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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种硅基氮化镓HEMT器件及其制备方法-CN202310736872.3在审
发明人：伊艾伦;欧欣;周民 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本公开涉及一种硅基氮化镓HEMT器件及其制备方法，该方法包括：对N型导电碳化硅衬底进行离子注入；对离子注入后的N型导电碳化硅衬底的表面进行绝缘处理，得到绝缘处理后的N型导电碳化硅衬底；获取硅衬底；将硅衬底与绝缘处理后的N型导电碳化硅衬底进行键合，对键合后的复合衬底进行剥离处理，得到复合硅基衬底；对复合硅基衬底的表面进行绝缘处理，得到绝缘处理后的复合硅基衬底；于绝缘处理后的复合硅基衬底的表面外延氮化镓薄膜；于氮化镓薄膜的表面制备HEMT器件层，得到硅基氮化镓HEMT器件。本公开的硅基氮化镓HEMT器件制备方法，不仅可以降低制备成本，还可以扩大硅基氮化镓HEMT器件的尺寸。
一种氮化 hemt 器件及其制备方法

[发明专利]一种利用锂基埃洛石去除人粪便中钡镓锰离子的方法-CN201711214862.4有效
发明人：陈涛;蔡祥;张召;马栋 -专利权人：广东南芯医疗科技有限公司
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： C12N1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用锂基埃洛石去除人粪便中钡镓锰离子的方法本发明利用锂基埃洛石将粪菌液中的钡、镓、锰离子交换到锂基埃洛石层间，吸附了钡、镓、锰离子的锂基埃洛石和碳酸锂经过滤除去，从而达到去除粪菌液中钡、镓、锰离子的目的。本发明可通过特异性吸附去除人粪便中的钡、镓、锰离子，使钡、镓、锰离子超标的粪便捐献者所捐献的粪便经处理后能达标。
一种利用锂基埃洛石去除粪便中钡镓锰离子方法

[发明专利]一种硅基二维氮化镓及其范德华外延制备方法、应用-CN202210799338.2在审
发明人：何军;程瑞清;尹蕾;文耀;姜健 -专利权人：武汉大学
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请涉及无机半导体材料技术领域，特别涉及一种硅基二维氮化镓及其范德华外延制备方法、应用。本申请提供的硅基二维氮化镓的范德华外延制备方法，包括：以镓金属或氧化镓作为镓源，以尿素作为氮源，以表面带有范德华材料的硅片作为生长基底，利用气相沉积法制备得到硅基二维氮化镓材料。本申请通过范德华外延技术，通过调控生长参数在范德华衬底上制备得到了硅基二维氮化镓，其结晶质量高、稳定性好、制备成本低、合成速度快、尺寸和厚度可调，可作为光电探测器的光探测部件，用于紫外探测。
一种二维氮化及其范德华外延制备方法应用

[发明专利]镓基液态合金、其制备方法和应用以及测温装置-CN201910524309.3有效
发明人：陆建忠;庄建华 -专利权人：无锡市康宁玻璃制品有限公司
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：本申请涉及材料领域，具体而言，涉及一种镓基液态合金、其制备方法和应用以及测温装置。一种镓基液态合金，镓基液态合金主要包括按重量百分数计的以下组分：镓65‑80％、铟10‑20％、锡5‑15％、锌0.5‑2％、铁0.05‑2.0％以及硫0.005‑0.1％。在上述配比下的镓、铟、锡、锌、铁以及硫的始凝固结晶温度为‑42.4—‑45.6℃；开始熔化温度‑26.6—‑12.7℃，很大程度的降低了镓基液态合金的凝固温度，增加镓、铟、锡、锌、铁以及硫的使用温度范围
液态合金制备方法应用以及测温装置

[发明专利]一种制备GaN基激光器的方法以及一种GaN基激光器-CN201410504147.4有效
发明人：贾传宇;张国义;童玉珍 -专利权人：北京大学东莞光电研究院;东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2014-09-28 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明提供一种制备新型GaN基激光器的方法，采用金属有机化合物气相外延技术解决GaN基激光器制备中的一系列关键技术与科学问题，技术方案为一种制备新型GaN基激光器的方法，采用金属有机化合物气相外延技术，以及三甲基镓、三甲基铟、三甲基铝作为III族源；氨气作为V族源、硅烷作为n型掺杂源；二茂镁作为p型掺杂源制得新型GaN基激光器。本发明创造性采用多周期In组分线性渐变InxGa1‑xN/GaN 超晶格结构作为激光器波导层取代传统GaN单层做为GaN基蓝光激光器的波导层。
一种制备新型 gan 激光器方法以及

