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[发明专利]一种减少掺杂剂镓挥发的方法-CN202011450513.4有效
发明人：苏伟;陈龙;孙立娟 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C30B31/04 文献下载
摘要：本发明提供一种减少掺杂剂镓挥发的方法。所述减少掺杂剂镓挥发的方法包括以下步骤：(1)在料筒中装入部分硅料后，将石英管插入所述硅料中，再在所述石英管的外侧装入剩余硅料；(2)将镓从所述石英管的上方加入石英管中，使所述镓落入石英管的底部后，取出石英管，实现镓的掺杂。所述方法可以有效的将掺杂剂加入中下部，同时减少了人员操作难度，避免了镓挥发及沾到筒壁。
一种减少掺杂挥发方法

[发明专利]硅片的加工方法和具有其的电池片、光伏组件-CN202111600087.2在审
发明人：请求不公布姓名;王栩生;李林东;蔡旭;请求不公布姓名;李晶 -专利权人：阿特斯阳光电力集团股份有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明提出一种硅片的加工方法和具有其的电池片、光伏组件，所述加工方法包括以下步骤：S1、将硅棒段进行剖方以得到多个矩形方棒；S2、对每个所述矩形方棒进行抛光；S3、沿所述矩形方棒的长度方向切割抛光后的所述矩形方棒以得到多个用于制备电池片的硅片。根据本发明的硅片的加工方法，通过采用上述步骤S1至步骤S3，可以通过切割矩形方棒直接获得多个小尺寸的硅片，节省了划片的过程，保证了电池片的光电转换效率，且降低了硅片的碎片率，提高了单公斤硅棒段的硅片的出片量，同时可以避免切片后的硅片出现厚度不均、翘曲等问题。
硅片加工方法具有电池组件

[发明专利]硅片的加工方法、具有其的光伏电池和光伏组件-CN202111600106.1在审
发明人：请求不公布姓名;王栩生;李林东;蔡旭;李晶;郭庆红;翟传鑫;袁为进 -专利权人：阿特斯阳光电力集团股份有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司;洛阳阿特斯光伏科技有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明提出一种硅片的加工方法、具有其的光伏电池和光伏组件，加工方法包括以下步骤：S1、将单晶硅棒段进行剖方以得到单晶方棒；S2、对所述单晶方棒进行抛光；S3、沿抛光后的所述单晶方棒的纵向切割所述单晶方棒以得到多个单晶方棒段；S4、对每个所述单晶方棒段的切割面进行抛光；S5、沿所述单晶方棒段的截面方向切割抛光后的所述单晶方棒段以得到多个用于制备光伏电池的硅片。本发明实施例可以通过切割矩形方棒直接获得多个小尺寸的用于制备光伏电池的硅片，节省了划片的过程，保证了光伏电池的光电转换效率，且降低了硅片的碎片率，提高了单公斤单晶硅棒段的硅片的出片量，同时可以避免切片后的硅片出现厚度不均、翘曲等问题。
硅片加工方法具有电池组件

[发明专利]籽晶的铺设方法-CN202010621470.5有效
发明人：黎晓丰;陈伟;李林东;唐珊珊;王全志 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种籽晶的铺设方法，所述籽晶的铺设方法包括：以阵列排布的方式铺设多个第一籽晶以构成籽晶阵列，并使相邻两个所述第一籽晶之间彼此间隔开以限定出第一间隙；在所述籽晶阵列的至少一个侧边处铺设形成为条状结构的至少一个第二籽晶，并使所述第二籽晶沿所述籽晶阵列的所述至少一个侧边延伸，且至少一个所述第二籽晶覆盖至少一个所述第一间隙的至少一部分。根据本发明的籽晶的铺设方法，一方面，可以避免多个第一籽晶相互挤压产生应力而在高温下生成位错，另一方面，可以避免籽晶阵列的上述至少一个侧边处产生多晶。另外，还可以防止外部的携带杂质的气体通过第一间隙进入籽晶阵列，从而可以减少缺陷的产生，提升晶体硅的质量。
籽晶铺设方法

[发明专利]类单晶铸锭籽晶铺设设备及其控制方法-CN202010553017.5有效
发明人：陈伟;任贵;唐珊珊;李林东 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司
申请日： 2020-06-17 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种类单晶铸锭籽晶铺设设备及其控制方法，类单晶铸锭籽晶铺设设备包括：籽晶安置装置、取放装置和控制单元。籽晶安置装置用于将待移动的籽晶安置在第一位置。取放装置用于将放置在籽晶安置装置的籽晶转移至坩埚内的目标位置。控制单元与取放装置通讯，用于确定从第一位置到目标位置的运动路径，并向取放装置发送与运动路径对应的指令。该类单晶铸锭籽晶铺设设备可以大幅度地提高籽晶铺设效率，从而可以提高类单晶制备的效率以及可以降低作业人员的工作强度。
类单晶铸锭籽晶铺设设备及其控制方法

