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- [发明专利]半导体器件-CN99105780.5无效
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铃木久满
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日本电气株式会社
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1999-04-15
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1999-10-20
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H01L29/72
- 提供一种包括自对准型多发射极双极晶体管的半导体器件,其中每个集电极－基极隔离长度可以被减小成与集电极－基极击穿电压相连所允许的最小值,在这种双极晶体管中,一个以上发射极/基极形成区和至少一个集电极引线区排列在单独的阵列中,而非本征基区通过基极引线电极连接到具有设置在单独阵列外部的接触栓塞的至少一个基极电极上。因此,可以将集电极电阻、集电极－基极电容和集电极－衬底电容最小化,还可将双极晶体管的元件尺寸最小化。
- 半导体器件
- [发明专利]发光晶体管-CN200710097363.1无效
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文元河;崔昌焕;黄永南
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三星电机株式会社
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2007-05-11
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2007-12-12
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H01L33/00
- 一种发光晶体管，包括：第一导电型集电极层，形成于基板上；第二导电型基极层，形成于所述集电极层的预定区域上；集电极，形成于所述集电极层上未形成有所述基极层的区域上；第一导电型发射极层，形成于所述基极层的预定区域上；基电极，形成于所述基极层上未形成有所述发射极层的区域上；发射电极，形成于所述发射极层上；第一激活层，形成于所述集电极层与所述基极层之间；以及第二激活层，形成于所述基极层与所述发射极层之间。
- 发光晶体管
- [发明专利]外延结构和晶体管-CN202080002079.5在审
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颜志泓;蔡文必;魏鸿基
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厦门市三安集成电路有限公司
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2020-09-24
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2021-06-01
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H01L29/10
- 外延结构包含复合基极层和发射极层，复合基极层包含第一基极层和设置在所述第一基极层上的第二基极层；所述第一基极层的材料包含InxGa1‑xAs1‑yNy，其中0x≤0.2，0≤y≤0.035；所述第二基极层的材料包含InmGa1‑mAs，其中0.03≤m≤0.2；设置在所述第二基极层上的发射极层，所述发射极层材料为磷化铟镓；当y取值为0y≤0.035，x/base:Sub>As1‑yNy具有低能隙的特点，能够减少晶体管的开启电压，减少功耗，在靠近发射极层的方向上，第一基极层中In含量不变，第二基极层中In含量逐渐增大，In含量逐渐增大能够提高电子的载子迁移率，减少器件的基电极层的电阻，能够保证晶体管的高频下的良好频率特性。
- 外延结构晶体管
- [发明专利]异质接面双极晶体管-CN201610720947.9有效
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高谷信一郎;邱瑞斌;张家达
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稳懋半导体股份有限公司
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2016-08-25
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2020-06-19
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H01L29/737
- 本发明公开了一种异质接面双极晶体管，其包括在一GaAs基板上的一集电极、一基极和一发射极，其中所述基极包括一第一基极层，其包括具有一铟含量i和一第一斜率s1的IniGa1‑iAs，和一第二基极层，其包括具有一铟含量j和一第二斜率s2的InjGa1‑jAs，且s1的平均值为s2的平均值的一半或更小；或者其中所述基极包括一第三基极层，其包括具有一铟含量m的InmGa1‑mAs，和一第四基极层，其包括具有一铟含量n的InnGa1‑nAs，且n的一平均值大于靠近第四基极层处的m；或者其中所述基极包括一第五基极层，其假晶于GaAs且其体晶格常数大于GaAs，所述发射极包括一第三射极层，其假晶于GaAs且其体晶格常数小于GaAs。
- 异质接面双极晶体管
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