[发明专利]存储器编程操作中的覆写模式在审
| 申请号： | 202210546665.7 | 申请日： | 2022-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN115376589A | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | T·O·伊瓦萨基;K·坦派罗;J·黄;L·C·米兰达;宁涉洋 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/04;G11C16/14;G11C16/34;G06F12/0882 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述用于在覆写模式中执行存储器编程操作的系统和方法。实例存储器装置包括：存储器阵列，其包括电耦合到多个字线和多个位线的多个存储器单元；和控制器，其耦合到所述存储器阵列，所述控制器执行包括以下各项的操作：响应于识别将由所述存储器阵列的一部分存储的第一数据项，致使执行第一存储器编程操作以将所述存储器阵列的所述部分包括的存储器单元集编程到第一目标阈值电压；和响应于识别将由所述存储器阵列的所述部分存储的第二数据项，致使执行第二存储器编程操作以将所述存储器单元集编程到超过所述第一目标阈值电压的第二目标阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 编程 操作 中的 模式 | ||
【主权项】：
暂无信息
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