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[发明专利]具有背保护层的不锈钢箔太阳能电池及其制备方法-CN201410247049.7在审
发明人：何绪林;梅军;廖成;刘江;叶勤燕;刘焕明 -专利权人：中物院成都科学技术发展中心
申请日： 2014-06-05 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及太阳电池领域，具体公开了一种具有背保护层的不锈钢箔太阳能电池及其制备方法。本发明的具有背保护层的不锈钢箔太阳能电池，在基底的太阳能接收侧依次形成有扩散阻挡层、第一电极层、吸收层、缓冲层、第二电极层、减反层和表面电极层，在基底的太阳能接收侧的相对侧形成有背保护层，背保护层为单层，扩散阻挡层为三层或三层以上结构。本发明的具有背保护层的不锈钢箔太阳能电池，背保护层能有效避免高温腐蚀性气氛工艺过程中对基底的损害，扩散阻挡层能有效阻挡基底杂质元素进入吸收层，能够显著增加扩散阻挡层与基底、第一电极层的结合力。
具有保护层不锈钢太阳能电池及其制备方法

[发明专利]改善金属栅接触孔刻蚀工艺窗口的方法-CN202210187231.2在审
发明人：杨作东;彭翔;邹海华 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种改善金属栅接触孔刻蚀工艺窗口的方法，提供衬底，衬底上形成有多个器件区，每个器件区均形成有金属栅，衬底上形成有层间介质层，之后研磨层间介质层使得金属栅裸露；在层间介质层和金属栅上形成扩散阻挡层；在扩散阻挡层上形成自下而上叠加的刻蚀阻挡层和隔离层；在隔离层上形成光刻胶层，光刻打开光刻胶层使得至少一个器件区上金属栅以外的区域裸露；去除裸露的隔离层以及其下方的刻蚀阻挡层和扩散阻挡层；去除光刻胶层，之后在衬底上继续形成层间介质层；刻蚀层间介质层，形成分别与源区、漏区以及金属栅相连通的接触孔。本发明不改变层间介质层、接触孔刻蚀等配套工艺条件，提高通孔刻蚀的工艺窗口，改善产品可靠性。
改善金属接触刻蚀工艺窗口方法

[发明专利]铜钨电连接结构及其形成方法-CN202011501441.1在审
发明人：胡杏;邹文;贺忻;李朝勇 -专利权人：格科微电子（上海）有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种铜钨电连接结构及其形成方法，所述方法包括：在铜层的表面形成第一阻挡层；在所述第一阻挡层的表面形成缓冲层；在所述缓冲层的表面形成第二阻挡层；其中，钨层形成于所述第二阻挡层的表面。本发明可以满足阻止金属扩散、提高器件稳定性、降低生产成本等多种需求。
铜钨电连接结构及其形成方法

[发明专利]具有增强的电迁移可靠性的互连结构及其制造方法-CN200780041313.X无效
发明人：杨智超;王平川;王允愈 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2007-09-10 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： H01L21/44 文献下载
摘要：在一实施例中，提供“U形”EM防止衬，其邻接将导电材料(64，68)与电介质材料(54B)分隔开的扩散阻挡层。在另一实施例中，一间隔位于U形”EM防止衬和扩散阻挡层之间。在又一实施例中，提供邻接扩散阻挡层的水平EM衬。在再一实施例中，一间隔存在于水平EM衬和扩散阻挡层之间。
具有增强迁移可靠性互连结构及其制造方法

[发明专利]一种Cu互连用扩散阻挡层及其制备方法和应用-CN201911229887.0有效
发明人：孟瑜;宋忠孝;李雁淮 -专利权人：西安文理学院
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种Cu互连用扩散阻挡层及其制备方法和应用，通过在ZrB2薄膜中掺入不同含量的Ru原子，改变了薄膜的晶体结构，消除了Cu原子的快速扩散通道，延长扩散路径，提高了扩散阻挡层的高温稳定性能。此外，金属Ru具有较低的电阻率，且在扩散阻挡层中以单质金属形式存在，可以提高Zr‑Ru‑B的导电性能，Ru原子相比Zr原子，不容易氧化，因此，减少了O元素的掺入，通过高温退火处理，Cu膜表面出现大量孔洞，生成铜硅高阻相，且样品表面对电子的散射作用增强，得到的Zr‑Ru‑B三元结构具有较好的高温稳定性，提高了扩散阻挡层的扩散阻挡性能，进而提高了Cu互连线的可靠性，从而提高了集成电路的寿命。
一种 cu 互连扩散阻挡及其制备方法应用

