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[发明专利]一种氮化镓基激光器外延结构及具有该结构的激光器-CN202310272599.3在审
发明人： 贾传宇;谌春亮;刘宏展 -专利权人：东莞理工学院
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基激光器外延结构及具有该结构的激光器，涉及半导体光电子器件领域。本发明通过对氮化镓基激光器的有源区结构及外延生长方法进行设计，有效提升有源区晶体质量以及载流子向有源区注入效率，同时，通过设计新型光波导层结构和生长方法，在提升光场限制效果的基础上有效减少内损耗。此外，本发明还进一步设计了氮化镓基激光器外延结构的其它各层结构，进一步提升光场限制效果，降低激光器的内损耗。
一种氮化激光器外延结构具有

[发明专利]一种氮化镓基绿光激光器及其制备方法-CN202110241949.0有效
发明人： 贾传宇 -专利权人：东莞理工学院
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基绿光激光器及其制备方法。氮化镓基绿光激光器，包括从下到上依次层叠设置的氮化镓单晶衬底、n‑GaN层、n‑AlGaN/GaN超晶格限制层、下波导层、有源区、p型电子阻挡层、上波导层、p‑AlGaN/GaN超晶格限制层、p‑GaN接触层；所述有源区为变温变生长速率的量子阱结构，下波导层和上波导层为梯度掺杂的复合波导层。本发明通过设置变温变生长速率的InGaN/InGaN量子阱结构作为有源区、梯度掺杂的u‑InGaN+u‑GaN+p‑GaN+p+‑AlGaN复合上波导层，以及梯度掺杂的n+‑Aly1Ga1‑y1N+n‑GaN+u‑GaN+u‑Inx5Ga1‑x5N复合下波导层，有效降低了激光器P型层光学吸收损耗，提高了激光器的量子效率，进一步提高了氮化镓基绿光激光器的绿光发光强度。
一种氮化镓基绿光激光器及其制备方法

[发明专利]生长单一晶向氮化镓材料的方法和复合衬底-CN202210204788.2在审
发明人： 贾传宇;张国义;孙永健;陆羽 -专利权人：北京大学东莞光电研究院
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了在氮化铝陶瓷基板上生长单一晶向氮化镓材料的方法和复合衬底，该方法包括如下步骤：在氮化铝陶瓷基板上制备氮化铝成核层，得到氮化铝陶瓷基板复合衬底；将所述氮化铝陶瓷基板复合衬底放入金属有机化学气相外延设备进行外延生长，生长得到具有单一晶向氮化镓材料的复合衬底，所述复合衬底包括从下到上依次层叠设置的氮化铝成核层、低温氮化镓成核层、高温氮化镓合并层和高温氮化镓外延层；本发明在氮化铝陶瓷基板外延上生长单一晶向氮化镓材料，由于氮化铝陶瓷基板是高阻材料且具有优良的散热性能，可制备高耐压电子功率器件，有效弥补现有技术中在硅衬底上制备氮化镓外延材料而只能制备低耐压电子功率器件的缺陷。
生长单一氮化材料方法复合衬底

[发明专利]一种紫外发光二极管及其制备方法和应用-CN202110144385.9有效
发明人： 贾传宇 -专利权人：东莞理工学院
申请日： 2021-02-02 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种紫外发光二极管及其制备方法和应用。本发明的紫外发光二极管，包括从下到上依次层叠设置的PSS衬底、GaN缓冲层、u‑GaN外延层、n‑GaN接触层、V‑pits层、多量子阱有源区、u‑AlGaN垒层、p+‑GaN、p型电子阻挡层、p‑GaN接触层。本发明通过具有V型结构的V‑pits层和特殊的掺杂方式的P型层，有效减少了p‑GaN外延层中未激活的束缚空穴对发光器件的光吸收，进而提高紫光LED光外量子效率；在P型层与V‑pits层的共同作用下，通过协同增效，使得紫外发光二极管具有优异的发光强度。
一种紫外发光二极管及其制备方法应用

[发明专利]一种基于氮化镓衬底的激光二极管及其制备方法-CN202010535414.X有效
发明人： 贾传宇 -专利权人：东莞理工学院
申请日： 2020-06-12 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于氮化镓衬底的激光二极管及其制备方法，所述激光二极管包括从下到上依次层叠设置的GaN单晶衬底、n‑GaN层、n型限制层、下复合波导层、量子阱有源区、电子阻挡层、上复合波导层、p型限制层和p‑GaN接触层。本发明通过优化设计激光器下复合波导层、量子阱有源区、电子阻挡层、上复合波导层结构，可以有效降低激光器的半峰宽，改善激光器光束质量。
一种基于氮化衬底激光二极管及其制备方法

