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[发明专利]磁性二维金属氧化物及其可控掺杂浓度的制备方法和应用-CN202310415223.3在审
发明人：何军;程瑞清;姜健 -专利权人：武汉大学
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01F1/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁性二维金属氧化物及其可控掺杂浓度的制备方法和应用，二维金属氧化物的金属为M,制备二维金属氧化物时，采用与M原子半径接近的磁性掺杂剂进行掺杂，实现了二维金属氧化物、特别是二维非层状结构金属氧化物的高浓度掺杂，使得二维金属氧化物具有显著的铁磁性能。该制备方法制备成本低，所得高掺杂浓度的金属氧化物薄膜结晶质量高、环境稳定性好、尺寸、厚度、磁性可调，最薄几纳米。
磁性二维金属氧化物及其可控掺杂浓度制备方法应用

[发明专利]基于范德华外延制备二维非层状结构单种元素薄膜的方法-CN202310144188.6在审
发明人：何军;程瑞清;姜健 -专利权人：武汉大学
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种二维非层状结构单种元素薄膜及其制备方法和应用，该方法采用气相沉积法将单种元素沉积在生长衬底上，进行范德华外延生长，得到二维非层状结构单种元素薄膜；该生长衬底为层状材料或表面附有层状材料薄膜的非层状材料。本申请将层状材料或表面附有层状材料薄膜的非层状材料作为生长衬底，有效降低了界面应力作用，减少了界面缺陷、位错等不良因素，解决了二维非层状结构单种元素薄膜面临的多物理失配限制问题，从而实现将二维非层状结构单种元素薄膜集成在不同衬底上，该方法具有一定的普适性，制备成本低、尺寸和厚度可调，最薄厚度可达几纳米。该方法制备出的二维非层状结构单种元素薄膜结晶质量高、环境稳定性好。
基于范德华外延制备二维层状结构元素薄膜方法

[发明专利]基于二维尖晶石型铁氧体薄膜的产品及其制备方法和应用-CN202211090358.9在审
发明人：何军;程瑞清;尹蕾 -专利权人：武汉大学
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本申请公开了基于二维尖晶石型铁氧体薄膜的产品及其制备方法和应用，本申请以范德华材料或表面覆有范德华材料的衬底为生长基底，采用化学气相沉积法将尖晶石型铁氧体材料沉积在生长基底上，得到附着在生长基底表面的二维尖晶石型铁氧体薄膜。本申请将范德华材料引入到衬底表面作为晶格失配缓冲层，有效降低了界面应力作用，减少了界面缺陷、位错等不良因素，解决了基于二维尖晶石型铁氧体薄膜的产品面临的多物理失配限制问题，从而实现将二维尖晶石型铁氧体薄膜集成在不同衬底上，特别是硅基衬底，该方法具有一定的普适性，所得二维尖晶石型铁氧体薄膜结晶效果好。
基于二维尖晶石铁氧体薄膜产品及其制备方法应用

[发明专利]一种硅基二维氮化镓及其范德华外延制备方法、应用-CN202210799338.2在审
发明人：何军;程瑞清;尹蕾;文耀;姜健 -专利权人：武汉大学
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请涉及无机半导体材料技术领域，特别涉及一种硅基二维氮化镓及其范德华外延制备方法、应用。本申请提供的硅基二维氮化镓的范德华外延制备方法，包括：以镓金属或氧化镓作为镓源，以尿素作为氮源，以表面带有范德华材料的硅片作为生长基底，利用气相沉积法制备得到硅基二维氮化镓材料。本申请通过范德华外延技术，通过调控生长参数在范德华衬底上制备得到了硅基二维氮化镓，其结晶质量高、稳定性好、制备成本低、合成速度快、尺寸和厚度可调，可作为光电探测器的光探测部件，用于紫外探测。
一种二维氮化及其范德华外延制备方法应用

