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[发明专利]一种锂离子电池碲化钼阳极材料及其制备方法-CN201711023497.9有效
发明人：邓飞;马宁;蔡芳昌;江泰槿 -专利权人：长江大学;湖北常泰欣业科技有限公司
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供一种锂离子电池碲化钼阳极材料，其包含1T’型二碲化钼晶体和包覆在所述1T’型二碲化钼晶体外表面的导电材料，且所述导电材料在碲化钼阳极材料中的质量比为5％‑15％。若导电材料在碲化钼阳极材料中的质量比小于5％，会造成1T’型二碲化钼晶体的团聚；导电材料在碲化钼阳极材料中的质量百分比大于15％，1T’型二碲化钼晶体不能充分发挥其优异的电化学性质；导电材料包覆1T’型二碲化钼晶体，且导电材料在碲化钼阳极材料中的质量比为5％‑15％可以使该锂离子电池碲化钼阳极材料具有优异的倍率性能和良好的循环性能。本发明还提供了一种锂离子电池碲化钼阳极材料的制备方法，工艺简单，环保高效。
一种锂离子电池碲化钼阳极材料及其制备方法

[发明专利]碲化铋-二硒化钼纳米片及其制备方法和应用-CN202111634635.3有效
发明人：曾炜;李龙斌;石超生 -专利权人：广东省科学院化工研究所
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲化铋‑二硒化钼纳米片及其制备方法和应用。本发明的碲化铋‑二硒化钼纳米片是以碲化铋为基底，二硒化钼纳米片为阻挡层的N型热电材料，具有塞贝克系数的绝对值较高、热电性能较好的优点。本发明的碲化铋‑二硒化钼纳米片的制备方法，包括将钼源、碲化铋、硒源和还原剂分散在水中进行水热反应，再分离出固体产物进行煅烧，即得碲化铋‑二硒化钼纳米片。该碲化铋‑二硒化钼纳米片的制备方法简单和便捷的优势。碲化铋‑二硒化钼纳米片及其制备方法可适用于环保、热电和储能材料的领域。
碲化铋二硒化钼纳米及其制备方法应用

[发明专利]一种基于二碲化钼制备二维热电器件的方法-CN201810671407.5在审
发明人：汤乃云 -专利权人：上海电力学院
申请日： 2018-06-26 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于二碲化钼制备二维热电器件的方法，包括以下步骤：在衬底材料上生长一层绝缘介质层；在绝缘介质层上转移一层二碲化钼薄膜；在二碲化钼薄膜表面部分区域覆盖一层光刻胶，形成掩膜，二碲化钼薄膜表面另一部分区域裸露；对二碲化钼薄膜进行辐照，辐照完成后去除光刻胶；分别在经过辐照的二碲化钼薄膜和未经过辐照的二碲化钼薄膜的两端制作第一金属电极和第二金属电极。与现有技术相比，本发明基于二碲化钼材料在辐照后发生半导体—金属相变的特性来构建二维热电器件，具备制作方法简单，体积小，集成度高等优点。
碲化钼薄膜辐照热电器件二维金属电极光刻胶制备绝缘介质层衬底材料金属相变区域覆盖集成度层绝缘介质层体积小钼材料构建去除掩膜制作半导体裸露生长

[发明专利]一种二次反应生长大面积单层或多层二碲化钼结构的方法-CN201911093705.1在审
发明人：袁梦辉;陈鑫;孙艳;戴宁 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种二次反应生长大面积单层或多层二碲化钼结构的方法。该方法先用原子层沉积的方式在衬底上沉积碲化钼纳米薄膜，再将沉积有碲化钼纳米薄膜的衬底以惰性气体或氢气为载气与单质碲进行高温二次反应，在衬底上获得大面积单层或多层二碲化钼结构。本发明的优点是：可控性好，操作简单，可实现单层或多层二碲化钼的大面积制备。该发明制备二碲化钼结构，在光学材料、存储材料、催化材料以及半导体光电材料等方面有着广泛的应用前景。
一种二次反应生长大面积单层多层二碲化钼结构方法

[发明专利]一种基于二碲化钼孔洞结构的圆偏振光检测器-CN201910744038.2在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：金华伏安光电科技有限公司
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： G01J4/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于二碲化钼孔洞结构的圆偏振光检测器,包括基底层,所述基底层的上方设置有第一电极、第二电极；所述第一电极与第二电极相互间隔；所述第一电极与第二电极的上方设置有二碲化钼纳米片层；所述二碲化钼纳米片层的上方设置有手性孔洞阵列，该基于二碲化钼孔洞结构的圆偏振光检测器，检测二碲化钼纳米片层对光的透射的变化，从而在二碲化钼纳米片层与电极之间形成不同的光生电流，通过检测光生电流的特性，从而判断圆偏振光的偏振态，该基于二碲化钼孔洞结构的圆偏振光检测器不仅结构简单
碲化圆偏振光检测器孔洞结构钼纳米片层第二电极第一电极光生电流基底层孔洞阵列偏振态电极检测透射手性