[发明专利]用于晶体硅铸锭的籽晶层结构与晶体硅锭的制备方法-CN201911253665.2有效
发明人：王全志;陈伟;李林东;唐珊珊;陈志军 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：本申请提供了一种用于晶体硅铸锭的籽晶层结构与晶体硅锭的制备方法，所述籽晶层结构包括第一籽晶层、设置在所述第一籽晶层外侧的第二籽晶层，所述第一籽晶层包括若干紧密排布的方块籽晶，所述第二籽晶层包括若干贴近所述方块籽晶设置的条状籽晶。本申请通过在第一籽晶层的外周设置第二籽晶层，所述条状籽晶与方块籽晶的接缝在后续长晶过程中所生成的晶界能够阻挡自坩埚侧壁成核生长的多晶朝中间区域延伸生长，提高所述第一籽晶层所对应区域的单晶占比与硅锭质量，且该籽晶层结构设计简洁，易于实施。
用于晶体铸锭籽晶结构制备方法

[发明专利]铸锭生长硅晶体的装料方法-CN202010681027.7有效
发明人：王全志 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种铸锭生长硅晶体的装料方法，所述装料方法包括：包括：将硅块装入炉体内，使硅块自炉体的底部向上铺设；在所述硅块的最上方铺设至少两层交叠设置的硅片，每层具有多个阵列分布的硅片，且任意相邻的两层硅片满足以下分布条件：上层各个硅片之间的缝隙与下层各个硅片之间的缝隙错开；盖上炉盖。通过在装料时在硅料的最上层紧密铺设两层以上硅片，硅片采用错位交叠的方式进行铺装，由于硅片的体积膨胀较小，因此可以避免体积膨胀带来的不安全，同时由于硅片的面积较硅块大、更完整，因此形成阻挡屏障，气流不能穿过硅片进入下方硅料中，由此有效阻挡气流的进入硅块内。
铸锭生长晶体装料方法

[发明专利]一种籽晶铺设方法及类单晶硅锭的制备方法和由其制得的类单晶硅锭-CN202010485686.3有效
发明人：王全志;陈伟;李林东;唐珊珊 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明提供一种籽晶铺设方法，所述方法通过在铺设的籽晶之间留有缝隙并严格限定缝隙的距离，不仅能够解决现有类单晶硅锭铸锭过程中产生的位错缺陷问题；而且包括所述铺设方法的类单晶硅锭的制备方法通过同时限定第二加热熔化期和第一长晶期的坩埚底部温度，能够有效防止硅液流下导致的杂质凸起问题，制得的类单晶硅锭位错缺陷极少且没有杂质凸起，能够较好地应用在太阳能等领域中。
一种籽晶铺设方法单晶硅制备

[发明专利]水冷结构和具有其的类单晶铸锭设备-CN202011595280.7在审
发明人：唐珊珊;陈志军;李林东 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种水冷结构和具有其的类单晶铸锭设备，类单晶铸锭设备的水冷结构包括散热基体，散热基体表面具有进水口和出水口，散热基体内设有进水支路和出水支路，进水支路为多条，多条进水支路与进水口均连通，出水支路与出水口连通，多条进水支路通过出水支路与出水口连通。根据本发明的类单晶铸锭设备的水冷结构，通过在散热基体内设置进水支路和出水支路，冷却水可以通过进水口进入进水支路，再通过出水支路从出水口流出。由此，冷却液在流动过程中，冷却液可以与散热基体换热，进而可以将散热基体上热量带走，从而达到散热的目的。
水冷结构具有类单晶铸锭设备

[发明专利]类单晶晶体品质评估方法及系统-CN202011292055.6在审
发明人：王全志;陈伟;李林东;唐珊珊;张光春 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： G01N21/63 文献下载
摘要：本发明公开了一种类单晶晶体品质评估方法及系统，该方法包括：获取类单晶晶体开方后得到的多个晶体块的头料和尾料；对获取到的多个头料和多个尾料的横截面分别进行PL检测；将多个头料和多个尾料对应的PL检测结果按照预设方向进行原位置拼接，对应得到晶体块的头部检测结果和尾部检测结果；根据头部检测结果和尾部检测结果对类单晶晶体品质进行评估。本发明采用晶体块头部位置和尾部位置的横截面的检测结果来评估类单晶晶体的品质，从而能够准确、高效地表征表征类单晶晶体的品质，并有效规避掉对籽晶尺寸的依赖。
类单晶晶体品质评估方法系统