[发明专利]含有碳基衬底的铟镓铝氮发光器件以及其制造方法-CN200710107760.2有效
发明人：熊传兵;江风益;王立;汤英文;郑畅达;刘军林;刘卫华;王古平 -专利权人：晶能光电（江西）有限公司
申请日： 2007-04-29 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明的一个实施方式提供一种铟镓铝氮基半导体发光器件，其包括铟镓铝氮基半导体多层结构和支持铟镓铝氮基半导体多层结构的碳基衬底，其中该碳基衬底包括至少一个碳基层。该碳基衬底具有高热传导率和低电阻率。
含有衬底铟镓铝氮发光器件及其制造方法

[发明专利]一种具有纳米二氧化钛层的LED芯片及制备方法-CN202010143031.8有效
发明人：施光典 -专利权人：深圳市炬诠科技有限公司
申请日： 2020-03-04 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有纳米二氧化钛层的LED芯片，包括：蓝宝石基板，所述蓝宝石基板的上端设置有氮化镓成核层，所述氮化镓成核层的上端设置有N型氮化镓层，所述N型氮化镓层的上端一侧设置有多量子阱层，所述N型氮化镓层远离所述多量子阱层的上端一侧设置有N型电极及焊垫层，所述多量子阱层的上端设置有P型氮化镓，所述P型氮化镓的上端设置有Ni/Au反射层，所述Ni/Au反射层与P型氮化镓之间设置有二氧化钛层，所述Ni/Au反射层的上端设置有P型电极。有益效果：通过蓝光激发二氧化钛，进而进行杀菌除臭功能，使得LED芯片产品性能更好。
一种具有纳米氧化 led 芯片制备方法

[发明专利]载流子浓度镓基液态金属测量探头及其装置-CN202210858509.4在审
发明人：王昕;叶灿明;王世进;李俊生 -专利权人：广州昆德半导体测试技术有限公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种载流子浓度镓基液态金属测量探头，导电线连接碳化钨棒，碳化钨棒的一端伸入由抗腐蚀材料制成的液态金属容器中，液态金属容器开设有贯通的容腔和毛细管，容腔连通毛细管；所述容腔内部填注镓基液态金属，镓基液态金属浸没碳化钨棒，利用在毛细管内的镓基液态金属形成测量探针，解决了探针安全性和环保的问题；该测量探针与测量样品为面接触，相比传统探针的点接触能够增大接触面积，使得测量数据的重复性好，提升了测量数据的准确度；使用诸如聚四氟乙烯等抗腐蚀材料的液态金属的容器及其毛细管，既不会被镓基合金腐蚀，也不会与镓基液态金属发生粘连，提升了镓基液态金属的流动性，从而提升测量精度。
载流子浓度液态金属测量探头及其装置

[实用新型]载流子浓度镓基液态金属测量探头及其装置-CN202221882162.9有效
发明人：王昕;叶灿明;王世进;李俊生 -专利权人：广州昆德半导体测试技术有限公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种载流子浓度镓基液态金属探头，导电线连接碳化钨棒，碳化钨棒的一端伸入由抗腐蚀材料制成的液态金属容器中，液态金属容器开设有贯通的容腔和毛细管，容腔连通毛细管；所述容腔内部填注镓基液态金属，镓基液态金属浸没碳化钨棒，利用在毛细管内的镓基液态金属形成测量探针，解决了探针安全性和环保的问题；该测量探针与测量样品为面接触，相比传统探针的点接触能够增大接触面积，使得测量数据的重复性好，提升了测量数据的准确度；使用诸如聚四氟乙烯等抗腐蚀材料的液态金属的容器及其毛细管，既不会被镓基合金腐蚀，也不会与镓基液态金属发生粘连，提升了镓基液态金属的流动性，从而提升测量精度。
载流子浓度液态金属测量探头及其装置

