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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200410104941.6有效
发明人：小林研也 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2004-12-27 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：单元包括：在第一基极区里形成的第一源极区，在第一基极区里形成的且与第一源极区分离的第二源极区，以及在第一基极区里形成的且布置在第一和第二源极区之间的第二基极区。单元的第二基极区与相邻单元的第二基极区分离，并且单元的第一或第二源极区与相邻单元的第一或第二源极区分离。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]双极型晶体管及其制造方法-CN200510096626.8无效
发明人：林仪宇 -专利权人：敦南科技股份有限公司
申请日： 2005-08-24 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明提供一种双极型晶体管及其制造方法，其在晶体管的基极层与发射极层间扩散有低掺杂层，以有效降低从该基极层回流到该发射极层的周边无效电流，提高基极层到该发射极层的周边表面正向偏压，而达到晶体管的高电流增益特性该双极型晶体管至少包括：半导体衬底；深埋层，形成于该半导体衬底上；外延层，形成于该深埋层上；集电极层，形成于该外延层上；基极层，形成于该外延层上；发射极层，形成于该基极层中；及低掺杂层，形成于该基极层与该发射极层的周边表面间
双极型晶体管及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201210161705.2无效
发明人：大竹诚治 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2012-05-23 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：与N＋型发射极区域（14E）下方的P型基极区域（7）的底部接触而形成有N型基极宽度控制层（9）。通过形成N型基极宽度控制层（9），使N＋型发射极区域（14E）下方的P型基极区域（7）局部变浅。另外，P型基极区域（7）使用P型阱区域（6）的形成工序而形成，N型基极宽度控制层（9）使用N型阱区域（8）的形成工序而形成，由此能够实现工序合理化。
半导体装置及其制造方法

[实用新型]带隙基准源电路及其基极电流补偿电路-CN201420779530.6有效
发明人：王沦 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十七研究所
申请日： 2014-12-10 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本实用新型针对双三极管PN结串联结构的带隙基准源公开了一种基极电流补偿电路，包括镜像待补偿支路电流的第一电流镜，接收镜像的支路电流以采样待补偿三极管的基极电流的采样三极管，以及镜像基极电流并输出给待补偿支路的第二电流镜保证了补偿的精确性的同时，有效消除基极电流导致的基准电压温度系数较大的现象。本实用新型还公开了包含上述基极电流补偿电路的带隙基准源电路，能在降低运算放大器失调电压的影响的同时也消除了基极电流导致的基准电压温度系数较大的现象。
基准电路及其基极电流补偿

[发明专利]高电压半导体元件-CN201010623359.6有效
发明人：黄学义;黄胤富;连士进 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种高电压半导体元件，用于高电压应用，包括一掺杂源基极区、一N+源极区、一P+源极区和一栅极结构。此掺杂源基极区为P型。此N+源极区向下延伸入此掺杂源基极区。此P+源极区邻近此N+源极区并向下延伸入此掺杂源基极区，且相较于此掺杂源基极区是具有较重掺杂。此栅极结构耦接至此N+源极区且邻近此P+源极区。
电压半导体元件

[发明专利]异质结双极晶体管-CN201811122861.1有效
发明人：梅本康成;小屋茂树;大部功 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：在基板上层叠有集电极层、基极层以及发射极层。集电极层包含渐变型半导体层，该渐变型半导体层的电子亲和力从接近基极层的侧朝向远离基极层的侧增大。基极层的接近集电极层的侧的界面上的电子亲和力与渐变型半导体层的接近基极层的侧的界面上的电子亲和力相等。
异质结双极晶体管

[发明专利]功率转换装置中的电流控制型半导体开关元件的驱动装置-CN00130677.4无效
发明人：沖田美久 -专利权人： TDK股份有限公司
申请日： 2000-07-08 - 公布日： 2001-03-14 - 主分类号： H02M3/28 文献下载
摘要：驱动装置包括连接到开关元件的基极或栅极的输出馈电线,连接到发射极或源极的输出返回线。提供了用于检测集电极电流或漏极电流的集电极电流检测装置,以及用于控制基极电流或栅极电流的基极电流控制装置。基极电流控制装置根据来自集电极电流检测装置的集电极电流信号控制基极电流以减小开关元件中传导损耗与驱动功率之和。
功率转换装置中的电流控制半导体开关元件驱动

