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[实用新型]一种钙钛矿-碲化镉/掺硒碲化镉叠层太阳能电池-CN202221832800.6有效
发明人：严册;肖诚斌;王博;赵彬 -专利权人：中国光大绿色技术创新研究院有限公司;光大环境科技（中国）有限公司;光大环保技术研究院（深圳）有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种钙钛矿‑碲化镉/掺硒碲化镉叠层太阳能电池，其包括：钙钛矿子电池和碲化镉/掺硒碲化镉子电池，所述钙钛矿子电池与所述碲化镉/掺硒碲化镉子电池设置为上下堆叠，所述碲化镉/掺硒碲化镉子电池包括碲化镉吸收层和掺硒碲化镉吸收层本申请通过引入掺硒碲化镉吸收层修复碲化镉吸收层的晶格缺陷，减少光生载流子被缺陷散射，促进光生载流子的定向传输，提高载流子的寿命，优化了碲化镉吸收层，提升了碲化镉/掺硒碲化镉子电池的光电转化效率；以及通过设置含螯合剂的聚合物薄膜作为铅离子吸收层
一种钙钛矿碲化镉掺硒碲化镉叠层太阳能电池

[发明专利]将碲化镉层改性的方法和具有碲化镉层的薄膜器件-CN201110175409.3无效
发明人： J·M·弗里 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2011-06-17 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本发明名称为将碲化镉层改性的方法和具有碲化镉层的薄膜器件。包括设置在碲化镉层内的改性碲化镉和未改性碲化镉的层。该改性区包括的碲化物浓度大于未改性碲化镉区中的碲化物浓度。该改性区还包括六方密排晶体结构。还公开用于将碲化镉层改性的方法和薄膜器件。
将碲化镉层改性方法具有碲化镉层薄膜器件

[发明专利]一种碲化镉薄膜制备方法及其使用的装置-CN201210197215.8无效
发明人：刘志强;蒋猛 -专利权人：无锡尚德太阳能电力有限公司
申请日： 2012-06-15 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种碲化镉薄膜制备方法及其使用的装置，包括将单质碲加热气化后形成碲蒸汽、以及将单质镉加热气化后形成镉蒸汽；用携带气体分别运载所述碲蒸汽和所述镉蒸汽并将所述碲蒸汽和镉蒸汽混合均匀得到碲镉混合蒸汽；所述携带气体再将所述碲镉混合蒸汽携带至衬底本发明以碲、镉单质作为原料，采用碲、镉单质独立蒸发源，通过气相分子混合方法制备碲化镉薄膜的方法。这样不仅降低了碲化镉太阳电池的生产成本，而且也把高纯碲化镉原料制备和碲化镉薄膜制备工艺有机的结合到了一起。
一种碲化镉薄膜制备方法及其使用装置

[发明专利]一种制备碲化镉薄膜太阳电池组件的方法-CN200910058316.5无效
发明人：张静全;冯良桓;雷智;蔡亚平;武莉莉;李卫;黎兵;郑家贵;蔡伟 -专利权人：四川尚德太阳能电力有限公司
申请日： 2009-02-12 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：碲化镉薄膜太阳电池组件，属于新能源材料与器件领域。本发明首先在未经激光刻划的透明导电薄膜玻璃上，沉积硫化镉薄膜、碲化镉薄膜，获得“玻璃/透明导电薄膜/硫化镉/碲化镉”结构，对其进行热处理，然后进行激光刻划，刻掉“透明导电薄膜/硫化镉/碲化镉”，然后进行化学腐蚀，然后在“透明导电薄膜/硫化镉/碲化镉”刻线位置填注低温固化聚酰亚胺，然后沉积背接触层并进行后处理，然后使用激光刻划掉在“透明导电薄膜/硫化镉/碲化镉”刻痕附近刻划掉“硫化镉/碲化镉/背接触层”，沉积金属背电极层，然后使用激光刻划掉“透明导电薄膜/硫化镉/碲化镉”刻痕和“硫化镉/碲化镉/背接触层”刻痕附近的“硫化镉/碲化镉/背接触层/金属背电极”，获得串联集成的碲化镉薄膜太阳电池组件。该方法保证了全干法制备碲化镉薄膜太阳电池组件的工艺中，沉积硫化镉、碲化镉薄膜时可获得质量均匀一致的薄膜，保证了后续含氯化镉气氛中热处理均匀性，同时又不影响单元电池的形成及其串联集成的实现，从而提高了组件的转换效率
一种制备碲化镉薄膜太阳电池组件方法

