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[发明专利]验证利用AEI OVL补偿套刻精度是否有效的方法-CN202310835866.3在审
发明人：姜冒泉;金乐群;李玉华;陈建;李锦茹 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请提供一种验证利用AEI OVL补偿套刻精度是否有效的方法，包括：若显影后套刻标记图形和刻蚀后套刻标记图形存在所述补偿偏差，则套刻偏差；获取特征图形偏差；根据套刻偏差和特征图形偏差，进行点对点建模以得到拟合曲线，并获取拟合曲线的K值和相关系数R2；根据相关系数R2以及K值，判断利用AEI OVL来补偿套刻精度的方式是否有效。本申请通过套刻偏差和特征图形偏差建模得到拟合曲线，并通过拟合曲线的相关系数R2和K值，判断利用AEI OVL来补偿套刻精度的方式是否有效，确保基于AEI OVL量测反馈的准确性和可靠性，从而改善图层最终真实套刻精度。
验证利用 aei ovl 补偿精度是否有效方法

[发明专利]光刻方法-CN202110446871.6有效
发明人：李玉华;黄发彬;吴长明;姚振海;金乐群 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：本申请公开了一种光刻方法，包括：在晶圆上覆盖光阻；通过掩模板对光阻进行曝光；进行显影，去除曝光区域的光阻，形成高深宽比的光阻图形，该高深宽比的光阻图形是深度和宽度的比值大于等于3的光阻图形；在光阻上覆盖收缩材料，该收缩材料填充所述光阻图形之间的沟槽和/或通孔；在烘烤设备中烘烤，烘烤设备包括放置晶圆的第一加热板和位于晶圆上方的第二加热板；去除收缩材料。本申请在光刻过程中，在显影形成高深宽比光阻图形后，在光阻图形中填充收缩材料且将晶圆放置于具有上下加热板的烘烤设备中进行烘烤，由于上下加热板的设置能够设置烘烤的加热梯度，从而能够通过加热收缩材料修正光阻图形的形貌缺陷，提高了器件的可靠性。
光刻方法

[发明专利]光源衰减监测方法和装置、光源寿命测定方法和装置-CN202110690615.1有效
发明人：郭超;金乐群;姚振海;姜冒泉;费志平;肖翔 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种光源衰减监测方法和装置、光源寿命测定方法和装置。其中监测方法包括：获取n个预备晶片组，每个预备晶片组中包括m张晶片，其中n和m均为大于1的正整数；使用被测光源以第一光辐射能量，对n个预备晶片组，按照先后顺序依次进行曝光操作，确定对各个预备晶片组进行曝光操作的时刻为使用时间点；获取平均曝光各个预备晶片组中每张晶片的预备片曝光时长；确定由各个预备片曝光时长组成的预备片曝光时长变量，与由各个使用时间点组成的使用时间之间的对应关系。本申请可以解决相关技术中定时进行光源光辐照度测试，以确定该光源衰减的的方法费时费力，不利于机台产能的问题。
光源衰减监测方法装置寿命测定

[发明专利]改善套刻精度的方法-CN202310450454.8在审
发明人：姜冒泉;金乐群;李玉华;陈建;李锦茹 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种改善套刻精度的方法，提供晶圆，在晶圆上形成有前层结构以及位于前层结构上的当层结构，前层结构上形成有前层套刻标记；在前层结构上形成光刻胶层，光刻打开光刻胶层形成刻蚀图案以及当层套刻标记，之后进行显影后检测，根据前层套刻标记和当层套刻标记获取第一误差；以刻蚀图案为掩膜刻蚀当层结构，用以形成刻蚀后图形，之后进行刻蚀后检测，根据刻蚀后图形获取第二误差，第二误差为刻蚀的偏移量；通过第一、二误差获取补偿值，光刻机的套刻精度补正系统利用补偿值修正当前批次或下一批次晶圆的套刻精度。本发明基于刻蚀后量测特征图形关键尺寸的差异建模表征套刻标记，对当层套刻标记反馈进行补偿，改善了图层套刻精度。
改善精度方法

[发明专利]超高深宽比图形的光刻工艺方法-CN202110011356.5有效
发明人：程宇;纪明岐;朱至渊;李玉华;吴长明;姚振海;金乐群 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种超高深宽比图形的光刻工艺方法，对光刻图形采用以双重曝光技术为基础，同时采用单次曝光对焦增强技术对图形进行曝光，最后形成超高深宽比的图形。本发明通过双重曝光技术及单次曝光对焦增强技术的叠加效应，结合强力曝光后烘烤，将两次曝光的投影叠加在一起，最终形成了超高深宽比的光刻图形。
高深图形光刻工艺方法