[发明专利]双极晶体管及其制造方法-CN200410064035.8无效
发明人：梁奉吉;申宪宗;朴康旭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-06-14 - 公布日： 2005-02-23 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明公开了一种双极晶体管及其制造方法，该双极晶体管包括：具有第一导电型的集电区的衬底，在集电区上水平延伸的第二导电型的基极层，以及至少部分地包含在基极层中的第一导电型的发射区。该双极晶体管也包括面对发射区的上表面的发射极电极，以及面对基极层的上表面的基极电极。基极电极的至少一部分的垂直剖面等于或大于发射极电极的垂直剖面。
双极晶体管及其制造方法

[发明专利]弹道半导体元件-CN200480001374.X无效
发明人：大塚信之;水野纮一;吉井重雄;铃木朝实良 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-04-14 - 公布日： 2005-12-07 - 主分类号： H01L29/68 文献下载
摘要：本发明的弹道半导体元件备有n型的发射极层(102)、由n型的InGaN构成的基极层(305)、n型的集电极层(307)、夹在上述发射极层(102)和上述基极层(305)之间并具有比上述基极层(305)的能带间隙大的能带间隙的发射极势垒层(103)、和夹在上述基极层(305)与上述集电极层(307)之间具有比上述基极层(305)的能带间隙大的能带间隙的集电极势垒层(306)，并在10GHz以上工作。
弹道半导体元件

[发明专利]功率半导体装置-CN201180025732.0有效
发明人： M.拉希莫;A.科普塔;C.冯阿尔克斯;M.安德纳 -专利权人： ABB技术有限公司
申请日： 2011-03-23 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：该装置包括：-第一导电类型的漂移层(6)，-第二导电类型的第一基极层(4)，第一基极层(4)设置在漂移层(6)与发射电极(2)之间，所述第一基极层(4)与发射电极(2)直接电接触，-第一导电类型的第一源区(5)，其设置在发射极侧(11)上嵌入第一基极层(4)中，并且接触发射电极(2)，所述第一源区(5)相比漂移层(6)具有更高的掺杂浓度，-第一栅电极(3)，其与第一基极层(4)、第一源区(5)和漂移层(6)电绝缘，并且所述第一栅电极(3)设置在与第一基极层(4)相同的平面中并且在其侧部，并且比第一基极层(4)更深地延伸到漂移层(6)中。-第二导电类型的第二基极层(45)，其设置在与第一基极层(4)相同的平面中并且在其侧部，-第二栅电极(35)，其设置在发射极侧(11)的顶部，以及–第一导电类型的第二源区(55)，其设置在发射极侧(11)上嵌入第二基极层(45)中，并且延伸到第二栅电极(35)下面的区中，所述第二源区(55)相比漂移层(6)具有更高的掺杂浓度，其中第二栅电极(35)通过第二绝缘层(36)与第二基极层(45)、第二源区(
功率半导体装置

[实用新型]一种基准电流源电路-CN202220961606.1有效
发明人：王玉伟;孙权;张龙;袁婷;罗红瑞 -专利权人：西安航天民芯科技有限公司
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：包括9个三极管Q1‑Q9和6个电阻R1‑R6；R5一端接VDD，另一端接Q7发射极，R4一端接Q7集电极，另一端接Q5集电极，Q5发射极接R3一端，另一端接Q3集电极，Q3发射极接Q1集电极，其基极接Q2发射极；R1一端接Q2发射极，Q2基极接Q1集电极，Q2发射极接Q4发射极，Q4基极与Q3基极相连，Q4集电极接Q6发射极，Q5基极与Q6基极相连，Q6集电极接R6一端，另一端接VDD；R2一端接Q8发射极，Q8基极与Q2基极相连，Q8集电极和Q9发射极相连，Q9基极与Q4基极相连，Q9集电极输出基准电流。
一种基准电流电路

