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[发明专利]基于无掩模光刻的扇出封装系统、方法及重布线方法-CN202110162608.4有效
发明人：刘强;陈新;汤晖;卢振威;吴诗锐;詹子凡;崔成强;高健 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：基于无掩模光刻的扇出封装系统、方法及重布线方法，无掩模光刻方法，其基于数字微镜的无掩模光刻技术，通过改变输入DMD中的CAD位图来改变光刻线路来配合偏移的芯片进行光刻，它不需要直接使用掩模版就能实现在芯片上进行加工，削减了封装成本；布线方法通过无掩模光刻方法在芯片表面形成多层导电层；其方法通过布线方法能实现无掩模的芯片扇出封装；其系统包括：激光发生器、工业相机、数据处理装置、光刻光源和数字微镜阵列DMD。同时，基于数据处理装置视觉的算法处理，本无掩模光刻方法根据偏移量与角度生成一个新的掩模图像，即该方法可以解决扇出型封装中的芯片偏移问题，极大地提高了封装的灵活性。
基于无掩模光刻封装系统方法布线

[发明专利]用于无掩模光刻系统的通用计量文档、协议及处理-CN201980101225.7在审
发明人：塔纳·科斯;陈正方;道格拉斯·约瑟夫·万·迪恩·布鲁克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-10-08 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式涉及一种光刻工艺的系统、软件应用程序及方法，利用光刻环境的每个部件可读取的文档来更新掩模图案、无掩模光刻装置参数、光刻工艺参数之中的一者或多者。光刻环境的每个部件可读取的文档储存并共享文本资料，并促进光刻环境的各个部件之间的通信，从而更新对应于要写入的图案的掩模图案，校准光刻环境的无掩模光刻装置，以及校正光刻工艺的工艺参数，以在连续的基板上精确地写入掩模图案
用于无掩模光刻系统通用计量文档协议处理

[发明专利]用于使用带电粒子多束波光刻系统制造独特芯片的方法和系统-CN201780068886.5有效
发明人： M·N·J·范科尔维克;V·S·凯伯 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2017-09-08 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种使用无掩模光刻曝光系统诸如带电粒子多束波光刻系统(301A‑301D)创建电子器件诸如半导体芯片的方法。无掩模光刻曝光系统包括光刻子系统(316)，光刻子系统包括无掩模图案写入器诸如带电粒子多束波光刻机(1)或电子束机器。方法包括在将图案数据以流传送至无掩模图案写入器之前将独特芯片设计数据(430)或与独特芯片设计数据相关的信息引入至包括共用芯片设计数据的图案数据中。
用于使用带电粒子波光系统制造独特芯片方法

[发明专利]用于直接写入光刻的产生可变间距嵌套线或接触孔的方法-CN200410043262.2无效
发明人：纳比拉·巴巴－阿里 -专利权人： ASML控股股份有限公司
申请日： 2004-05-14 - 公布日： 2004-12-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本文提供了一种用于显影光刻掩模布局的方法和系统。该光刻掩模布局适用于在无掩模光刻系统中配置微镜面阵列。该方法包括生成一代表与期望图象有关的图象特征的理想掩模布局。接着，根据理想掩模布局的平均强度产生等效掩模。
用于直接写入光刻产生可变间距嵌套接触方法

[发明专利]一种提高数字无掩模光刻分辨力的方法-CN201110286667.9无效
发明人：罗宁宁;高益庆;张志敏;吴华明 -专利权人：南昌航空大学
申请日： 2011-09-24 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高数字无掩模光刻分辨力的方法，涉及无掩模光刻技术领域。它是先将原始空间频率较高的灰度掩模分解成m幅与原始灰度掩模大小相等、空间频率稍低的灰度掩模，再依次将每幅降频后的灰度掩模分解成n幅大小相等的低频二值掩模。原始空间频率较高的灰度掩模共分解成m n幅二值掩模，利用SLM动态控制掩模的特性，将这m n幅二值掩模沿垂直于掩模所在平面的方向顺序对准叠加曝光，每幅掩模的曝光时间ti遵循一定的变化规律。本发明提出的方法避免了数字灰度掩模中相邻像素因灰阶不同而构成高频光栅的情况，从而降低精缩透镜组低通滤波特性对曝光的影响，较好地改善了光刻胶上曝光图形的边缘锐度，提高了数字无掩模光刻的分辨力。
一种提高数字无掩模光刻分辨力方法