[发明专利]一种碲化镉薄膜太阳能电池及其制备方法-CN200910209307.1在审
发明人：司红磊;林道勇;王文斌;刘月平;李青海;李林松 -专利权人：润峰电力有限公司
申请日： 2009-10-29 - 公布日： 2010-04-21 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲化镉薄膜太阳能电池及其制备方法。其结构为：它包括带有导电层衬底，在衬底上依次沉积硫化镉层、碲化镉层、富碲层、背接触层和背电极。由于采用处理过低毒性的化合物镉为镉源，采用处理过的碲或碲化物为碲源，制备碲化镉薄膜太阳能电池。镉源与碲源按照一定摩尔比进行化学反应，制备粒径均一的碲化镉颗粒。然后提纯碲化镉颗粒，把碲化镉与含有聚偏氟乙烯的低沸点溶剂混合制成溶胶，用涂布的方法制备碲化镉薄膜。这种方法避免了人身接触高毒性的镉单质和镉蒸汽，同时也避免了环境污染。
一种碲化镉薄膜太阳能电池及其制备方法

[发明专利]碲镉汞红外探测器芯片及其制备方法-CN202011292895.2在审
发明人：王经纬;刘铭;宁提;谭振;王成刚 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲镉汞红外探测器芯片及其制备方法。碲镉汞红外探测器芯片的制备方法，包括：对硅基衬底层依次进行除气处理和束流校正；在束流校正后的硅基衬底层上外延生长碲化镉复合衬底层；在碲化镉复合衬底层上外延生长p型掺杂高电导率碲化镉导电层；在p型掺杂高电导率碲化镉导电层上外延生长碲镉汞吸收层碲镉汞红外探测器芯片，包括：硅基衬底层；碲化镉复合衬底层，层叠设置于硅基衬底层上；p型掺杂高电导率碲化镉导电层，层叠设置于碲化镉复合衬底层上；碲镉汞吸收层，层叠设置于p型掺杂高电导率碲化镉导电层上。
碲镉汞红外探测器芯片及其制备方法

[发明专利]用于薄膜光伏器件的硫化镉层和碲化镉层的混合以及它们的制造方法-CN201110356225.7无效
发明人： S·D·费尔德曼-皮博迪;M·J·帕沃尔 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2011-10-27 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明名称为“用于薄膜光伏器件的硫化镉层和碲化镉层的混合以及它们的制造方法”。一般公开碲化镉薄膜光伏器件(10)包括：在硫化镉层(18)和碲化镉层(20)之间的硫化镉和碲化镉的混合层(19)。一般来说，混合层(19)具有在从硫化镉层(18)朝向碲化镉层(20)的方向中延伸的、增加的碲浓度和降低的硫浓度。还一般地公开了用于制造具有硫化镉和碲化镉的混合层(19)的、基于碲化镉的薄膜光伏器件(10)的方法。
用于薄膜器件硫化碲化镉层混合以及它们制造方法

[发明专利]一种碲化镉薄膜太阳能电池及其制作方法-CN201310651339.3有效
发明人：张清;叶建霞;王向阳;赵东旭;符家贤;符家顺 -专利权人：北海恒基伟业电子产品有限公司
申请日： 2013-12-06 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L31/073 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲化镉薄膜太阳能电池及其制作方法，其中，所述碲化镉薄膜太阳能电池依次由吸光防护层、玻璃层、碲化镉层、硫化镉层、石墨层和背电极层组成；所述碲化镉薄膜太阳能电池的制作方法为：1)制备硫化镉和碲化镉颗粒；2)把制备的硫化镉和碲化镉颗粒制备成胶体液并依次涂布在玻璃层上，分别进行烘干；3)在烘干的碲化镉层上采用真空镀膜的方法依次喷涂石墨层和背电极层；4)在玻璃层上粘贴上吸光防护层，完成碲化镉薄膜太阳能电池的制作本发明方法提高了碲化镉薄膜太阳能电池的吸光率和耐磨率，并且降低了碲化镉薄膜太阳能电池生产成本。
一种碲化镉薄膜太阳能电池及其制作方法

[发明专利]生产碲化镉或碲锌镉单晶体的方法-CN201110365464.9有效
发明人：吴召平;高绪彬;徐悟生;江浩川;张明龙 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2011-11-17 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种生产碲化镉或碲锌镉单晶体的方法，该方法包括：形成一个包括晶体生长区域和原位退火区域的整体温度场；将一个装有富碲材料和碲化镉或碲锌镉多晶材料的坩埚从所述晶体生长区域中通过，在该过程中，坩埚内的富碲材料熔化形成熔区，碲化镉或碲锌镉多晶材料逐渐溶解到所述熔区中，然后冷却析出碲化镉或碲锌镉单晶体；以及，将所述坩埚从所述原位退火区域中通过，在该过程中对所述晶体生长区域中生成的碲化镉或碲锌镉单晶体进行退火，以降低所述单晶体中的碲夹杂含量
生产碲化镉碲锌镉单晶体方法

[发明专利]湿法制备碲化镉粉末的方法-CN202210844597.2有效
发明人：王海北;范艳青;邹发夔;刘巍 -专利权人：矿冶科技集团有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本申请提供一种湿法制备碲化镉粉末的方法，涉及制备碲化镉薄膜电池用的主要原料制造领域。湿法制备碲化镉粉末的方法，包括：将镉源化合物、碲源化合物和水混合得到混合溶液，然后向所述混合溶液中滴加碳酸铵水溶液，搅拌反应结束后固液分离得到碲镉前驱体；所述碲镉前驱体在氢气和氩气混合气氛中氢还原处理得到碲化镉粉末本申请提供的湿法制备碲化镉粉末的方法，所得碲化镉纯度高、粒度分布均匀。
湿法制备碲化镉粉末方法