[发明专利]一种铜互连的形成方法-CN201110355453.2无效
发明人：姬峰;李磊;陈玉文;胡友存;张亮 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-11-10 - 公布日： 2012-02-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜互连结构的形成方法，包括在半导体基底上淀积一介电层；采用光刻、刻蚀工艺，在所述介电层内形成通孔和/或沟槽；在所述通孔和/或沟槽的底部和侧壁淀积金属阻挡层；在金属阻挡层上淀积铜籽晶层并在所述通孔和/或沟槽内填充金属铜，使得金属铜的表面低于所述介电层的表面，从而在通孔和/或沟槽内形成铜金属层以及铜金属层上的铜凹槽；在所述铜金属层的表面和所述介电层表面上淀积一层可防铜扩散阻挡层；采用化学机械研磨去除介电层上的可防铜扩散介电阻挡层，同时铜金属层表面上保留有可防铜扩散介电阻挡层。
一种互连形成方法

[发明专利]深亚微米集成电路Cu阻挡层的制备工艺-CN02137193.8无效
发明人：徐小诚;缪炳有 -专利权人：上海华虹（集团）有限公司
申请日： 2002-09-27 - 公布日： 2003-04-30 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明是一种深亚微米集成电路Cu阻挡层的制造工艺，采用IPVD工艺淀积TaSiN作为Cu扩散阻挡层，选择Ta作为与Cu金属相邻的阻挡层材料。在化学电镀Cu时采用加交变电场和电镀添加剂，用快速热退火对Cu进行热处理，接着进行化学机械抛光，磨去连线和通孔以外的多余Cu金属以及阻挡层，完成Cu大马士革互联布线的工艺。本发明提高了抗Cu扩散和抗F扩散能力，改善了与Cu金属薄膜以及绝缘介质层的粘附性，适用于Cu金属和低介电材料相结合的互联工艺中。
微米集成电路 cu 阻挡制备工艺

[发明专利]对刻蚀后的半导体结构的钝化-CN200980130163.9无效
发明人：布鲁斯·富尔;帕斯卡·昆纳德 -专利权人：硅绝缘体技术有限公司
申请日： 2009-07-02 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及半导体结构的钝化方法，该方法包括以下步骤：提供至少一个第一材料层；在第一材料层上形成待图案化的至少一个第二材料层；在至少一个第二材料层与至少一个第一材料层之间形成扩散阻挡层，由此形成多层堆叠；以及对至少一个第二材料层向下进行图案化特别是刻蚀，但不完全穿透扩散阻挡层并且不露出至少一个第一材料层中的多个部分，使得基本上防止在对多层堆叠进行后续热处理期间至少一个第一材料层的材料穿过扩散阻挡层进行扩散本发明还涉及一种半导体结构的钝化方法，该方法包括以下步骤：提供包括形成在第二材料层下方的至少一个掩埋层的多层堆叠；对多层堆叠的表面进行图案化特别是刻蚀，穿透第二材料层，由此露出至少一个掩埋层的多个部分；至少在至少一个掩埋层的露出的部分上沉积扩散阻挡层，使得基本上防止在对多层堆叠进行后续热处理期间至少一个掩埋层的材料穿过扩散阻挡层进行扩散。
刻蚀半导体结构钝化

[发明专利]背接触晶体硅太阳能电池片制造方法-CN201110141259.4有效
发明人：章灵军;张凤;吴坚;王栩生 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
申请日： 2011-05-27 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种背接触晶体硅太阳能电池片制造方法，包括：对开孔、制绒后的半导体基片进行扩散，对扩散后半导体基片进行处理后得到背接触晶体硅太阳能电池片，还包括：扩散前，在制绒后半导体基片的任一表面上生成阻挡层，以避免扩散时在阻挡层所在的面上进行扩散；扩散后，去除扩散后半导体基片上的阻挡层。该方法在对半导体基片进行扩散前，通过在半导体基片的背光面生成阻挡层，可以避免在背光面进行扩散形成P-N结。
接触晶体太阳能电池制造方法