[发明专利]无掩模光刻方法和无掩模光刻设备-CN202110645560.2在审
发明人：陈晓西;徐律涵;陈松泽;叶茂 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明属于光刻技术领域，尤其涉及一种无掩模光刻方法和无掩模光刻设备，所述方法包括以下步骤：S1：获取目标物的待曝光区域；S2：根据所述待曝光区域产生焦点控制信号，所述焦点控制信号用于控制曝光光束聚焦的焦点的移动轨迹本发明的无掩模光刻方法和设备不需要使用掩模版，因此节约了制作掩模版的时间和成本。
无掩模光刻方法设备

[发明专利]一种紧凑型无掩模光刻系统及其曝光方法-CN202110155435.3在审
发明人：李春;周思瀚;张思琪;兰长勇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开一种紧凑型无掩模光刻系统及其曝光方法，应用于无掩模数字光刻领域，针对现有技术存在的光路折叠导致紫外光能量急剧缩减的问题，本发明将紫光与红光集成在同一个平面，保证紫光与红光形成同轴光源，红光用作照明以及曝光图形对准，紫光用于曝光分布与光轴四周，解决了目前无掩模光刻系统中，结构复杂、所用元件过多导致光刻系统体积过大的问题；因光路复杂引发的光能利用率低而导致的光刻系统光刻效率低下的问题。
一种紧凑型无掩模光刻系统及其曝光方法

[发明专利]一种基于位移补偿提高DMD无掩模光刻分辨率的方法-CN202211686257.8在审
发明人：李春;杨卓俊;林杰;张秋松;兰长勇 -专利权人：电子科技大学;烟台东仪光电产业技术研究院有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于位移补偿提高DMD无掩模光刻分辨率的方法，在使用LED紫外光源和低倍率投影物镜(如10×)的背景下，将原数字掩模版图拆分成各个子版图载入到DMD芯片中进行分次曝光，在每相邻子版图的曝光间隔内使用压电纳米位移台进行对应纳米级分辨率的位移补偿，既保证了DMD无掩模光刻系统结构的紧凑型和加工效率，又显著提升了DMD无掩模光刻系统的分辨率；另外，建立了DMD芯片所生成数字掩模图案经投影后在光刻胶上的光强分布模型，能够对上述位移补偿量及投影光刻系统的实际加工效果进行预测和指导
一种基于位移补偿提高 dmd 无掩模光刻分辨率方法

[发明专利]一种将矢量图形转化成位图并进行自适应分割的方法-CN201410458372.9有效
发明人：李艳丽;严伟;冯金花 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提出了一种将矢量图形转化成位图并进行自适应分割的方法，该方法针对数字无掩模光刻技术中数字掩模只能是位图的特点，通过解析矢量图的坐标和属性，逐层划分，图元合并和位图补偿的方式有效准确的将一副矢量图转化位图并分割成适用于数字无掩模光刻的多幅子位图该方法避免了矢量图形直解映射到位图造成精度的损失，解决了数字无掩模光刻技术中生成数字掩模的局限性。
一种矢量图形转化位图进行自适应分割方法

[发明专利]一种面向DMD无掩模光刻的MBOPC方法-CN202310283065.0在审
发明人：李春;杨卓俊;兰长勇;朱子成 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种面向DMD无掩模光刻的MBOPC方法，一方面，以夫琅禾费衍射理论为基础建立了光刻成像模型，另一方面利用遗传算法作为掩模优化算法，并通过MATLAB实现两者的有机结合，以完成对初始数字掩模图案的像素级灰度优化，来修正其曝光时在光刻胶上的光强分布，即显著提高了在高微缩比例(微缩比大于10:1)的DMD无掩模光刻系统中小尺寸图案图形化的保真度，又极大地解放了掩模优化过程中所需的人工成本。
一种面向 dmd 无掩模光刻 mbopc 方法