[发明专利]功率放大电路-CN201610240309.7有效
发明人：长谷昌俊 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2016-04-18 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：包括：基极被输入第一信号且从集电极输出将第一信号放大后的第二信号的第一放大晶体管；第一电阻；及经由第一电阻将第一偏置电流提供给第一放大晶体管的基极的第一偏置电路。第一偏置电路包含：基极与集电极连接且在集电极被提供偏置控制电流的第一双极晶体管；基极与集电极连接且集电极与第一双极晶体管的发射极连接的第二双极晶体管；基极与第一双极晶体管的基极连接且发射极与第一电阻的一端连接并且从发射极输出第一偏置电流的第三双极晶体管；集电极与第三双极晶体管的发射极连接且基极与第二双极晶体管的基极连接的第四双极晶体管；及设置在第三双极晶体管的基极‑发射极之间的第一电容器。
功率放大模块

[发明专利]半导体器件-CN202080072377.1在审
发明人：幸忠男;石田刚志 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，包括：具有主面、且包括器件区域的第一导电型半导体层；在上述器件区域中形成在上述主面的表层部的第二导电型基极区域；在与上述半导体层之间划分出沟道区域的第一导电型源极区域，其从上述基极区域的边缘部向内方隔开间隔地形成在上述基极区域的表层部；形成在所述基极区域的表层部的第二导电型基极接触区域；在与上述基极区域之间划分出漂移区域的第一导电型阱区域，其在上述器件区域中与上述基极区域隔开间隔地形成在上述主面的表层部；形成在上述阱区域的表层部的第一导电型漏极区域；形成在上述阱区域的表层部且与上述漏极区域电连接的第二导电型杂质区域；和栅极构造，其具有在上述主面上覆盖上述沟道区域的栅极绝缘膜和在上述栅极绝缘膜上与上述沟道区域相对且与上述源极区域和上述基极接触区域电连接的栅极电极
半导体器件

[发明专利]一种共电极薄SOI纵向双极型晶体管器件及其制造方法-CN200910198552.7有效
发明人：周建华;陈天兵;彭树根;高明辉 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2009-11-10 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：现有技术中晶体管未共用电极导致器件结构不紧凑和集成度低，另外基极引出区通过基极连接区与硅基极区相连，导致工艺复杂、基极输入电阻大和频率性能差。本发明的器件包括多个具有第一和第二晶体管的晶体管单元，第一和第二晶体管均具有依次层叠在顶层硅中的集电极区、硅基极区和硅射极区以及设在顶层硅上的多晶射极区，共用多晶基极区与第一和第二晶体管的硅基极区均连接且设置在第一和第二晶体管的多晶射极区之间并通过介质隔离结构与两者隔离本发明结构紧凑、集成度高、基极输入电阻小和频率性能好。
一种电极 soi 纵向双极型晶体管器件及其制造方法

[发明专利]MOS型半导体器件及其制造方法-CN201110230128.3有效
发明人：新村康 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2011-08-02 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的MOS型半导体器件包括：p基极区(17)，p基极区(17)的底部形成为具有有限曲率半径的结构，并选择性地设置在n-漂移层(1)的正面区域上；n型第一区(6)，n型第一区(6)选择性地设置在p基极区(17)的正面区域上；栅电极(8)，栅电极(8)设置在n型第一区(6)的表面和n-漂移层(1)的表面之间的p基极区(17)的一部分表面上，并且在p基极区(17)的正面和栅电极(8)之间插入有栅绝缘膜(10)；以及金属电极(13)，金属电极(13)与n型第一区(6)的表面以及p基极区(17)的表面的中央部以导电的方式接触，其中，基极区和漂移层之间的PN接合面在基极区的外部和内部都具有曲率中心。
mos 半导体器件及其制造方法