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[发明专利]基于巨磁阻抗效应的多铁存储器及无线收发装置-CN202210388806.7在审
发明人：王遥;肖蕊;陈蕾;文玉梅;李平 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：一种基于巨磁阻抗效应的多铁存储器及无线收发装置，包括：铁电层、软磁薄膜层和金属层；在信息写入时，在铁电层通入直流电源作为写入端口，利用电场脉冲激励铁电层产生非易失电致伸缩效应并传递到软磁薄膜层，通过耦合软磁薄膜在电场调控下的非易失巨磁阻抗效应和铁电层自身由于铁电畴旋转所引起的非易失阻抗效应，实现信息写入；在信息读出时，通过将铁电层和金属层串联，并通入交流电源作为读出端口，读出的阻抗作为存储信息，实现信息读出。本发明一方面可以实现非易失性的多态存储器，从而在断电时仍能保持存储的信息，并显著提高存储密度；另一方面可以通过一对相同结构的多铁存储器实现存储信息的无线收发功能。
基于磁阻效应存储器无线收发装置

[发明专利]铁电存储器-CN202210373356.4在审
发明人：徐亮;卜思童;方亦陈;刘晓真;许俊豪 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种铁电存储器，该铁电存储器中的第一存储单元包括晶体管和多个电容，多个电容的第一极板与晶体管的漏极连接，多个电容的第二极板分别对应连接至多条板线，多个电容均为铁电薄膜电容；读写控制器，响应于接收到从多个电容中的第一电容读取数据，在第一时段控制晶体管导通、向第二位线和与晶体管连接的第一位线提供第一信号，向与第一电容连接的第一板线提供第二信号；在第二时段控制晶体管关断、向第一位线和第二位线提供第三信号，向第一板线提供第四信号；在第三时段控制晶体管导通；在第四时段控制放大器使能。该铁电存储器，可以在提高铁电存储器的存储密度的情况下、简化铁电存储器的数据读取的设计。
存储器

[发明专利]半导体存储装置以及方法-CN201910729765.1有效
发明人：松并绚也 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2019-08-08 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：实施方式提供了一种半导体存储装置，其中能执行适当的读取操作并由此延长了寿命。根据一种实施方式，半导体存储装置包括第一配线、连接至第一配线的第一电阻变化元件、连接至第一电阻变化元件的第一非线性元件、和连接至第一非线性元件的第二配线。在第一电阻变化元件的读取操作中，将第一配线和第二配线之间的电压增加到第一电压，并且在第一配线和第二配线之间的电压增加到第一电压之后，将第一配线和第二配线之间的电压增加到大于第一电压的第二电压。
半导体存储装置以及方法

[发明专利]铁电存储阵列的控制器、控制方法及相关设备-CN202210304392.5在审
发明人：李昊;贾秀峰;张敏;杨喜超;张恒;吕杭炳;许俊豪 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-03-26 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本申请提供了一种铁电存储阵列的控制器、控制方法及相关设备，该控制器用于控制铁电存储阵列，铁电存储阵列包括阵列部署的多个铁电存储单元；控制器用于在向目标行中各所述存储单元连接的第一WL输入全选导通电平且向各所述存储单元连接的PL输入的传输电平小于0时，将第一数据写入目标行中各所述存储单元；控制器还用于在向目标行中各所述存储单元连接的WL输入片选导通电平时，向目标行中各所述存储单元连接的BL和PL输入传输电平，将第二数据写入目标存储单元。采用本申请，可在传输电平较低时向存储单元写入数据，并防止控制器向目标存储单元写入数据时对非目标存储单元存储的数据产生干扰，提高数据存储的存储密度。
存储阵列控制器控制方法相关设备

[发明专利]半导体存储器装置-CN201810940108.7有效
发明人：东悠介;上牟田雄一;井野恒洋 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：一种根据一个实施例的半导体存储器装置包含：存储器胞元，所述存储器胞元包含铁电膜；和控制所述存储器胞元的控制电路。另外，所述控制电路判断写入处理或擦除处理在所述存储器胞元上的执行次数是否已达到一定次数；并且如果执行次数已达到所述一定次数，则执行将第一极性的第一电压和与所述第一极性相反的第二极性的第二电压施加到所述铁电膜的电压施加处理。
半导体存储器装置