[发明专利]一种光刻胶的涂布方法-CN202211259797.8在审
发明人：杨伟;王宇凡;方正;陈媛儒;王绪根;金乐群;姚振海;吴长明 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提供一种光刻胶的涂布方法，包括将待涂胶的晶圆进行预处理；采用动态涂胶方法在晶圆表面喷涂光刻胶以形成沿圆周方向由外到里的蚊香式光刻胶，并在晶圆的中心喷涂光刻胶；涂胶完成后，控制晶圆转动，令光刻胶成膜；对晶圆进行清洗和去边；将晶圆快速甩干。本发明解决了现有涂胶方式光刻胶易堆积在晶圆中心、光刻胶膜厚均匀性差的问题，改善了光刻胶膜厚均匀性。
一种光刻方法

[发明专利]需要进行光刻返工的闪存器件的制备方法-CN202211287564.9在审
发明人：朱至渊;刘鹏;徐积斌;李玉华;黄发彬;吴长明;姚振海;金乐群 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H10B41/00 文献下载
摘要：本发明提供一种需要进行光刻返工的闪存器件的制备方法，包括：获取之前多个批次中介质侧墙的侧表面的电荷量；获取介质侧墙的侧表面的电荷密度；获取所述介质侧墙的最小宽度尺寸；重新设计掩模版以重新定义所述介质侧墙在宽度上的尺寸；形成图案化的光刻胶层；刻蚀一定厚度的所述介质层以得到位于衬底中的所述浅沟槽隔离结构和覆盖所述栅极的侧表面的所述介质侧墙。本申请通过根据电荷密度以及其他一些参数，获取所述介质侧墙的最小宽度尺寸，重新设计掩模版来重新定义所述介质侧墙在宽度上的尺寸，使得光刻返工后的介质侧墙在积累大量电荷之后的极板放电的情况下可以承受高压，避免了栅极和/或衬底被高压击穿而烧毁的情况，提高了器件的良率。
需要进行光刻返工闪存器件制备方法

[发明专利]半导体器件制造方法-CN202210951053.6在审
发明人：李亚洲;姚振海;金乐群;居碧玉;徐杰 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种半导体器件制造方法。所述半导体器件制造方法包括以下步骤：提供半导体晶片；在所述晶片的表面沉积形成多晶硅层，使得所述多晶硅层覆盖所述晶片的晶面上和晶背上；对晶面上和晶背上均形成有多晶硅层的晶片进行多晶硅刻蚀，图案化位于所述晶片晶面上的多晶硅层。本申请提供的一种半导体器件制造方法，可以解决相关技术中因晶面和晶背之间会产生压力差导致套刻偏差的问题。
半导体器件制造方法

[发明专利]改善在晶圆上旋涂光刻胶中边缘风旋产生的方法-CN202210586026.3在审
发明人：方正;吴长明;冯大贵;姚振海;金乐群;王绪根;杨伟;王宇凡 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提供一种改善在晶圆上旋涂光刻胶中边缘风旋产生的方法，提供晶圆和光刻胶旋涂机，利用光刻胶旋涂机在晶圆表面形成光刻胶层；利用光刻胶旋涂机以第一转速旋涂光刻胶层，用以减薄光刻胶层；降低光刻胶旋涂机的转速至第二转速，之后旋涂光刻胶层至设定的厚度。本发明的方法消除了晶圆旋涂光刻胶时产生的风旋，提升了光刻胶膜厚均匀性；减少机台因为光刻胶膜厚异常而导致的宕机，提高了产量。
改善晶圆上旋涂光刻边缘产生方法

[发明专利]套刻精度的补偿方法-CN202210808458.4在审
发明人：姜冒泉;姚振海;金乐群;李玉华 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种套刻精度的补偿方法，所述方法包括：提供一晶圆，且根据预设规则将所述晶圆划分为至少两个区域，并确定所述晶圆的目标区域；获取各区域的套刻精度量测值，并根据各区域的所述套刻精度量测值得到各区域的套刻精度补偿值；对各区域的套刻精度补偿值进行加权后计算以得到晶圆的配比补偿值。通过本发明解决了现有的未对晶圆边缘区域的套刻精度进行优化补偿的问题。
精度补偿方法

