专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]大面微纳图形化的装置和方法-CN201510654336.4在审
  • 兰馨然;兰红波 - 兰红波
  • 2015-10-10 - 2015-12-16 - G03F7/00
  • 本发明公开了一种大面微纳图形化的方法和装置,该装置机架、工作台、承片台、衬底、压印材料、软模具、滚轮、紫外光光源、压印机构、真空管路、压力管路。基于该装置实现大面微纳图形化的方法:(1)预处理;(2)压印和固化;(3)脱模;(4)后处理。该方法充分结合了平板型纳米压印和滚轮型纳米压印工艺的优势,通过滚轮、软模具、工作台和气路系统的密切配合,完成大面压印和脱模操作。实现在超大尺寸、非平整刚性衬底(硬质基材或基板)、或易碎衬底上高效、低成本规模化制造大面微纳米结构,解决了米级尺度超大尺寸刚性衬底的大面微纳米图形化难题。具有结构和工艺简单、效率高、成本低、压印图形精度高和缺陷率低的特点。
  • 大面积图形装置方法
  • [发明专利]基于图形化GaN基外延层的大面微机械剥离方法-CN202210598547.0在审
  • 冯玉霞;张运龙;韦佳;孙宇廷 - 北京工业大学
  • 2022-05-30 - 2022-08-30 - H01L21/335
  • 本发明公开了基于图形化GaN基外延层的大面微机械剥离方法,通过在外延衬底表面覆盖二维材料生长GaN基外延层,在外延生长之后将GaN基外延层图形化为平方厘米量级的小图形,同时利用图形化过程中的硬质掩膜层作为应力层,以微机械剥离方式实现GaN基外延层的大面无损剥离。该方法利用二维材料与衬底和外延层、或二维材料层间的弱结合力,并通过将GaN基外延层图形化为一定面积的小图形克服因二维材料缺陷导致的大尺寸晶片内部应力分布不均匀问题,实现GaN基外延层大面剥离和外延衬底重复利用因此本发明在实现高质量大面GaN基外延层剥离的同时,具有工艺简单、工艺兼容性好和成本低的优势。
  • 基于图形gan外延大面积微机剥离方法
  • [发明专利]一种大面图形、图像的显示系统-CN201010154528.6无效
  • 周卫星;秦笛 - 华南师范大学
  • 2010-04-16 - 2010-09-01 - G09F9/30
  • 本发明属于图形、图像显示技术领域,公开了一种大面图形、图像的显示系统,包括多个显示单元和一个总控制器,所述多个显示单元构成大面图形、图像的显示区域;总控制器包括依次相连的控制模块、指令发生模块、无线发射模块以及发射天线;所述显示单元为无线射频遥控发光装置,其发光方式受总控制器控制;显示单元接收到总控制器的发射天线发出的控制指令后实现预定义的操作从而呈现大面图形或图像。在控制器的控制下,可产生各种图形、图像,可用在文艺演出,体育运动会等大型公众活动中,加强现场的视觉显示效果,很好的烘托现场气氛。
  • 一种大面积图形图像显示系统
  • [发明专利]一种低成本大面石墨烯图形化方法-CN202210498527.6在审
  • 王俊强;王崟杰;李孟委 - 中北大学
  • 2022-05-09 - 2022-09-13 - H01L21/04
  • 本发明属于半导体加工技术领域,具体涉及一种低成本大面石墨烯图形化方法,包括下列步骤:S1、在转移了石墨烯薄膜的衬底表面沉积一层铝金属作掩膜;S2、旋涂一层光刻胶并光刻,以便图形化铝金属掩膜;S3、刻蚀石墨烯大面石墨烯中,清洁一致的表面保证了其电学、力学等特性的一致性,故在大面石墨烯图形化中适用。本发明使用铝金属材料作为掩膜材料,其材料成本低,在大面石墨烯图形化中额外增加的材料成本有限。
  • 一种低成本大面积石墨图形方法
  • [发明专利]大面纳米图形化的装置和方法-CN201310166637.3有效
  • 兰红波 - 青岛博纳光电装备有限公司
  • 2013-05-07 - 2013-08-07 - G03F7/00
  • 本发明公开了一种大面纳米图形化的装置和方法,该装置包括:承片台、衬底、涂布装置、模具进给装置、带形模具、脱模剂喷涂装置、模具清理装置、辅助压印装置、UV固化装置、压印装置等。基于该装置实现大面图形化的方法:(1)预处理;(2)压印材料涂布;(3)压印成型;(4)模具处理。本发明实现了超大尺寸非平整刚性衬上微纳米结构高效、低成本规模化制造,为大尺寸刚性衬底大面纳米图形化提供一种工业级的解决方案,可应用于高性能玻璃、太阳能电池板、平板显示、微光学器件、LED等行业规模化生产