[发明专利]基于范德华外延制备二维非层状窄带隙半导体材料的方法-CN202210806705.7在审
发明人：何军;姜健;程瑞清;尹蕾;文耀 -专利权人：武汉大学
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本申请涉及无机半导体纳米材料技术领域，特别涉及一种基于范德华外延制备二维非层状窄带隙半导体材料的方法。本申请提供的基于范德华外延制备二维非层状窄带隙半导体材料的方法包括：以范德华材料或带有范德华材料的硅片作为生长基底，采用气相沉积法利用反应原料制备得到二维非层状窄带隙半导体材料，所述反应原料选用Pb、Sn、S、Se、Te或含有对应元素的硫化物、硒化物、碲化物、氯化物中的一种或多种的混合。
基于范德华外延制备二维层状窄带半导体材料方法

[发明专利]一种基于范德华外延制备二维非层状宽带隙氧化物的方法-CN202210806711.2在审
发明人：何军;程瑞清;李中伟;尹蕾;刘子嘉 -专利权人：武汉大学
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本申请涉及无机半导体纳米材料技术领域，特别涉及一种基于范德华外延制备二维非层状宽带隙氧化物的方法。本申请提供的基于范德华外延制备二维非层状宽带隙氧化物的方法包括以下步骤：将反应原料放置在双温区管式炉的前温区；将生长基底放置在双温区管式炉的后温区；向双温区管式炉中通入载气进行加热反应，反应结束后，冷却，即得到二维非层状宽带隙氧化物材料，所述二维非层状宽带隙氧化物材料的化学式为M2O3，M3+为金属离子Cr3+、Bi3+和Sb3+中的一种或多种；其中，所述生长基底为范德华材料或表面带有范德华材料的硅片。
一种基于范德华外延制备二维层状宽带氧化物方法

[发明专利]一种二维层状-非层状范德华异质结构及制备方法、应用-CN202210798016.6在审
发明人：何军;尹蕾;程瑞清;姜健 -专利权人：武汉大学
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请涉及无机半导体技术领域，特别涉及一种二维层状‑非层状范德华异质结构及制备方法、应用。本申请提供的二维层状‑非层状范德华异质结构的制备方法包括以下步骤：采用机械剥离法或气相沉积法在基底上制备层状二硫化钼纳米片；采用气相沉积法在云母衬底上制备非层状硒化铅纳米片；在所述云母衬底上悬涂聚甲基丙烯酸甲酯并加热，形成聚甲基丙烯酸甲酯支撑膜；移去云母衬底，则硒化铅纳米片粘附在聚甲基丙烯酸甲酯支撑膜上；将硒化铅纳米片放置在二硫化钼纳米片上，利用有机溶剂溶解聚甲基丙烯酸甲酯支撑薄膜，即得到二维层状‑非层状范德华异质结构。
一种二维层状范德华异质结构制备方法应用

[发明专利]一种范德华异质结器件及其制备方法和应用-CN201811014583.8有效
发明人：何军;尹蕾;程瑞清;王振兴;王峰 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种范德华异质结器件，包括从下到上依次设置的基底、二碲化钼纳米片、二硫化钼纳米片和金属电极，所述二碲化钼纳米片的横截面积大于所述二硫化钼纳米片的横截面积。本发明的范德华异质结器件可以实现导电极性的动态调节。在不同的偏压条件下，基于该范德华异质结器件的场效应晶体管可分别实现双极性和N型导电极性，并展现出超高电流开关比(～107)、电流整流比(～106)和优异的光伏性能，可应用在新型二维电子及光电子器件。
一种范德华异质结器件及其制备方法应用

[发明专利]非对称范德华异质结器件、其制备方法及用途-CN201810564781.5有效
发明人：何军;程瑞清;王峰 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2018-06-04 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种非对称范德华异质结器件，包括从下到上依次设置的石墨烯纳米片、六方氮化硼纳米片、二硫化钼纳米片、二碲化钼纳米片；所述石墨烯纳米片和六方氮化硼纳米片、二硫化钼纳米片、二碲化钼纳米片有重叠的区域；二硫化钼纳米片面积大于所述二碲化钼纳米片，二硫化钼纳米片有部分区域不与二碲化钼纳米片重叠。本发明还提供所述非对称范德华异质结器件的制备和应用。本发明的非对称范德华异质结器件可以实现超高性能与多种功能的有机统一。工作为晶体管时，器件展现出超高电流开关比，超小亚阈值摆幅以及明显的负跨导行为。工作为整流器时，器件展现出超高电流整流比。工作为存储器时，器件展现出超高的擦除/写入电流比和电流整流比。
对称范德华异质结器件制备方法用途