[发明专利]无掩模光刻的剥离方法-CN201110404918.9有效
发明人：王宏钧;林子钦;郑年富;陈政宏;黄文俊;刘如淦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-12-07 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开一种无掩模光刻的剥离方法。本发明涉及实施无掩模光刻工艺的方法。该方法包括接收用于集成电路(IC)器件的计算机布局文件。布局文件包括多个IC部分。该方法包括将计算机布局文件分为多个子文件。该方法包括将多个分离的子文件传送到无掩模光刻系统。
无掩模光刻剥离方法

[发明专利]一种适用于无掩模数字光刻的邻近效应校正方法-CN201910733292.2有效
发明人：刘江辉;刘俊伯;赵立新;唐燕;胡松 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于无掩模数字光刻的邻近效应校正方法，利用数字微镜对光场相位振幅的调制机理，分析不同灰度级次对光场振幅峰值及半峰高宽分布以及最终在光敏介质上线宽线距的影响，在基于经验的邻近效应校正基础上，建立适用于无掩模数字光刻技术的查找表，并在传统数字掩模的像素点上添加灰度信息，从而完成特殊的邻近效应后掩模的设计。本方法能有效弥补无掩模数字光刻技术上因单一像素点尺寸固定从而无法添加或修改掩模图形的缺陷，优化小尺度下的邻近效应如拐角变圆、线宽变动、线端缩短等现象。
一种适用于无掩模数字光刻邻近效应校正方法

[发明专利]用于稳定投射设备的气动控制挠曲系统-CN202280012979.7在审
发明人：阿萨夫·基德龙;施佳炜;陈亮瑜;张哲恺;杨子慧;尼姆罗德·史密斯;格兰特·王;普雷斯顿·冯;瓦苏曼·加纳帕蒂·斯里兰卡;大卫·卡利;鲁道夫·布鲁纳 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2022-02-01 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本揭露案的实施方式涉及投射稳定系统和具有投射稳定系统的无掩模光刻系统。投射稳定系统补偿移动图像投射系统(IPS)的传播振动。在无掩模光刻工艺操作之前，IPS处于处理位置。一或多个加强件耦接至IPS。挠曲件耦接至IPS，以在无掩模光刻工艺的操作期间向IPS提供稳定化。例如，一或多个加强件保护IPS免受在操作期间传播穿过系统的振动。
用于稳定投射设备气动控制挠曲系统

[发明专利]一种基于无掩模直写光刻的光学窗口透射波前修正方法-CN201910905813.8有效
发明人：罗先刚;王炯;蒲明博;马晓亮;李雄;赵泽宇 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于无掩模直写光刻的光学窗口透射波前修正方法，包括以下步骤：步骤S1、提供一块光学窗口材料；步骤S2、基片预抛光：采用研磨抛光方法将基片进行预处理，使其透射波前接近加工指标要求，采用干涉仪检测光学窗口的透射波前分布；步骤S3、无掩模直写光刻：根据步骤S2的光学窗口透射波前检测结果，设计用于修正透射波前的无掩模曝光图案，采用设计图案通过无掩模直写光刻对光学窗口实现透射波前修正。该方法可以对光学窗口进行非接触、无应力、定点波前修正，具有加工效率高、修正精度高、成本低等优点。
一种基于无掩模直写光刻光学窗口透射修正方法

[发明专利]在光学无掩模光刻中用于曝光图案和模拟掩模的方法-CN200580005833.6无效
发明人：托布乔恩·桑德斯特罗姆;汉斯·马丁森 -专利权人：麦克罗尼克激光系统公司
申请日： 2005-02-24 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及光学无掩模光刻(optical masklesslithographyOML)。特别地，本发明涉及提供与掩模和相移掩模技术有可识别关系的OML。
光学无掩模光刻用于曝光图案模拟方法

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