[发明专利]用于存储器感测的电荷分离-CN201880082384.2有效
发明人： U·迪温琴佐;R·穆泽托;F·贝代斯基 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本发明包含用于存储器感测的电荷分离的设备、方法及系统。一实施例包含：对存储器单元施加感测电压；及至少部分地基于对以下的比较来确定所述存储器单元的数据状态：在特定参考时间之前当正在对所述存储器单元施加所述感测电压时所述存储器单元所释放的电荷量与在所述特定参考时间之后当正在对所述存储器单元施加所述感测电压时所述存储器单元所释放的电荷量。
用于存储器电荷分离

[发明专利]铁电存储器及其制造方法-CN202280004455.3在审
发明人：张恒;张禹;张敏;宋伟基;许俊豪 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及铁电存储器及其制造方法。铁电存储器包括鳍形态的第一电极，第一电极沿着第一水平方向延伸。第二电极至少部分覆盖第一电极的第一侧壁和与第一侧壁相对的第二侧壁。铁电层位于第一电极与第二电极之间。该铁电存储器包括立式排布的铁电存储器单元，使得铁电存储器单元的铁电电容能够在纵向的空间上扩展，以提高存储密度，降低存储芯片的成本。
存储器及其制造方法

[发明专利]用于在存储器中执行连续阵列操作的设备和方法-CN202310231779.7在审
发明人： U·西奇利亚尼;V·莫斯基亚诺;W·迪·弗朗西斯可;D·斯里尼瓦桑 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本申请涉及用于在存储器中执行连续阵列操作的设备和方法。存储器可包含控制器，所述控制器被配置成使所述存储器进行以下操作：使存储器单元块的第一多个存储器单元准备从所述存储器单元块的初始化状态进行编程；将所述第一数据编程到所述第一多个存储器单元；和响应于在成功地验证所述第一数据到所述第一多个存储器单元的编程之前接收到与对应于所述存储器单元块的第二地址相关联并与第二数据相关联的写入命令，使所述存储器单元块中对应于所述第二地址的第二多个存储器单元准备进行编程且无需在将所述第一数据编程到所述第一多个存储器单元之后使所述存储器单元块返回到所述初始化状态。
用于存储器执行连续阵列操作设备方法

[发明专利]一种存储器及电子设备-CN202180087832.X在审
发明人：方亦陈;卜思童;刘晓真;侯朝昭;景蔚亮;许俊豪 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：一种铁电存储器，包括多个存储单元(400)，以及与这些存储单元(400)电连接的预充电线、字线、位线和源线。其中，每个存储单元(400)均包括第一晶体管、铁电电容和第二晶体管。第一晶体管的栅极受位线控制，源极或漏极中的一极与预充电线电连接，另一极分别电连接铁电电容的一端和第二晶体管的栅极。铁电电容的另一端电连接字线。第二晶体管的源漏两端分别电连接源线和位线。采用这种铁电存储器结构，可以在不需要灵敏放大器SA的情况下正确读出数据，节省了铁电存储器的面积，且降低了功耗。
一种存储器电子设备

[发明专利]铁电存储器及其控制方法、电子设备-CN202180086911.9在审
发明人：景蔚亮;吕杭炳;殷士辉;方亦陈;卜思童;黄凯亮;刘晓真;徐亮;许俊豪 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种铁电存储器及其控制方法、包含有该铁电存储器的电子设备。主要用于提升铁电存储器的存储密度。该铁电存储器包括：衬底和形成在衬底上的多个存储单元，每个存储单元包括第一晶体管、第二晶体管和浮栅，以及第一铁电电容；其中，浮栅沿与衬底相垂直的方向延伸，还有，第一晶体管和第二晶体管沿浮栅的延伸方向排布，并位于浮栅的相对的两端，且第一晶体管和第二晶体管均与浮栅电连接，也就是说，第一晶体管通过浮栅与第二晶体管电连接；第一铁电电容设置在浮栅的外围，并与浮栅电连接。这样的话，通过将浮栅与衬底相垂直设置，可以减少每个存储单元在衬底上所占据的面积，进而提升存储密度。
存储器及其控制方法电子设备

