专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]太阳能电池-CN201410368320.2在审
  • 陈传祺;林佳龙;简荣吾 - 英稳达科技股份有限公司
  • 2014-07-30 - 2016-02-10 - H01L31/0224
  • 一种太阳能电池,包括基板、连续的射极扩散区、多个不连续的基极扩散区、第一指状电极与第二指状电极;基板具有受光面与相对受光面的背光面;射极扩散区配置于背光面,用以收集太阳能电池中的少数电荷载子;基极扩散区配置于背光面,用以收集太阳能电池中的多数电荷载子,且射极扩散区环绕于多个基极扩散区的周围;每一基极扩散区为具有长轴与短轴的多边形,其中短轴小于长轴;第一指状电极配置于射极扩散区上方且电性连接射极扩散区;第二指状电极配置于基极扩散区上方且电性连接基极扩散区
  • 太阳能电池
  • [发明专利]功率放大电路-CN202010433189.9在审
  • 本多悠里;播磨史生;户谷光广 - 株式会社村田制作所
  • 2020-05-20 - 2020-11-27 - H03K19/0185
  • 功率放大电路具备:第1晶体管,在基极输入第1信号,对所述第1信号进行放大,从集电极输出第2信号;和偏置电路,向第1晶体管的基极供给偏置电流,偏置电路包含:第2晶体管,向第1晶体管的基极供给偏置电流;第3晶体管,基极与第2晶体管的基极连接,集电极与第2晶体管的集电极连接;和第4晶体管,基极与第3晶体管的发射极连接,集电极与第2晶体管的发射极连接,抽出偏置电流的至少一部分。
  • 功率放大电路
  • [发明专利]可变低电阻线非易失性存储元件及其运转方法-CN201980072575.5在审
  • 孙锺和;孙锺亦 - 维迈默里公司
  • 2019-10-24 - 2021-06-11 - H01L45/00
  • 本发明的一个实施例公开一种存储元件及其运转方法,作为可变低电阻线存储元件及其运转方法,包括:基极,所述基极包含自发极化性材料;栅极,所述栅极邻接所述基极地配置;至少两个极化区域,所述极化区域通过所述栅极向所述基极施加电场而在所述基极形成具有互不相同方向的极化;可变低电阻线,所述可变低电阻线选择性地与所述具有互不相同方向极化的极化区域的边界对应;源极,所述源极与所述可变低电阻线相接地配置;漏极,所述漏极与所述可变低电阻线相接地配置;所述可变低电阻线由所述基极区域中电阻比与所述可变低电阻线邻接的其他区域低的区域形成
  • 可变电阻线非易失性存储元件及其运转方法
  • [发明专利]半导体器件-CN201110274284.X有效
  • 北川光彦 - 株式会社东芝
  • 2011-09-15 - 2012-04-11 - H01L29/739
  • 根据实施方式,半导体器件具备:基极层;设置在基极层上的第二导电型半导体层;第一绝缘膜,设置在从第二导电型半导体层的表面向基极层侧延伸、未到达基极层的多个第一沟槽的内壁上;和第一电极,隔着第一绝缘膜设置在第一沟槽内第二导电型半导体层具有:由第一沟槽夹持的第1第二导电型区域;和第2第二导电型区域,设置在第1第二导电型区域与基极层之间以及第一沟槽的底部与基极层之间,该第2第二导电型区域的第二导电型杂质量比第1第二导电型区域少
  • 半导体器件
  • [发明专利]一种HBT制造方法-CN201610773723.4有效
  • 朱庆芳;魏鸿基;王江;窦永铭;许燕丽;李斌 - 厦门市三安光电科技有限公司
  • 2016-08-31 - 2019-09-20 - H01L21/331
  • 本发明公开了一种HBT制造方法,是对半导体基片依次进行发射极台面腐蚀以留出发射极的电极形成区域并露出基极层的电极形成区域并制作基极电极,进行基极台面腐蚀以露出集电极层的电极形成区域并制作集电极电极,于发射极的电极形成区域之外沉积介质层,腐蚀介质层以对基极电极、集电极电极相应的区域开孔,同时制作集电极电极引出线、基极电极引出线以及发射极电极以及进行电极互联布线。相对于现有技术,本方法将发射极电极、基极电极引出线以及集电极电极引出线于同一工序中同时制作,省却了单独的发射极电极制作这一工序,从而降低了制造成本。
  • 一种hbt制造方法
  • [实用新型]高压脉冲电源-CN201120373864.X有效
  • 崔建勋 - 崔建勋
  • 2011-10-08 - 2012-05-23 - H02M9/00
  • 一种高压脉冲电源,包括:驱动单元,包括第一驱动模块和第二驱动模块;脉冲变压单元;绝缘栅双极晶体管单元,由并联在所述驱动单元和所述脉冲变压单元之间的第一绝缘栅双极晶体管和第二绝缘栅双极晶体管构成;基极和发射极保护电路单元,包括第一基极和发射极保护电路单元和第二基极和发射极保护电路单元;电容单元,设置在所述绝缘栅双极晶体管单元与所述脉冲变压单元之间。基极和发射极保护电路单元形成一个限幅电路,减小基极电荷积累,抑制基极电压出现尖峰,使绝缘栅双极晶体管导通速度减慢,降低控制脉冲信号的前后沿陡度,抑制振荡。
  • 高压脉冲电源

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