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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]包括存储器单元和在存储器单元之间的屏蔽材料的集成组合件及其形成方法-CN202010093160.0有效
发明人：山·D·唐;祐川光成;山本裕介;C·J·卡瓦姆拉;竹谷博昭 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-02-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请案涉及包括存储器单元及在所述存储器单元之间的屏蔽材料的集成组合件，以及形成集成组合件的方法。一些实施例包含具有埋置式字线、屏蔽板和存取装置的存储器装置。所述存取装置包含第一扩散区域和第二扩散区域以及沟道区域。所述扩散区域和所述沟道区域经垂直布置，以使得所述沟道区域在所述第一扩散区域与所述第二扩散区域之间。所述字线与所述沟道区域的第一侧表面邻近，且所述屏蔽板与所述沟道区域的第二侧表面邻近，其中所述第一侧表面和所述第二侧表面彼此相对。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
包括存储器单元之间屏蔽材料集成组合及其形成方法

[发明专利]存储器装置控制方案及相关联方法、装置和系统-CN202211470428.3在审
发明人： B·万莱文;C·J·卡瓦姆拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：公开了存储器装置控制方案及相关联方法、装置和系统。一种方法可包含激活第一目标字线。所述方法还可包含当所述第一目标字线激活时，将邻近所述第一目标字线的第二字线耦合到相关联第一主字线。此外，所述方法可包含当所述第一目标字线激活时，将所述相关联主字线耦合到负字线电压。
存储器装置控制方案相关方法系统

[发明专利]包含共享驱动器栅极的字线驱动器电路系统及相关方法、装置和系统-CN202211458736.4在审
发明人： C·J·卡瓦姆拉;J·W·汤普森;B·万莱文 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：公开了包含共享驱动器栅极的字线驱动器电路系统，及相关方法、装置和系统。装置可包含数个字线驱动器，其中所述数个字线驱动器中的每一字线驱动器包含第一晶体管和第二晶体管。所述装置还可包含数个第一驱动器栅极，其中每一字线驱动器的所述第一晶体管具有耦合到所述数个驱动器栅极的专用第一驱动器栅极的栅极。此外，所述装置可包含耦合到所述数个字线驱动器中的每一者的每一第二晶体管的栅极的第二驱动器栅极。
包含共享驱动器栅极电路系统相关方法装置

[发明专利]竖直存取线多路复用器-CN202111597343.7有效
发明人：何源;B·D·巴里;T·H·金;C·J·卡瓦姆拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：本申请涉及一种竖直存取线多路复用器。一种存取线多路复用器可在存储器单元的竖直堆叠层下形成。所述多路复用器可包含耦合到竖直存取线、耦合到水平存取线且耦合到第二晶体管的第一晶体管。所述第二晶体管可耦合到电源。所述晶体管可为n型金属氧化物半导体晶体管。
竖直存取多路复用

[发明专利]用于单端感测放大器的设备及方法-CN202210952295.7在审
发明人： T·H·金;C·J·卡瓦姆拉;李继云 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：用于单端感测放大器的设备、系统及方法。存储器装置可包含用于沿着数字线读取存储器单元的电压的多个感测放大器。双端感测放大器耦合到两个数字线。单端感测放大器耦合到单个数字线。存储器阵列的边缘字线的所述存储器单元可交替地耦合到单端感测放大器或双端感测放大器。单端感测放大器的使用可减少用于所述阵列中的给定数目个存储器单元的占用面积。
用于单端感测放大器设备方法