[实用新型]一种硅基砷化镓太阳能电池外延结构-CN201821358223.5有效
发明人：黄文洋 -专利权人：东泰高科装备科技（北京）有限公司
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅基砷化镓太阳能电池外延结构，包括硅衬底以及依次设于所述硅衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、反射层、PN结层、光吸收层、窗口层和接触层。与现有技术相比，在保证硅基砷化镓太阳能电池与砷化镓基或者锗基砷化镓太阳能电池具有相当光电转换效率的前提下，本实用新型可以显著降低生产砷化镓太阳能电池的成本。
砷化镓太阳能电池硅基本实用新型外延结构硅衬底光电转换效率低温缓冲层高温缓冲层光吸收层降低生产砷化镓基窗口层反射层接触层锗基保证

[发明专利]用于固态继电器的光伏驱动器及其制备方法-CN202010884693.0有效
发明人：杨为家;邱晨;吴质朴;何畏 -专利权人：深圳市奥伦德元器件有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于固态继电器的光伏驱动器及其制备方法，用于固态继电器的光伏驱动器包括氮化镓基光电探测器阵列，包括有第一衬底；氮化镓基场效应管阵列，包括有第二衬底，所述氮化镓基场效应管阵列位于所述氮化镓基光电探测器阵列的右侧根据本发明的用于固态继电器的光伏驱动器，氮化镓基光电探测器阵列和氮化镓基场效应管阵列为一体化设置，不但能够简化封装，有利于固态继电器的微型化，而且制作工艺简单，能够降低生产成本。
用于固态继电器驱动器及其制备方法

[发明专利]氮化镓基激光器限制层的制备方法及所得限制层和激光器-CN202210210936.1有效
发明人：黄思溢;池田昌夫;张名龙;刘建平;张书明;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基激光器限制层的制备方法、由该方法制得的氮化镓基激光器限制层以及具有该限制层的氮化镓基激光器。该氮化镓基激光器限制层的制备方法包括，外延生长掺杂Mg的短周期AlGaN/GaN超晶格结构，其中，仅在生长所述AlGaN/GaN超晶格结构中的GaN层时，进行Mg的掺杂，且所述GaN层中Mg的掺杂浓度小于等于由该方法得到的限制层，能够维持限制层内AlGaN/GaN结构的极化效应，提升p型限制层的空穴浓度，降低了电阻率；在其应用于垂直型氮化镓基激光器时，可以提升氮化镓基激光器的性能。
氮化激光器限制制备方法所得

[发明专利]氮化镓基半导体器件及其制作方法-CN201710795972.8有效
发明人：李尚俊 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2017-09-06 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓基半导体器件及其制作方法，氮化镓基半导体器件包括基板，于所述基板上生长的缓冲层，于所述缓冲层上生长的非有意掺杂氮化镓层，于所述非有意掺杂氮化镓层上生长的通道层，于所述通道层上生长的扩散停止层，于所述扩散停止层上生长的P型掺杂氮化镓帽层。所述扩散停止层用来阻止所述P型掺杂氮化镓帽层中的掺杂物向所述通道层移动，从而保证所述P型掺杂氮化镓帽层中掺杂物的浓度，达到维持氮化镓基半导体器件的增强特性有效。
氮化半导体器件及其制作方法

[发明专利]具有蓝色荧光的纳米镓酸锌的制备方法-CN201110110283.1无效
发明人：袁艳萍;钱雪峰;沈杰;宰建陶;徐淼 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2011-04-29 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：一种纳米材料技术领域的具有蓝色荧光的纳米镓酸锌的制备方法，通过将锌盐溶液中加入表面活性剂配制成锌络和离子溶液，再依次加入镓盐并控制pH值，最后经加热反应制备得到镓酸锌纳米材料。本发明解决了现有技术得到发纯正蓝光的发光材料较少，且大多此类材料都是高温固相烧结而成，普遍存在分散性较差或发光性能不好等缺点，本发明工艺简单，生产成本低，所得的镓酸锌纳米材料能进一步满足工业需求。
具有蓝色荧光纳米镓酸锌制备方法

[发明专利]生长氮化镓基半导体层的方法及用其制造发光器件的方法-CN201380064627.7在审
发明人：崔承奎;郭雨澈;金材宪;郑廷桓 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2013-10-10 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明的示例性实施例涉及一种通过金属有机化学气相沉积来生长氮化镓基半导体层的方法，所述方法包括：在腔室中设置基板；在第一腔室压强下在基板上生长第一导电型氮化镓基半导体层；在比第一腔室压强高的第二腔室压强下在第一导电型氮化镓基半导体层上生长氮化镓基活性层；以及在比第二腔室压强低的第三腔室压强下在活性层上生长第二导电型氮化镓基半导体层。
生长氮化半导体方法制造发光器件

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