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[发明专利]用于酶在体传感器的改进的扩散层-CN201280015837.2有效
发明人： A.施泰布;M.蒂勒;K-H.科尔克;E.里格 -专利权人：霍夫曼－拉罗奇有限公司
申请日： 2012-03-27 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： C12Q1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于测量在体条件下的被分析物浓度的电极体系，其包括具有固定的酶分子和改进的扩散阻挡层的电极，该扩散阻挡层控制了被分析物从围绕该电极体系的体液向该酶分子的扩散。
用于传感器改进扩散

[发明专利]一种铜互连结构及其制备方法-CN201210389472.1无效
发明人：卢红亮;张卫;谢立恒;丁士进;王鹏飞 -专利权人：复旦大学
申请日： 2012-10-15 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明属于微电子工艺技术领域，具体是一种以Ru-Al-O作为扩散、粘附阻挡层的铜互连结构以及制备方法。本发明以现有铜互连结构为基础，采用Ru-Al-O代替传统的TaN/Ta双层结构，作为铜互连结构的新的铜扩散阻挡层。利用原子层淀积（ALD）方法，在经过热氧化的二氧化硅薄膜上层淀积一层3~5nm厚的Ru-Al-O作为粘附层，并在其上生长一层5~10nm厚的Ru作为扩散阻挡层，并可作为电镀铜的籽晶层。通过调节Ru-Al-O中的Ru、Al、O三者的比例，可以获得较佳的铜扩散阻挡能力和粘附特性。本发明可以提高扩散阻挡层与下层二氧化硅层的粘附强度，并保持与籽晶层连接的紧密性，为现有的铜互连技术在增强粘附能力方面提供一种改善的可行性方案。
一种互连结构及其制备方法

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202210173420.4在审
发明人：谢少妹;钱大憨;张杰 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体结构技术领域，用于解决半导体结构具有较大的栅极泄露电流的技术问题，该半导体结构的制备方法包括：提供基底；在基底上形成栅极结构，栅极结构包括依次层叠设置的栅介质层、盖帽层、阻挡层和栅极导电层，其中，阻挡层位于栅极导电层和盖帽层之间，阻挡层中的氧原子与盖帽层中的金属原子结合，以阻挡盖帽层中金属原子向栅极导电层扩散。本公开通过在盖帽层与栅极之间设置阻挡层，阻挡层中的氧原子和盖帽层中的金属原子结合，以达到防止盖帽层中的金属向栅极导电层中扩散的目的，进而降低了半导体结构的泄漏电流，提高了半导体结构的性能。
半导体结构及其制备方法

[发明专利]包括层叠基板的半导体装置及制造该半导体装置的方法-CN202110153230.1在审
发明人：金基范;金钟薰 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：第一半导体基板包括覆盖第一半导体基板主体的第一表面的第一扩散阻挡层、以及具有暴露于第一扩散阻挡层的第二表面的第三表面的第一通孔。第二半导体基板包括第二半导体基板主体、直接接合到第一扩散阻挡层的第二表面的第二扩散阻挡层、以及具有比第一通孔的第三表面更小的表面面积并直接接合至第一通孔的第三表面的前焊盘。
包括层叠半导体装置制造方法

[发明专利]层压体的制造方法-CN202011410337.1在审
发明人：福岛和宏 -专利权人：普洛梅特库株式会社
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： B32B37/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种层压体的制造方法，层压体(13)由铜箔(10)和绝缘性聚合物(12)层压而成，该层压体的制造方法包括：利用溅射法在真空室内在铜箔的表面上形成铜扩散阻挡层的工序(A)、以及将绝缘性聚合物层压在表面已形成有铜扩散阻挡层的铜箔上的工序工序(A)包括将水蒸气引入真空室内，在铜扩散阻挡层的表面上形成构成该铜扩散阻挡层的金属的氢氧化物的工序。
层压制造方法