[发明专利]一种制备大面积高性能n型二维碲化钼场效应晶体管阵列的方法-CN202111361183.6在审
发明人：戴伦;程智轩;贾雄辉 -专利权人：北京大学
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备大面积高性能n型二维碲化钼场效应晶体管阵列的方法。该方法先在衬底上生长半导体相碲化钼薄膜，再图案化半导体相碲化钼薄膜并生长钨薄膜，得到金属钨和半导体相碲化钼相间的薄膜，继而通过化学气相沉积法使钨薄膜变为半金属相碲化钨薄膜；再次图案化后得到分立的以半导体相碲化钼为沟道、以半金属相碲化钨为电极的器件阵列；最后通过原子层沉积氧化铪薄膜对器件实现n型掺杂，并制备图案化的顶栅金属电极，获得大面积高性能n型二维碲化钼场效应晶体管阵列。该方法对二维碲化钼n型掺杂效果理想，掺杂程度可调，同时所制备的器件源漏电极接触电阻低，提高了器件性能，为二维半导体材料在集成电路等领域的应用提供了基础。
一种制备大面积性能二维碲化钼场效应晶体管阵列方法

[发明专利]大面积制备金属相与半导体相接触的二维碲化钼面内异质结的方法及应用-CN201811558523.2有效
发明人：徐晓龙;叶堉;戴伦 -专利权人：北京大学
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种大面积制备金属相与半导体相接触的二维碲化钼面内异质结的方法及应用。该方法是先在衬底上生长二维钼薄膜，通过化学气相沉积法使之转变为半导体相碲化钼薄膜，再通过光刻和刻蚀图形化半导体相碲化钼薄膜，然后生长钼薄膜，剥离得到金属钼和半导体相碲化钼相间的薄膜，进一步通过化学气相沉积法使金属钼薄膜转变为金属相碲化钼薄膜，从而得到金属相与半导体相接触的二维碲化钼面内异质结。通过该方法制备的金属相与半导体相接触的二维碲化钼面内异质结场效应晶体管阵列具有低的接触电阻，提高了载流子的注入效率，提高了器件的电学性能。同时该方法为二维半导体材料在集成电路以及柔性器件方面的应用提供了基础。
大面积制备金属相与半导体相接二维碲化钼面内异质结方法应用

[发明专利]一种脉冲式注入反应物生长单层碲化物掺杂结构的方法-CN201911093527.2在审
发明人：袁梦辉;陈鑫;孙艳;戴宁 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种脉冲式注入反应物生长单层碲化物掺杂结构的方法。该方法通过同时注入多种过渡金属有机物和二乙基碲或注入六羰基钼和多种硫族元素，以控制载气流量来控制碲化物掺杂的量，控制反应温度与反应时间来控制碲化物生长的面积和层数，从而得到高质量的掺杂结构的二碲化钼。本发明的优点是：生长条件精确可控，操作简单方便，能制备出稳定的单层掺杂结构的二碲化钼。该发明制备的单层掺杂结构的二碲化钼，在纳米电子器件、润滑材料、光催化等领域有着广阔的应用前景。
一种脉冲注入反应物生长单层碲化物掺杂结构方法

[发明专利]一种二碲化钼纳米线材料的制备及二碲化钼纳米线材料-CN201811292957.2有效
发明人：许曼章;张志勇;刘政;赵武;闫军锋;贠江妮;翟春雪;郭昱希;李强;王学文;郑璐 -专利权人：西北大学
申请日： 2018-11-01 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种二碲化钼纳米线材料的制备及二碲化钼纳米线材料，二氧化硅/硅片为衬底，钼粉和碲粉为原料，在所述衬底的二氧化硅面采用化学气相沉积法进行二碲化钼纳米线的生长；所述二碲化钼纳米线的生长容器为石英管工艺简单，成本低廉，二碲化钼纳米线质量高。
一种二碲化钼纳米线材制备

[发明专利]基于二硒化铼与二碲化钼异质结的光电探测器及其制备方法-CN202210310996.0在审
发明人：肖静;高志刚;王聪;朱文标;林志滔 -专利权人：泰山学院;深圳瀚光科技有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二硒化铼与二碲化钼异质结的光电探测器及其制备方法，其中光电探测器包括SiO2/Si基底、二硒化铼纳米片、二碲化钼纳米片和金属电极，二硒化铼纳米片和二碲化钼纳米片设于SiO2/Si基底的表面，二硒化铼纳米片的表面与二碲化钼纳米片的表面部分重叠，以构成二硒化铼与二碲化钼异质结，在异质结受光照时产生光电流，从而实现光探测，符合type‑Ⅱ型交错能带排列，能够实现层间跃迁激发，有效地解决单一的二硒化铼光电探测器光吸收范围受限的问题，从而提高光电探测器的光电性能，能够实现对可见光到短波红外区域的宽光谱光电探测，光响应范围更高。
基于二硒化铼二碲化钼异质结光电探测器及其制备方法