[发明专利]铁电存储器单元感测-CN201780027527.5有效
发明人： C·J·卡瓦姆拉;S·J·德尔纳 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2017-03-16 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本申请涉及用于铁电存储器单元的方法、系统和装置。描述用于操作铁电存储器单元的方法、系统和装置。存储器装置可将数字线电压维持于接地参考下达与对存储器单元的铁电电容器施加偏压相关联的持续时间。举例来说，与铁电电容器电子通信的数字线可在电压施加到所述铁电电容器的极板时虚拟地接地，且所述铁电电容器可在达到与将所述电压施加到所述极板相关联的阈值之后与虚拟接地隔离。与所述数字线和所述虚拟接地电子通信的切换组件(例如，晶体管)可启动以将所述数字线虚拟地接地且去启动以将所述数字线与所述虚拟接地隔离。
存储器单元

[发明专利]集成组合件-CN202110521384.1在审
发明人： S·J·德尔纳;C·J·卡瓦姆拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G11C11/4074 文献下载
摘要：本申请案涉及集成组合件。一些实施例包含一种集成组合件，所述集成组合件具有与驱动器电路耦合的第一字线和第二字线。所述第一字线具有远离所述驱动器电路的第一末端，并且所述第二字线具有远离所述驱动器电路的第二末端。开关邻近于所述第一末端且被配置成在所述第一字线从“开启”状态到“关断”状态的转变期间将所述第一末端耦合到所述第二末端和低电压参考源(例如，VNWL电源)中的一个或两个。
集成组合

[发明专利]包括数字线的集成组件-CN202011590756.8在审
发明人： C·J·卡瓦姆拉;李继云 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本申请涉及包括数字线的集成组件。一些实施例包含一种集成组件，所述集成组件具有与感测放大器电路系统耦合的第一数字线。所述第一数字线具有远离所述感测放大器电路系统的第一区域。第二数字线与所述感测放大器电路系统耦合，并且具有远离所述感测放大器电路系统的第二区域。预充电电路系统包含靠近所述第一区域和所述第二区域的一或多个第一均衡晶体管，并且包含靠近所述感测放大器电路系统的第二均衡晶体管。
包括数字集成组件

[发明专利]用于多电平单元的感测技术-CN201910650211.2有效
发明人： C·J·卡瓦姆拉;S·J·德尔纳 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-07-18 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明涉及用于多电平单元的感测技术。提供用于感测经配置以存储三种或三种以上状态的存储器单元的技术。可使用电荷转移装置在数字线与和感测组件耦合的节点之间转移电荷。在单个读取操作期间，可将多个电压施加到所述电荷转移装置的栅极。可基于施加到所述电荷转移装置的所述栅极的电压的数目多次感测所述节点。所述电荷可通过所述电荷转移装置基于数字线上的所述信号的值及施加到所述电荷转移装置的所述栅极的电压而转移。基于所述电荷被转移及所述感测组件多次感测所述节点，可确定与所述存储器单元相关联的逻辑状态。
用于电平单元技术

[发明专利]外围填充和局部电容-CN201880055583.4有效
发明人： C·J·卡瓦姆拉;S·J·德尔纳 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-07-24 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本申请案是针对存储器阵列，且更具体地说，是针对外围填充和局部电容。描述用于外围填充和局部电容的方法、系统和装置。可制造具有经连接以提供电容而非作为存储器单元操作的特定容器的存储器阵列。举例来说，具有一个或两个晶体管或其它切换组件和一个例如铁电或介电电容器等电容器的存储器单元可与共享共同存取线的一或多个容器电隔离，且隔离的容器可用作电容器。在一些实例中，所述电容器可用于滤波。或者，电容可用以升高或调节例如支持电路中的电压。
外围填充局部电容

[发明专利]具有位线噪声抑制方案的存储器装置-CN202010472571.0在审
发明人：祐川光成;C·J·卡瓦姆拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：本申请案涉及具有位线噪声抑制方案的存储器装置。一些实施例包含一种集成存储器，其具有：第一位线，其与第一组存储器单元耦合；及第二位线，其与第二组存储器单元耦合。所述第一位线及所述第二位线通过感测放大器彼此比较性地耦合。第一噪声抑制线邻近于所述第一位线的区且平行于所述第一位线的所述区延伸。所述第一噪声抑制线与所述第一位线及所述第二位线中的一者电连接且不与所述第一位线及所述第二位线中的另一者电连接。第二噪声抑制线邻近于所述第二位线的区且平行于所述第二位线的所述区延伸。所述第二噪声抑制线与所述第一位线及所述第二位线中的另一者电连接。
具有噪声抑制方案存储器装置