[发明专利]具有改进栓塞电导率的层叠电容器-CN99106356.2无效
发明人：沈华;J·赫普夫纳 -专利权人：西门子公司
申请日： 1999-05-07 - 公布日： 1999-11-17 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：在层叠电容器的电极内形成扩散阻挡层的方法包括以下步骤提供具有连接到电极上的栓塞的层叠电容器,用离子轰击电极以在电极中形成扩散阻挡层,由此使扩散阻挡层导电。根据本发明的层叠电容器包括电极,电存取存储节点的栓塞,该栓塞连接到电极,还包括设置在电极中用于防止电极和栓塞之间电导率降低的材料扩散的阻挡层。
具有改进栓塞电导率层叠电容器

[发明专利]一种基于铝碲合金的存储器双向选通管及其制备方法-CN201810565647.7有效
发明人：冯洁;高天 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2018-06-04 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于铝碲合金的存储器双向选通管及其制备方法，该选通管包括：衬底(1)；在衬底(1)上方形成布线沟槽，并沉积扩散阻挡层(3)，扩散阻挡层(3)覆盖全部布线沟槽表面，钨布线下电极(2)设置在布线沟道中，与扩散阻挡层(3)接触；绝缘层(4)，设置在钨布线下电极(2)暴露的表面上，且与钨布线下电极(2)相接触，绝缘层(4)内设置有两个钨栓塞(5)，并且两个钨栓塞的侧壁被扩散阻挡层(3)覆盖，其中一个钨栓塞(5)利用阈值转变层(6)覆盖且与布线下电极(2)相接触，另一个钨栓塞(5)用惰性金属材料覆盖且与布线下电极(2)接触，形成下电极引线(7)；上电极(8)，设置在阈值转变层(6)上。
一种基于合金存储器双向选通管及其制备方法

[发明专利]具有热辅助写入头的多层加热器的磁头及其制造方法-CN200410058822.1无效
发明人：杰弗里·S.·莉莉 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2004-07-30 - 公布日： 2005-02-23 - 主分类号： G11B5/33 文献下载
摘要：媒介加热器制作有位于加热器层下面，加热器层之间和/或加热器层上面的扩散阻挡层和/或粘合层。扩散阻挡层防止构成加热器层的金属材料扩散到位于加热器下面和/或上面的层中，并且粘合层促进加热器与跟加热器相邻的磁头层的粘合。扩散阻挡层可以由钽，氮化钽，其他钽合金，钛，铑和钌构成，并且粘合层可以由钽，氮化钽，氧化钽，其他钽合金，钛，镍铁，铬，铂合金，镍合金和氧化铝构成。
具有辅助写入多层加热器磁头及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201310745754.5在审
发明人：高汉杰;赵杰;宋伟基 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：所述半导体器件的形成方法中，在位于半导体衬底的栅极凹槽内，由下至上依次形成栅介质层、HK层、功函数层后，在所述功函数层上方，以及栅极凹槽的侧壁形成第一扩散阻挡层，之后在所述第一扩散阻挡层上形成填充满所述栅极凹槽的金属材料层在上述技术方案中，形成的金属栅极中，所述第一扩散阻挡层包裹住所述金属材料层，从而可有效抑制所述金属材料层中的金属原子扩散至金属栅极的其他部分，从而避免基于所述金属原子扩散而导致金属栅极整体功函数下降的缺陷
半导体器件及其形成方法

[发明专利]凸点下金属膜及其形成方法、及声表面波器件-CN200680009633.2有效
发明人：古川光弘;鹰野敦 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-03-07 - 公布日： 2008-03-19 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明是形成于衬底上的凸点下金属膜，该凸点下金属膜的结构，至少具备由铂族金属膜制成的耐扩散阻挡层、以及位于所述耐扩散阻挡层下层的以铝为主成分的应力缓冲层。
凸点下金属膜及其形成方法表面波器件