[发明专利]基于碲化钼的忆阻器及其制备方法、非易失性存储器-CN202011154078.0有效
发明人：杨蕊;何慧凯;江勇波;黄腾 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明属于半导体存储相关技术领域，其公开了一种基于碲化钼的忆阻器及其制备方法、非易失性存储器，所述忆阻器包括自上而下设置的顶电极、阻变层及底电极，所述阻变层位于所述顶电极及所述底电极之间，其为经过氩等离子处理的二维碲化钼片；通过氩等离子处理在碲化钼片的表面引入碲空位，从而降低碲化钼从2H相到1T’相转变的能量，使得碲化钼自2H相到1T’的相转变更容易发生；所述阻变层在外加电压作用会发生从2H相到1T’相的可逆相转变，从而所述忆阻器的电阻发生高低阻态的变化本发明使得碲化钼2H和1T’之间的相转变更容易发生，降低相转变的操作电压，同时提高转变速度和循环寿命。
基于碲化钼忆阻器及其制备方法非易失性存储器

[发明专利]一种二碲化钼电化学储能材料、制备方法及其应用-CN201610720120.8有效
发明人：安长华;刘明;王兆杰;张军;刘俊学;李彦鹏 -专利权人：中国石油大学（华东）
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种二碲化钼电化学储能材料，所述材料为亚稳态的二碲化钼，其表达式为1T’‑MoTe₂，形貌为超薄纳米片组装的纳米花结构或纳米球结构。本发明还提供了该材料的制备方法和应用，采用油胺为还原剂，六羰基钼或五氯化钼为钼的前驱物，一定温度下注入碲‑三辛基膦前驱体，通过调控反应温度和反应时间，从而制备出尺寸均一、形状规整的亚稳态六方相二碲化钼纳米花结构或纳米球状结构
碲化电化学储能亚稳态制备制备方法和应用形貌超薄纳米片超级电容器新能源开发材料表现尺寸均一六羰基钼球状结构三辛基膦五氯化钼规整还原剂六方相纳米花纳米球前驱体前驱物钼纳米储能油胺组装调控应用

[发明专利]非对称范德华异质结器件、其制备方法及用途-CN201810564781.5有效
发明人：何军;程瑞清;王峰 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2018-06-04 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种非对称范德华异质结器件，包括从下到上依次设置的石墨烯纳米片、六方氮化硼纳米片、二硫化钼纳米片、二碲化钼纳米片；所述石墨烯纳米片和六方氮化硼纳米片、二硫化钼纳米片、二碲化钼纳米片有重叠的区域；二硫化钼纳米片面积大于所述二碲化钼纳米片，二硫化钼纳米片有部分区域不与二碲化钼纳米片重叠。
对称范德华异质结器件制备方法用途

[发明专利]基于二维二硫化钼纳米薄膜与碲化镉晶体的II型异质结近红外光电探测器及其制备方法-CN201811336892.7在审
发明人：吴翟;赵智慧;王媛鸽;贾诚;吴恩平;史志锋;李新建 -专利权人：郑州大学
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了基于二维二硫化钼纳米薄膜与碲化镉晶体的II型异质结近红外光电探测器及其制备方法，是在碲化镉晶体表面平铺有二维二硫化钼纳米薄膜，在二维二硫化钼纳米薄膜和碲化镉晶体上分别设置有与其呈欧姆接触的金属电极，碲化镉与二硫化钼形成II型异质结、两金属电极作为两输出级，即构筑成为异质结型近红外光电探测器。
二硫化钼碲化镉近红外光电探测器纳米薄膜二维异质结金属电极晶体的制备红外探测器晶体表面欧姆接触异质结型制备工艺高响应快响应宽波段输出级探测率平铺构筑

[发明专利]一种二碲化钼纳米管的制备方法-CN201711454389.7有效
发明人：胡柱东;林海敏 -专利权人：佛山科学技术学院
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种二碲化钼纳米管的制备方法，其包括如下工艺步骤：1)将六羰基钼铺装在陶瓷坩埚底部，后将多孔阳极氧化铝模板开口向下置于六羰基钼上方，密封坩埚后置于管式炉中，在气体保护下低温升华沉积，继续升温热解；2)真空管式炉降至室温后将模板开口向下置于装有碲粉的陶瓷坩埚中，密封坩埚后在气体保护下升温，使单质碲与金属钼直接反应；3)用稀酸溶液去除多孔氧化铝模板和多余的碲，后进行抽滤处理，烘干，得成品。本发明方法步骤简单，无环境污染，无需复杂的设备，所制备得的二碲化钼纳米管粉体材料的尺寸可控性强，结晶性好，纳米管管壁、形貌均匀，从而大大提高该二碲化钼纳米管粉体材料成品的综合性能。
一种二碲化钼纳米制备方法

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