  • 大面积纳米图形装置方法
  • [实用新型]大面纳米图形化的装置-CN201320242545.4有效
  • 兰红波 - 青岛博纳光电装备有限公司
  • 2013-05-07 - 2013-09-25 - G03F7/00
  • 本实用新型公开了一种大面纳米图形化的装置,该装置包括:承片台、衬底、涂布装置、模具进给装置、带形模具、脱模剂喷涂装置、模具清理装置、辅助压印装置、UV固化装置、压印装置等。基于该装置实现大面图形化的方法:(1)预处理;(2)压印材料涂布;(3)压印成型;(4)模具处理。本实用新型实现了超大尺寸非平整刚性衬上微纳米结构高效、低成本规模化制造,为大尺寸刚性衬底大面纳米图形化提供一种工业级的解决方案,可应用于高性能玻璃、太阳能电池板、平板显示、微光学器件、LED等行业规模化生产
  • 大面积纳米图形装置
  • [发明专利]大面亚微米有序结构图形的生成方法-CN200910025235.5无效
  • 张瑞英;王强斌;杨辉;董建荣 - 苏州纳米技术与纳米仿生研究所
  • 2009-02-25 - 2009-10-07 - B82B3/00
  • 本发明公开了一种大面亚微米有序结构图形的生成方法,涉及微纳米级制造领域,其特征在于包括:首先,在清洁的初制衬底表面化学键合或物理吸附一层符合大小与形状要求的单层粒子;然后,在所述衬底及单层粒子上沉积生成金属薄膜层;继而,采用适当的有机溶剂溶解该单层粒子,并将单层粒子连同沉积在其表面的金属薄膜一并剥离,在初制衬底表面形成金属掩膜图形;最后,采用适当的方法将金属掩膜图形转移到实需衬底,生成有序的亚微米结构图形,并将掩模金属层去除实施本发明大面亚微米有序结构图形的生成方法,其具有结构图形的生成灵活可控、衬底选择性广、大面生成易于实现,及成本低廉和无需昂贵加工设备的有益效果。
  • 大面积微米有序结构图形生成方法
  • [发明专利]一种大面完美量子点及其阵列制造方法-CN201110271043.X有效
  • 兰红波;丁玉成 - 青岛理工大学
  • 2011-09-14 - 2011-12-21 - H01L29/06
  • 本发明公开了一种大面完美量子点及其阵列制造方法。首先,在衬底缓冲层之上沉积一层薄的电介质层,采用软紫外纳米压印和刻蚀工艺在电介质层上制作出纳米孔图形阵列;然后,以制备的图形化衬底为模板,使用选择性外延生长工艺,在图形窗口区域纳米孔内生长种子层量子点,去除电介质层,得到种子层;在种子层之上生长隔离层,在隔离层之上垂直堆积生长量子点,获得大面完美量子点及其阵列。该方法充分结合并利用具有电介质层的图形化衬底、选择性外延生长和垂直堆积生长工艺的优势。实现大小和形状高度均匀、成核位置精确控制、长程有序、光学特性好以及无缺陷的大面完美量子点的制造,具有成本低、生产效率高、适合规模化生产的优点。
  • 一种大面积完美量子及其阵列制造方法
  • [发明专利]使有机发光二极体显示器的显示内容具有均匀亮度的方法-CN02106869.0无效
  • 陈彦华;简志忠 - 胜园科技股份有限公司
  • 2002-03-06 - 2003-09-17 - G09G3/32
  • 本发明提供使有机发光二极体显示器的显示内容具有均匀亮度的方法,该显示内容有多个图形及像素,显示器有一驱动晶片,以点亮各该图形及像素,该方法的步骤为:(A)设定一单位时间,其为驱动晶片扫描每个像素的时间;(B)计算每个图形面积倍数,是其面积与一个像素面积的比值,且取得一最大倍数;(C)按步骤(B)得到的最大面倍数,由该驱动晶片对该每个图形同时供应一第一扫描信号,供应时间为单位时间乘以最大面倍数;(D)按步骤(B)得到的每个图形面积倍数,于该驱动晶片对该每个图形同时供应该第一扫描信号时,该驱动晶片分别对该每个图形供应第一电流信号,该每个第一电流信号的供应时间为该单位时间乘以该每个图形面积倍数。
  • 有机发光二极体显示器显示内容具有均匀亮度方法

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