[实用新型]一种LED管型灯-CN200920028150.8无效
发明人：阮胜德;程瑞清;陈洪 -专利权人：南通菱安电子科技有限公司
申请日： 2009-06-26 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LED管型灯，包括灯管、灯壳不透明部分、灯壳透明部分、卡位、散热板、卡槽、铝基板、发光体，其特征在于所述的灯管包括灯壳透明部分和灯壳不透明部分；所述的散热板、铝基板、发光体内置于灯管内部，散热板与铝基板相连接，发光体设置在铝基板上；所述的灯管内部有两个卡位，卡位可与散热板上面的卡槽相连，卡位卡槽形式允许互换，可以是灯管卡位散热板卡槽，也可以是灯管卡槽散热板卡位。本实用新型的有益效果是，它采用与传统光源相同的整体灯管的结构，灯管一体的设计。灯管采用绝缘材料，不会在特别情况下发生导电现象，散热板通过卡位内置于管内，散热效果好。
一种 led 管型灯

[实用新型]一种LED倍压电源驱动-CN200920239001.6无效
发明人：阮胜德;程瑞清;陈洪 -专利权人：南通菱安电子科技有限公司
申请日： 2009-09-28 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种LED倍压电源驱动，包括输入端(1)、整流电路(2)、倍压电路(3)、降压恒流电路(4)、输出端(5)，其特征在于输入端(1)与整流电路(2)相连，经过整流过后，连接倍压电路(3)提高原有电路电压，倍压电路(3)再连接到降压恒流电路(4)中。本实用新型的有益效果是，该LED倍压电源驱动，允许电源输入端存在一个较大的输入电压差异，使任一个LED灯具可正常发光。
一种 led 压电驱动

[实用新型]一种LED光源板散热装置-CN200920239002.0无效
发明人：阮胜德;程瑞清;陈洪 -专利权人：南通菱安电子科技有限公司
申请日： 2009-09-28 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种LED光源板散热装置，包括光源板(1)、散热条(2)、导热孔(3)、LED光源组件(4)，其特征在于光源板(1)由正面和背面组成，LED光源组件(4)排列设置在光源板(1)的正面上，LED光源组件(4)四周设置有导热孔(3)，光源板(1)的背面设置有散热条(2)。本实用新型的有益效果是，该新型LED光源板散热装置不用铝基板，直接将导热板，做成导热条置于光源板背面。有效降低LED灯具的生产成本，减少LED之间的传热结构，值得推广。
一种 led 光源散热装置

[实用新型]一种LED管型灯灯头散热结构-CN200920227400.0无效
发明人：阮胜德;程瑞清;陈洪 -专利权人：南通菱安电子科技有限公司
申请日： 2009-09-28 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： F21V29/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种LED管型灯灯头散热结构，包括光源灯管(1)、灯头灯管连接端(2)、灯头凸起(3)、插脚(4)、透气孔(5)，其特征在于光源灯管(1)两端的灯头灯管连接端(2)部位设置有散热灯头，所述的散热灯头的结构包括灯头凸起(3)、插脚(4)、透气孔(5)，灯头凸起(3)的底部四周设置有透气孔(5)，灯头凸起(3)的外侧设置有插脚(4)。本实用新型的有益效果是，该新型LED管型灯灯头散热结构不会在温差过大的环境里面形成水蒸气，不会出现因为水蒸气而导致LED管型灯损坏。由于灯管使用时内部温度会增加，因为灯头位置透气孔明显作用，可以形成对流，有利于LED管型灯散热。
一种 led 管型灯灯头散热结构

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