[发明专利]铁电存储器中的多层存储-CN202010960182.2在审
发明人： C·J·卡瓦姆拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2017-06-06 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本申请案涉及铁电存储器中的多层存储。本发明描述用于操作一个或若干个铁电存储器单元的方法、系统及装置。在一些实例中，用于铁电存储器的多层存取、感测及其它操作可基于感测多个电荷，包含与所述存储器单元的电介质相关联的第一电荷及与所述存储器单元的极化相关联的第二电荷。在一些情况中，多层存取、感测及其它操作可基于：将与所述存储器单元的电介质相关联的第一电荷转移到感测放大器；隔离所述感测放大器；激活所述感测放大器；将与所述存储器单元的极化相关联的第二电荷转移到所述感测放大器；及第二次激活所述感测放大器。
存储器中的多层存储

[发明专利]预写入阵列的存储器单元-CN201880010412.X有效
发明人： S·J·德尔纳;C·J·卡瓦姆拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本申请案涉及预写入阵列的存储器单元。本发明描述用于操作存储器单元或若干存储器单元的方法、系统及装置。存储器阵列的单元可经预写入，这可包含在使感测组件与所述阵列的数字线隔离时将所述单元写入到一个状态。可在隔离所述感测组件时在所述感测组件处执行读取或写入操作，且可在写入操作完成时解除隔离所述单元(例如，将其连接到所述数字线)。所述技术可包含以下技术：存取存储器阵列的存储器单元；至少部分基于所述单元的所述存取使感测放大器与所述存储器阵列的数字线隔离；触发所述感测放大器；及在隔离所述感测放大器时将所述存储器阵列的所述存储器单元预写入到第二数据状态。在一些实例中，所述存储器单元可包含铁电存储器单元。
写入阵列存储器单元

[发明专利]具有行锤击应力缓解的DRAM阵列架构-CN202010138924.3在审
发明人： C·J·卡瓦姆拉;C·L·英戈尔斯;T·H·金 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-03-03 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：本申请案涉及具有行锤击应力缓解的DRAM阵列架构。一种设备包含多个主字线电路。每一主字线电路将相应全局字线驱动到有效状态值、中间电压状态或预充电状态中的一个。中间电压状态电压低于有效状态电压且高于预充电状态电压。存储器装置还包含多个子字线驱动器。每一子字线驱动器连接到对应全局字线且经配置以在对应全局字线电压与低电压值之间驱动相应局部字线。所述设备进一步包含多个相位驱动器。每一相位驱动器连接到预定数目的子字线驱动器，其中所述预定数目的子字线驱动器中的每一者连接到不同全局字线。
具有行锤击应力缓解 dram 阵列架构

[发明专利]主字线驱动器电路-CN202010142788.5在审
发明人： T·H·金;C·J·卡瓦姆拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-03-04 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：本申请案涉及一种主字线驱动器电路。主字线电路提供第一和第二行因子信号。所述主字线电路包含上拉电路以当所述第一行因子信号处于第一值时驱动全局字线以遵循第一经解码地址信号。所述主字线电路包含中间电压电路以驱动所述全局字线以遵循所述第二行因子信号的值。处理装置通过当所述第一经解码地址信号处于高状态时将所述第一行因子信号设定为所述第一值而将所述全局字线驱动到有效状态，且通过当所述第一经解码地址信号处于所述高状态时将所述第一行因子信号设定为所述第二值而驱动所述全局字线以遵循所述第二行因子信号的值。
主字线驱动器电路

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