[实用新型]一种单晶炉用导气筒及单晶炉-CN202122613311.3有效
发明人：马新成;秦乐;蔡旭;李晶;刘文涛;丁天璞 -专利权人： 包头阿特斯阳光能源科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及单晶炉技术领域，具体公开了一种单晶炉用导气筒及单晶炉，该单晶炉用导气筒包括导气筒本体，导气筒本体包括第二通道、设置于第二通道两端的第一通道以及连接于第一通道的第三通道，第一通道、第三通道均与第二通道相连通且同轴设置；第一通道的内径沿靠近第二通道的方向逐渐减小，第一通道的内壁与第一通道的中心线之间的夹角为30度‑70度；第二通道的内径与第一通道中的最小的内径相同，第三通道的内径与第一通道中的最大的内径相同，任一第三通道能与单晶炉内部连通。上述设置可以延长对单晶炉用导气筒本体内部进行清理的周期，能够实现较长周期的工作。
一种单晶炉用导气筒单晶炉

[发明专利]籽晶生长的工艺方法-CN202010797866.5在审
发明人：王全志 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司
申请日： 2020-08-10 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种籽晶生长的工艺方法，籽晶生长的工艺方法包括：将硅料放置于炉体内加热；对炉体加热至第一预定阶段，炉体内压力设定为90‑100mbar，炉体内进气量和出气量均小于10nl/min；对炉体加热至第二预定阶段，炉体内压力设定为250‑350mbar，炉体内进气量和出气量均小于10nl/min。根据本发明的籽晶生长的工艺方法，通过控制炉体内压力，且使进气量和出气量均小于10nl/min，由此可以降低气流流动速度，可以防止气流流向炉体的底部，从而可以避免气流激发炉体内底部的杂质，进而可以避免杂质与硅料融合，提升籽晶纯度。
籽晶生长工艺方法

[实用新型]一种主加热器及单晶炉-CN202122044030.0有效
发明人：马新成;李晶;蔡旭;秦乐;刘文涛;丁天璞 -专利权人：阿特斯阳光电力集团股份有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种主加热器及单晶炉，其属于光伏技术领域，主加热器包括主加热器本体、主体拼接片和电极脚板。主加热器本体呈圆环状，包括第一发热片、第二发热片、第三发热片和第四发热片，第一发热片、第二发热片、第三发热片和第四发热片依次首尾连接围设形成圆环状；主体拼接片设置有两个，一个主体拼接片连接第一发热片和第二发热片，另一个主体拼接片连接第三发热片和第四发热片；电极脚板设置有两个，一个所述电极脚板连接所述第二发热片和所述第三发热片，另一个所述电极脚板连接所述第一发热片和所述第四发热片。单晶炉包括上述的主加热器。本实用新型装配简单，降低了使用过程中的打火短接的几率。
一种加热器单晶炉

[实用新型]一种复投器-CN202122399163.X有效
发明人：马新成;秦乐;蔡旭;李晶;刘文涛;丁天璞 -专利权人： 包头阿特斯阳光能源科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及单晶炉辅助器件技术领域，具体公开了一种复投器，该复投器包括复投本体、第一固定组件和第二固定组件。其中，复投本体内设有贯穿复投本体的复投通道；复投本体为适应材质，可选地，复投本体为圆筒状结构。第一固定组件可拆卸地连接于复投本体，用于提拉复投本体；第二固定组件可拆卸地连接于复投本体，复投本体位于炉内时，第二固定组件能卡接于喉口处。上述设置，一方面降低了加工成本，在更换复投本体时，将第一固定组件和第二固定组件从旧的复投本体拆下来并安装在新的复投本体上即可；另一方面，还在复投本体出现磕碰时降低损伤概率；最后还便于清洗复投本体的外壁。
一种复投器

[发明专利]护边料的装料方法-CN202010621455.0在审
发明人：王全志;陈伟;李林东;唐珊珊 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种护边料的装料方法，所述护边料的装料方法包括以下步骤：在坩埚的内侧壁上铺设沿所述坩埚的周向彼此间隔开的多个第一护边料，并使相邻两个所述第一护边料之间具有第一间隙；在多个所述第一护边料的上方铺设沿所述坩埚的周向彼此间隔开的多个第二护边料，并使相邻两个所述第二护边料之间具有第二间隙，且每个所述第二护边料覆盖至少一个所述第一间隙的至少一部分。根据本发明的护边料的装料方法，通过使每个第二护边料覆盖至少一个第一间隙的至少一部分，在保证保护坩埚内侧壁的涂层的同时，可以对气体的气路造成遮挡，从而可以降低晶体硅中的氧碳含量，提升晶体硅的质量。
护边料装料方法

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