[发明专利]一种碲镉汞材料的钝化方法-CN201810884274.X在审
发明人：王经纬 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2018-08-06 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种碲镉汞材料的钝化方法，包括以下步骤：在分子束外延设备中得到碲镉汞材料之后，关闭除汞源以外的碲镉汞材料生长需要的源，升高碲镉汞材料的温度；当碲镉汞材料升高至碲化镉的单晶生长温度之后，打开碲化镉源，关闭汞源，在碲镉汞材料上生长碲化镉钝化膜层。本发明在碲镉汞生长完成后直接在生长碲镉汞的分子束外延设备中进行钝化，避免了由于材料表面沾污引起的表面漏电，进而提升了探测器的性能，同时，本方法获得的碲化镉钝化膜层为质量更好的单晶材料，可以与碲镉汞吸收层形成更好的互扩散层
碲镉汞材料碲化镉碲镉汞钝化分子束外延设备生长漏电钝化膜层升高红外探测器单晶材料单晶生长扩散层吸收层探测器除汞汞源减小沾污

[发明专利]一种掺砷碲化镉的制备方法-CN202110445496.3有效
发明人：文崇斌;余芳;朱刘;童培云 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺砷碲化镉的制备方法。本发明掺砷碲化镉的制备方法包括以下步骤：将除氧后的碲化镉粉末和除氧后的砷化镉粉末混合均匀，在650～850℃下热压烧结，得到掺砷碲化镉，其中热压烧结在真空或保护气保护下进行。本发明采用碲化镉和砷化镉而非相应单质作为原料，并在较低温度下进行热压烧结，使原料全程为固态，避免出现偏析，确保所得掺砷碲化镉材料具有良好的均匀性；同时，采用除氧后的碲化镉粉末和砷化镉粉末作为原料，并在真空或保护气保护下进行热压烧结，确保所得掺砷碲化镉材料具有较低的氧含量和较高的纯度。
一种掺砷碲化镉制备方法

[发明专利]碲化镉薄膜光伏器件中的渐变合金碲化物层及其制造方法-CN201010604140.1无效
发明人： S·D·费尔德曼-皮博迪 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2010-12-15 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：碲化镉薄膜光伏器件(10)大体上公开包括渐变合金碲化物层(22)。该器件可以包括硫化镉层(18)、在该硫化镉层(18)上的渐变合金碲化物层(22)和在该渐变合金碲化物层(22)上的背接触(24)。该渐变合金碲化物层(22)一般具有在从该硫化镉层(18)朝该背接触层(24)的方向上延伸的递增合金浓度和递减镉浓度。该器件(10)还可包括在该硫化镉层(18)和该渐变合金碲化物层(22)之间的碲化镉层(20)。还大体上公开用于制造基于碲化镉的薄膜光伏器件的方法，该光伏器件具有渐变碲化镉结构。
碲化镉薄膜器件中的渐变合金碲化物层及其制造方法

[发明专利]一种碲化镉太阳能电池的制备方法及碲化镉太阳能电池-CN201010548963.7无效
发明人：邓瑞;周勇 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2010-11-18 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种碲化镉太阳能电池的制备方法及碲化镉太阳能电池。该碲化镉太阳能电池的制备方法包括：a、预备具有玻璃衬底/透明导电膜/硫化镉/碲化镉结构的前体；b、对前体上的碲化镉层进行腐蚀处理；所述腐蚀处理包括：将碲化镉层与含有溴和无水乙醇的第一溶液接触，清洗，然后与含有乳酸和乙二醇的第二溶液接触，再次清洗，干燥；c、在腐蚀处理后的碲化镉层上形成碲层；d、在碲层上形成过渡层和背电极。通过上述方法制备得到的碲化镉太阳能电池的光电转换效率高。
一种碲化镉太阳能电池制备方法

[发明专利]碲镉汞红外焦平面芯片的碲化镉原位钝化方法-CN200910198969.3有效
发明人：叶振华;黄建;胡伟达;尹文婷;林春;陈路;廖清君;胡晓宁;丁瑞军;何力 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2009-11-18 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面芯片的碲化镉原位钝化方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用在由分子束外延生长碲镉汞红外探测材料的终点时，于碲镉汞薄膜表面先原位生长一层碲化镉薄膜，并在碲镉汞红外探测芯片制备过程中对需要钝化区域的碲化镉薄膜不予以破坏的碲化镉原位钝化的技术方案，有效解决了常规碲化镉钝化方法会造成碲镉汞红外焦平面探测芯片探测性能损失和工艺稳定性低的问题
碲镉汞红外平面芯片碲化镉原位钝化方法

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