖啸;郭银涛;俞浩;李泉灵;廖新胜;闵大勇 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：一种高效率有源层和半导体发光器件及其制备方法，高效率有源层包括：应变量子阱层；位于所述应变量子阱层一侧的第一应变势垒层，所述第一应变势垒层用于传输电子；所述第一应变势垒层和所述应变量子阱层用于形成应变补偿；位于所述应变量子阱层另一侧的第二势垒层，所述第二势垒层用于传输空穴；所述第一应变势垒层的导带与所述应变量子阱层的导带之间的带阶小于所述应变量子阱层的价带与所述第一应变势垒层的价带之间的带阶，且所述应变量子阱层的价带与第二势垒层的价带之间的带阶小于所述第二势垒层的导带与所述应变量子阱层的导带之间的带阶。提高了发光效率和可靠性。
高效率有源半导体发光器件制备方法

[发明专利]一种高可靠性低缺陷半导体发光器件及其制备方法-CN202210205786.5有效
发明人：王俊;谭少阳;张立晨;胡燚文;赵武;李波;李泉灵 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01S5/028 文献下载
摘要：一种高可靠性低缺陷半导体发光器件及其制备方法，高可靠性低缺陷半导体发光器件包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的有源层；位于所述有源层背离所述半导体衬底层一侧的掺杂半导体接触层，所述掺杂半导体接触层包括第一区和包围所述第一区的边缘区；位于所述掺杂半导体接触层的边缘区背离所述有源层一侧的保护层；正面电极层，位于所述第一区背离所述有源层一侧，所述第一区上的正面电极层的上表面低于所述保护层的上表面。所述半导体发光器件兼顾可靠性高和降低工艺控制成本。
一种可靠性缺陷半导体发光器件及其制备方法

[发明专利]一种波长锁定半导体激光器系统-CN202110172183.5有效
发明人：俞浩;王俊;李泉灵;廖新胜 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01S5/065 文献下载
摘要：一种波长锁定半导体激光器系统，包括：M个半导体激光器芯片，第k个半导体激光器芯片适于从前腔面出射第k前激光束，第k个半导体激光器芯片适于从后腔面出射第k后激光束；第一光纤光栅，第一光纤光栅适于部分反射第k前激光束以形成第k前反馈光束，第k前反馈光束至少注入第k个半导体激光器芯片和第M‑k+1个半导体激光器芯片中；第二光纤光栅，第二光纤光栅适于部分反射第k后激光束以形成第k后反馈光束，第k后反馈光束至少注入第k个半导体激光器芯片和第M‑k+1个半导体激光器芯片中；第k前反馈光束的波长范围和第k后反馈光束的波长范围至少部分重叠。所述波长锁定半导体激光器系统的降低了波长锁定失效的几率且寿命到提高。
一种波长锁定半导体激光器系统

[发明专利]一种高亮度高功率半导体发光器件及其制备方法-CN202210110428.6有效
发明人：肖垚;王俊;苗霈;刘恒;李泉灵;廖新胜;闵大勇 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2022-01-29 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：一种高亮度高功率半导体发光器件及其制备方法，高亮度高功率半导体发光器件包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的调制结构，所述调制结构包括：载流子调制有源层；位于所述载流子调制有源层背离所述半导体衬底层一侧的调制隧道结；位于所述调制隧道结背离所述载流子调制有源层一侧的腔延长层；位于所述调制结构背离所述半导体衬底层一侧的第一有源层，所述载流子调制有源层中的载流子浓度小于所述第一有源层中的载流子浓度；位于所述第一有源层背离所述调制结构一侧的第一电流限制层。所述高亮度高功率半导体发光器件在实现高亮度和高功率的同时无法兼顾集成度高、可靠性高、成本低。
一种亮度功率半导体发光器件及其制备方法

[发明专利]一种高应变半导体结构及其制备方法-CN202210069124.X有效
发明人：王俊;肖垚;陈湘榴;邓国亮;杨火木;周昊;王树同;张弘;张志成;肖啸;程洋;苟于单;廖新胜;闵大勇;李泉灵 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;四川大学
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明提供一种高应变半导体结构及其制备方法，高应变半导体结构的复合有源层中，第一组分渐变层中的铟含量小于量子阱层中的铟含量且大于第一势垒层中的铟含量，第二组分渐变层中的铟含量小于量子阱层中的铟含量且大于第二势垒层中的铟含量；所述第一组分渐变层中若干第一子渐变层中的铟组分含量随着第一子渐变层的层数的增加满足高斯函数的递增区，所述第二组分渐变层中若干第二子渐变层中的铟组分含量随着第二子渐变层的层数的增加满足高斯函数的递减区；第一应力补偿层和第二应力补偿层中铟的含量为零；量子阱层、第一组分渐变层和第二组分渐变层用于激射光。降低高应变半导体结构的工艺难度和复杂度且提高生长质量。
一种应变半导体结构及其制备方法

[发明专利]一种半导体激光器部分相干合束系统-CN202011566906.1有效
发明人：俞浩;虞天成;李泉灵;王俊;潘华东 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01S5/40 文献下载
摘要：一种半导体激光器部分相干合束系统，包括：第一半导体激光芯片至第N半导体激光芯片，第k半导体激光芯片出射第k激光，第一激光至第N激光进行空间合束形成空间合束激光，N为大于等于2的整数，k大于等于1且小于等于N；光纤，所述光纤的入射端具有部分反射膜层；聚焦耦合镜，所述聚焦耦合镜适于将所述空间合束激光中的第一激光至第N激光耦合进所述光纤；所述部分反射膜层反射部分第k激光，使得被反射的第k激光经过聚焦耦合镜之后注入第N－k+1半导体激光芯片。所述半导体激光器部分相干合束系统实现部分相干的合束输出，光束质量提高，并最终通过光纤输出。
一种半导体激光器部分相干系统

[发明专利]一种半导体激光器芯片的缺陷检测系统及检测方法-CN202111454612.4有效
发明人：俞浩;胡欢;王俊;谭少阳;周立;李泉灵;李波;胡燚文;肖啸;闵大勇 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： G01N21/94 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体激光器芯片的缺陷检测系统及检测方法。所述半导体激光器芯片的缺陷检测系统包括：半导体激光器芯片；成像透镜模块；图像获取模块，所述半导体激光器芯片输出的光束适于经过所述成像透镜模块后被所述图像获取模块接收并生成原光斑图像；转换单元，所述转换单元适于将所述原光斑图像转化为对数图像；分析模块，所述分析模块适于根据所述原光斑图像和所述对数图像的图形特征判断所述半导体激光器芯片中缺陷的位置和大小。使用本半导体激光器芯片的缺陷检测系统，可以容易的检测出半导体激光器芯片有源区中的光波长量级和亚光波长量级颗粒污染，同时缩短了检测时间，降低了使用成本。
一种半导体激光器芯片缺陷检测系统方法

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