[发明专利]用于随机存取和铁电存储器的损耗均衡-CN201880063585.8有效
发明人： R·E·法肯索尔;D·维梅尔卡蒂;D·R·米尔斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本申请涉及用于随机存取和铁电存储器的损耗均衡。描述与用于随机存取和铁电存储器的损耗均衡相关的方法、系统和装置。例如铁电随机存取存储器FeRAM之类的非易失性存储器装置可以利用损耗均衡来通过避免由于循环能力有限引起的可靠性问题而延长存储器装置的寿命。可以通过放宽或避免对存储器阵列的同一部分内的源页面和目标页面的限制来扩展损耗平衡池或用于损耗平衡应用的单元数量。另外，在将数据从所述源页面移动到所述目标页面时，可以应用纠错码以避免复制所述源页面中存在的错误。
用于随机存取存储器损耗均衡

[发明专利]一种铁电电容型存储器多值存储光电协同操作方法-CN202310680801.6在审
发明人：周久人;刘宁;韩根全;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学;西安电子科技大学杭州研究院
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：一种铁电电容型存储器多值存储光电协同操作方法，所述铁电电容型存储器包括依次设置的底电极、半导体层、铁电介质层和顶电极，其特征在于，以所述半导体层的耗尽层电容与铁电介质层电容的串联电容Cacc代表存储信息，向所述顶电极施加写入或擦除的脉冲电压，通过所述脉冲电压的幅值调控半导层的耗尽层电容和铁电介质层的极化状态，即调控半导体层中与铁电介质层中的极化电荷相互响应的光生非平衡载流子的数量，或多数载流子的数量，从而改变Cacc的状态，实现多值存储。
一种电容存储器存储光电协同操作方法

[发明专利]场效应晶体管（FET）装置-CN202180088522.X在审
发明人： R·维加;安藤崇志;池澄;P·埃杜苏米利 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：提供了一种场效应晶体管(FET)器件。该器件包括在支撑衬底上的隔离区域，其将第一背栅极与第二背栅极分离，以及在第一沟道区域和第二沟道区域上的栅极电介质层。该器件还包括在栅极电介质层上的具有功函数值的导电栅极层和铁电体层，其中第一背栅极能够调整第一沟道区的阈值电压，并且第二背栅极能够调整第二沟道区的阈值电压。
场效应晶体管 fet 装置

[发明专利]一种存储器及电子设备-CN202180087479.5在审
发明人：卜思童;方亦陈;张恒;许俊豪 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-02-20 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本申请公开了一种存储器及电子设备。其中，存储器包括堆叠的多层存储阵列，多层存储阵列中的每一层存储阵列包括：矩阵排列的多个存储单元，多条源线，多条位线以及多条字线。由于存储单元为铁电晶体管，从而使该存储器具有较高的存储密度、低功耗和高速度等优势。并且，由于是多层存储阵列堆叠的三维结构，因此可以有效地增加存储容量。另外，由于多层存储阵列中至少两层存储阵列中相同位置的源线互连，和/或位线互连，和/或字线互连。从而通过源线互连、位线互连或字线互连可以减少用于连接存储阵列与控制电路的走线的数量，从而减少走线的占用面积，增大存储阵列的占用面积比例，进而进一步增大存储器的存储容量。
一种存储器电子设备

[发明专利]多级铁电存储单元-CN202010086592.9有效
发明人： J·弗鲁吉尔;谢瑞龙 -专利权人：格芯公司
申请日： 2020-02-11 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本发明涉及多级铁电存储单元。本公开涉及半导体结构，更具体地，涉及多级铁电存储单元及制造方法。该结构包括：第一金属化特征；锥形铁电电容器，其包括第一电极、第二电极和位于第一电极与第二电极之间的铁电材料，第一电极接触第一金属化特征；以及第二金属化特征，其接触第二电极。
多级存储单元

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