[发明专利]一种基于AlN/PSS复合衬底的深紫外发光二极管及其制备方法-CN202010535425.8有效
发明人： 贾传宇 -专利权人：东莞理工学院
申请日： 2020-06-12 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于AlN/PSS复合衬底的深紫外发光二极管及其制备方法，所述深紫外发光二极管包括从下到上依次层叠设置的AlN/PSS复合衬底、AlN、AlGaN/AlN超晶格、n‑AlGaN接触层、V‑pits层、量子阱有源区、AlGaN电子阻挡层、p‑AlGaN限制层和p‑GaN接触层。本发明的深紫外发光二极管包括V‑pits层，可以有效屏蔽位错、消除全反射和波导效应，优化设计了量子阱有源区，可以调控发光模式的比例，进而提高深紫外LED的光提取效率。
一种基于 aln pss 复合衬底深紫发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种氮化镓基激光二极管外延结构及其制备方法-CN202010547047.5有效
发明人： 贾传宇 -专利权人：东莞理工学院
申请日： 2020-06-16 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基激光二极管外延结构及其制备方法，所述氮化镓基激光二极管外延结构从下到上依次层叠设有氮化镓单晶衬底、n型GaN层、n型限制层、下波导层、有源区、上波导层、p型限制层和p型GaN层，其中，下波导层为n‑‑Aly2Ga1‑y2N+n‑‑GaN+n‑Inx1Ga1‑x1N/GaN超晶格复合波导层，有源区为非对称掺杂的InGaN/GaN双量子阱结构，上波导层为u‑Inx4Ga1‑x4N/GaN超晶格+u‑GaN+p‑Aly4Ga1‑y4N复合结构。本专利申请通过优化设计氮化镓基激光器高量子效率渐变In组分梯形有源区结构，并进一步设计新型光波导层结构，得到全新的氮化镓基激光二极管外延结构。该氮化镓基激光二极管外延结构用作激光器，进行光泵激射时，半峰宽较窄，光束质量高。
一种氮化激光二极管外延结构及其制备方法

[实用新型]一种神经内科患者用康复训练装置-CN202020628646.5有效
发明人： 贾传宇 -专利权人：郑州大学第五附属医院
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： A61H1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种神经内科患者用康复训练装置，包括安装板、支撑梁、坐垫板和两组容纳块，所述支撑梁的两侧分别与安装板的顶壁和坐垫板底壁的中央焊接固定，所述坐垫板远离两组容纳块的一侧设有第一铰链和靠板，所述第一铰链水平安装在坐垫板顶壁的其中一侧，所述坐垫板通过第一铰链与靠板传动连接，所述靠板远离坐垫板的一侧设有伸缩杆，两组所述容纳块对称安装在安装板的两侧。该神经内科患者用康复训练装置，通过设置了第一铰链、靠板、伸缩杆、容纳块、竖板和升降杆，伸缩杆来回伸缩可按摩病人的腰部，升降杆来回伸缩可按摩病人的小腿，因此使病人的腰部和下肢同时得到锻炼，提高了康复训练的效果。
一种神经内科患者康复训练装置

[发明专利]一种具有双梯度的量子阱结构的近紫外LED制备方法-CN201810523668.2有效
发明人： 贾传宇;王红成;凌东雄 -专利权人：东莞理工学院
申请日： 2018-05-28 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种具有双梯度的量子阱结构的近紫外LED制备方法，其峰值波长范围在390nm‑405nm高亮度近紫外LED；采用双梯度渐变的InGaN/AlGaN多量子阱作为有源层结构,其中在前5个周期的量子阱中阱层Inx1Ga1‑x1N的厚度范围在2‑4nm，其In组分x1；垒层Aly1Ga1‑y1N厚度为5nm‑6nm，Al组分y1，在后5个周期量子阱中阱层InxGa1‑xN的厚度范围在2‑4nm，垒层AlGaN，垒层AlyGa1‑yN厚度为10nm‑15nm。采用复合电子阻挡层，第一层电子阻挡层为4‑6个周期Inx2Ga1‑x2N/Aly2Ga1‑y2N超晶格,其中InGaN厚度为，2nm‑2.5nm,AlGaN厚度为：1.5nm‑2nm；第二层电子阻挡层为8‑10个周期p‑Inx2Ga1‑x2N/Aly2Ga1‑y2N超晶格，其中InGaN厚度为3nm‑4nm,AlGaN厚度为2.5nm‑3nm.其中In组分x2，0.01≤x2＜x1＜x＜0.1，其中Al的组分y2,0.05≤y1≤y≤y2≤0.1；所述新型量子阱有源层结构及电子阻挡层结构，可有效提高电子、空穴复合发光效率；适用于高亮度近紫外LED的制作。
一种具有梯度量子结构紫外 led 制备方法