[发明专利]显示装置-CN202210498336.X在审
发明人：陈柏仁;林岱佐;杜振源;戴嘉文 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：接垫具有第一金属层、第一介金属层及第一扩散阻挡层，其中第一金属层、第一介金属层及第一扩散阻挡层沿着远离基底的方向依序堆叠。发光元件包括电极及电性连接至电极的导电凸块。导电凸块具有第二介金属层，且第一扩散阻挡层位于第二介金属层与第一介金属层之间。
显示装置

[发明专利]LED芯片及其制造方法-CN201610790202.X在审
发明人：李庆;张广庚;王磊;孙豪;陈立人 -专利权人：聚灿光电科技股份有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明提供一种LED芯片及其制造方法，LED芯片包括：衬底；位于所述衬底上的N型半导体层，N型半导体层上形成有N型台面；位于所述N型半导体层上的发光层；位于所述发光层上的P型半导体层；位于所述P型半导体层上的电流阻挡层、以及位于P型半导体层上且覆盖电流阻挡层的电流扩散层；位于未被电流阻挡层与电流扩散层覆盖的P型半导体层上方且与P型半导体层电性连接的P电极、位于电流扩散层上方且与P电极电性连接的扩展电极、以及位于N型台面上且与N型半导体层电性连接的N电极。本发明的P电极下方未设置电流阻挡层和电流扩散层，P电极直接形成于P型半导体层上，增大了芯片电极的稳定性，且可以提高芯片的亮度。
led 芯片及其制造方法

[发明专利]焊垫结构及制作方法-CN201510028304.3有效
发明人：刘文晓 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-01-20 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明提供一种焊垫结构及其制作方法，焊垫结构中的焊垫金属层与顶层金属层之间设有两层阻挡层，并使位于第一窗口侧壁上的第一阻挡层的厚度大于其他位置处的第一阻挡层的厚度，可以有效地避免在第一窗口拐角处的阻挡层的厚度较薄的现象，同时，即使顶层金属层所露出部分的表面有凹凸不平，第一阻挡层会将这些凹凸不平的点填平，使得在第一阻挡层上形成的第二阻挡层位于一个比较平整的平面上。两层阻挡层的结构设计，可以大大减小阻挡层破裂的风险，进而阻止了顶层金属层中的金属向焊垫金属层中的扩散。
结构制作方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置-CN201510623142.8有效
发明人：刘继全 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：该方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成层间电介质，并在所述层间电介质中形成用于横向互连的沟槽和用于纵向互连的通孔；在所述沟槽和通孔的侧壁以及底部形成扩散阻挡层，其中所述沟槽底部的扩散阻挡层的厚度大于所述通孔底部的扩散阻挡层的厚度；去除所述通孔底部的扩散阻挡层；在所述沟槽和通孔中形成铜种子层，并进行铜的填充和平坦化，以形成互连结构。
一种半导体器件及其制造方法电子装置

[发明专利]一种半导体器件的制备方法及半导体器件-CN202210617822.9在审
发明人：李立伟;杨云春;陆原;郭伟龙;肖文贺;谷佩霞;陈学志;李佩笑 -专利权人：赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制备方法及半导体器件，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上刻蚀硅通孔；将硅衬底至于承载片上，在硅通孔侧壁上形成扩散阻挡层以及铜种子层；分离硅衬底及承载片，将硅衬底翻转后置于承载片上，利用磁控溅射工艺在硅通孔侧壁上形成扩散阻挡层以及铜种子层；如此，再次利用磁控溅射工艺在硅通孔侧壁上形成扩散阻挡层以及铜种子层，这样可以对单次磁控溅射在波纹衔接处形成的薄膜进行修补和加厚，提高薄膜在硅通孔侧壁的覆盖能力，进而提高扩散阻挡层的厚度和均匀性以及提高导体铜种子层薄弱处的厚度和整体的厚度均匀性，减少后续硅通孔中的铜导体的扩散，确保硅通孔工艺实现的可靠性，提高半导体器件的整体性能。
一种半导体器件制备方法