[发明专利]铜互联结构中扩散阻挡层的制作工艺及铜互联结构-CN201810623542.2有效
发明人：郑波;马振国;史晶;史小平;丁培军 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明为一种铜互联结构中扩散阻挡层的制作工艺及铜互联结构，该制作工艺包括如下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有沟槽，所述沟槽的侧壁为介电材料，所述沟槽的底部为导电材料；采用含有钴和锗的前驱物对所述半导体衬底进行化学气相沉积或原子层沉积，使所述扩散阻挡层选择性地沉积在所述沟槽侧壁的介电材料上，不在所述沟槽底部的导电材料上沉积。本发明制作工艺获得的扩散阻挡层具备均匀的侧壁覆盖率，沟槽开口处的无倒挂问题，并且沟槽的底部不会沉积扩散阻挡层，从而铜互联结构不会出现孔洞并具有低的线电阻。
联结扩散阻挡制作工艺

[发明专利]热电器件及其制造方法-CN97191237.8有效
发明人：佐藤岳彦;镰田策雄 -专利权人：松下电工株式会社
申请日： 1997-12-22 - 公布日： 2003-10-22 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：一种热电器件在Bi-Sb-Te或Bi-Te-Se的半导体基体与沉积其上的扩散阻挡层之间具有增强的附着强度，用于阻止焊接材料扩散进半导体基体。在半导体基体与Mo、W、Nb及Ni的扩散阻挡层之间形成一Sn合金层用于增强附着强度。通过锡与半导体的至少一种元素的相互扩散；从而在与半导体基体的界面处形成Sn合金。可以看出当Sn扩散半导体基体时不会降低其热电性能并提供与扩散阻挡层的金属元素的足够的附着强度。该热电器件是通过以下步骤制成的：a)制备具有相对面的热电半导体；b)在热电半导体的每个所述相对面上沉积一锡层；c)将Sn与热电半导体的至少一种元素相互扩散，从而在每个相对面上形成Sn合金层；d)在每个Sn合金层上沉积一Mo、W、Nb或Ni的扩散阻挡层。
热电器件及其制造方法

[发明专利]包括无氟钨阻挡层的半导体器件及其制造方法-CN201310102336.4有效
发明人：姜东均 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2013-03-27 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种形成具有降低的电阻率的无氟钨扩散阻挡层的方法、一种利用无氟钨扩散阻挡层的半导体器件，以及一种用于形成这样的半导体器件的方法。
包括无氟钨阻挡半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法-CN201310194853.9无效
发明人：周明杰;冯小明;陈吉星;王平 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-05-21 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基板、阳极、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、阴极和封装盖板，所述封装盖板和玻璃基板形成封闭空间，所述阳极、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、阴极容置在所述封闭空间内，所述空穴阻挡层材质为惰性氧化物和空穴阻挡材料形成的混合材料，所述空穴阻挡层可以吸附从电子传输层扩散过来的碱金属离子，使碱金属离子不再向发光层扩散，因而可以提高器件的使用寿命
一种有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]半导体元件的制造方法、半导体元件-CN201710457276.6有效
发明人：土屋裕彰;山口晴央;中井荣治 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01S5/323 文献下载
摘要：具备下述工序：台面部形成工序，形成台面部，该台面部在衬底的上方具有p型层、该p型层的上方的有源层及该有源层的上方的n型层；电流限制部形成工序，形成电流限制部，该电流限制部在该台面部的左右具有p型电流阻挡层、该p型电流阻挡层的上方的n型电流阻挡层及该n型电流阻挡层的上方的i型或p型的电流阻挡层；以及p型化工序，对该i型或p型的电流阻挡层、该n型电流阻挡层的上侧的部分及该n型层的左右的部分进行p型杂质的气相扩散或固相扩散，使该n型电流阻挡层的上侧的部分和该n型层的左右的部分成为p型半导体。
半导体元件制造方法

[实用新型]扩散式气体传感器-CN201821441549.4有效
发明人：克里斯蒂安·斯坦 -专利权人：斯马特气体微型传感器有限责任公司
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种扩散式气体传感器，包括：集成式主体和集成式扩散阻挡层；所述集成式扩散阻挡层安装在所述集成式主体上；其中，所述集成式扩散阻挡层为三明治结构，包括上下两个网格状的支撑体和夹置在两个支撑体之间的滤网本实用新型一种扩散式气体传感器，结构紧凑小巧，方便系统集成，其通过内含滤网的集成式扩散阻挡层的结构设计，一方面能够有效防止灰尘的落入，保证固定时间内的气体通过量，另一方面方便滤网的拆卸更换，实用性强。
集成式扩散阻挡层滤网气体传感器扩散式本实用新型支撑体进气口有效防止灰尘三明治结构拆卸更换气体通过系统集成网格状夹置样气保证