[发明专利]用于光刻设备的曝光补偿方法及系统-CN202010847479.8有效
发明人：李玉华;徐新;吴长明;姚振海;葛斌;金乐群;高中原 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请涉及光刻技术领域，具体涉及一种用于光刻设备的曝光补偿方法及系统。方法包括：系统自动获取光刻机汞灯光源的功率。在未满功率工作，系统不做补偿。在工作光源开始处于满功率工作状态时刻，获取工作光源的初始输出光能量；根据预光源输出光能量与工作时间之间的关系模型，确定实际需求曝光剂量与预存的目标曝光剂量之间的曝光剂量差值；根据曝光剂量差值调节光刻机扫描速率，使得对晶圆能够按照补偿后的曝光剂量进行光刻。系统包括：在光路上依次设置的光源、能量传感控制组件、曝光快门、透镜组件、反射镜和投影物镜，可以解决相关技术不能适应随着汞灯的使用时间的增长，其输出光的能量会逐渐减弱，CD均值不断变差的问题。
用于光刻设备曝光补偿方法系统

[发明专利]改善光刻工艺对位失败的方法-CN202011482431.8有效
发明人：黄发彬;朱至渊;赵潞明;程宇;李玉华;吴长明;姚振海;金乐群 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善光刻工艺对位失败的方法，包含：第一步，制作测试光罩，将对位标记均放置到测试光罩上；第二步，依据不同工艺平台制作相应的结构片；利用测试光罩进行曝光并完成后续的膜层生长；第三步，将结构片涂敷光阻，进行不同对位标记的对位测试，完成对位信号数据的收集；第四步，数据分析，选出所有对比标记中信号质量相对较好的对位标记；第五步，将备选占空比的对位标记放置进量产产品光罩中，进一步确认产品对位状态的改善效果，选出最优的对位标记。本发明通过优化标准对位标记的尺寸，可以改善膜层台阶的覆盖能力。依据不同工艺平台的特点灵活设计不同尺寸的对位标记，有效改善对位信号，降低对位失败的情况的发生。
改善光刻工艺对位失败方法

[发明专利]浸润式光刻机曝光方法-CN202110447471.7有效
发明人：李玉华;黄发彬;周曙亮;赵潞明;吴长明;姚振海;金乐群 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种浸润式光刻机曝光方法。本申请提供一种浸润式光刻机曝光方法，所述浸润式光刻机包括曝光镜头和曝光台，所述曝光方法包括依次进行的以下步骤：上传目标晶片至所述曝光台上；所述目标晶片包括位于所述目标晶片中部的测试区，和位于所述测试区外围的外围区；使得所述曝光镜头与所述目标晶片之间充斥水层；使得所述曝光镜头通过环形曝光扫描路径，曝光所述外围区；使得所述曝光镜头曝光所述测试区。本申请提供的浸润式光刻机曝光方法，可以解决相关技术中的浸润式光刻机的曝光过程因温度波动因素，无法得出光刻机的真实光刻参数的问题。
浸润光刻曝光方法

[发明专利]光刻曝光方法-CN202011414133.5有效
发明人：周曙亮;赵潞明;吴长明;姚振海;金乐群;李玉华 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种光刻曝光方法。所述光刻曝光方法包括：将晶片的目标面划分为曝光阵列，所述曝光阵列包括若干个曝光区域；确定曝光区域中的目标量测曝光区域和其他曝光区域；依次对所述其他曝光区域分别进行多次光刻曝光，在所述其他曝光区域处的晶片目标面上形成光刻图形；对所述目标量测曝光区域进行单次光刻曝光，在所述目标量测曝光区域处的晶片目标面上形成光刻图形。本申请提供的光刻曝光方法，可以解决相关技术中在开始进行光刻曝光的前期，因光学系统温度不稳定，导致机台对光刻表现的判断的问题。
光刻曝光方法

[发明专利]晶圆的位置检测方法、装置、设备、系统和存储介质-CN202010630551.1有效
发明人：黄发彬;吴长明;姚振海;金乐群;李玉华;朱至渊 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-07-03 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶圆的位置检测方法、装置、设备、系统和存储介质，该方法包括：获取位置信号，该位置信号是PSD传感器组件测量目标晶圆在载片台上的位置得到的信号；根据位置信号计算偏移距离；当偏移距离超过距离阈值时，根据偏移距离对目标晶圆的初始位置进行补偿。本申请通过PSD传感器组件测量目标晶圆在载片台上的位置得到位置信号，位置检测设备于获取位置信号后，根据位置信号计算偏移距离，当偏移距离超过距离阈值时，根据偏移距离对目标晶圆的初始位置进行补偿，从而避免了目标晶圆的偏移距离超过距离阈值时，光刻设备对该晶圆报错造成的返工现象，提高了晶圆制造的效率。
位置检测方法装置设备系统存储介质

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