[发明专利]一种基于AlN/PSS复合衬底的高亮度发光二极管及其制备方法-CN201910942692.4有效
发明人： 贾传宇;胡西多 -专利权人：东莞理工学院
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于AIN/PSS复合衬底的高亮度发光二极管及其制备方法，所述高亮度发光二极管包括从下到上依次层叠设置的AlN/PSS复合衬底、u型GaN合并层、n型GaN层、低温GaN V‑pits层、有源区、电子阻挡层、高温p型GaN层和接触层。本发明的高亮度发光二极管包括新型结构的u‑GaN合并层，以及V‑pits层和有源区，能够有效提高外延层晶体质量，有效缓解有源区应力，并改善水平方向电流扩展，进而实现提高发光二极管发光效率的目的，制得的发光二极管亮度高。
一种基于 aln pss 复合衬底亮度发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种基于氮化镓单晶衬底的激光二极管及其制备方法-CN201910935597.1有效
发明人： 贾传宇;凌东雄;王红成;吕伟;王春华;康晓娇;胡西多 -专利权人：东莞理工学院
申请日： 2019-09-29 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于氮化镓单晶衬底的激光二极管及其制备方法，所述激光二极管包括从下到上依次层叠设置的GaN单晶衬底、n型GaN层、n型限制层、下波导层、复合量子阱有源区、电子阻挡层、上波导层、p型限制层和p型GaN层。本发明设计和优化氮化镓基激光器高量子效率应力调控有源区结构，新型光波导层结构以及新型限制层结构，在低位错密度GaN单晶衬底上制备激光二极管，突破GaN基激光器的外延制备技术难点，得到高可靠性高量子效率GaN基激光器。
一种基于氮化镓单晶衬底激光二极管及其制备方法

[发明专利]用于在硅衬底上制备高电子迁移率场效应晶体管的方法-CN201611256276.1有效
发明人： 贾传宇;殷淑仪;张国义 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种用于在硅衬底上制备高电子迁移率场效应晶体管的方法，包括以下步骤，在在Si衬底上生长AlN成核层和Al组分线性变化和固定不变的AlyGa1‑yN应力释放层，再生长GaN外延层，然后铺设三组交叉排列的碳纳米管阵列形成连续的碳纳米管薄膜周期性介质掩膜和MgN/SiN无定型掩膜形成的复合微纳米掩膜，第一组碳纳米管排列方向平行于GaN外延层[1‑100]方向，第二组碳纳米管排列方向与第一组碳纳米管成60度夹角，第三组碳纳米管排列方向与第一组碳纳米管成120度夹角，然后再生长GaN合并层和Al0.25Ga0.75N势叠层。本发明能获得无龟裂、高晶体质量的GaN外延层。
用于衬底制备电子迁移率场效应晶体管方法

[发明专利]一种在硅衬底上制备高电子迁移率场效应晶体管的方法-CN201611257930.0有效
发明人： 贾传宇;殷淑仪;张国义 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种在硅衬底上制备高电子迁移率场效应晶体管的方法，在Si衬底上生长AlN成核层、固定Al组分的AlyGa1‑yN应力释放层和GaN外延层，采用低压化学气相沉积法，铺设第一组碳纳米管，第一组碳纳米管排列方向平行于GaN外延层[1‑100]方向；生长AlyGa1‑yN合并层，铺设排列方向和第一组碳纳米管成45度夹角的第二组碳纳米管，接着再生长AlyGa1‑yN合并层，铺设排列方向和第一组碳纳米管成90度角的第三组碳纳米管，接着生长AlyGa1‑yN合并层，铺设排列方向和第一组碳纳米管成135度角的第四组碳纳米管，再生长AlyGa1‑yN合并层。本发明能获得无龟裂、高晶体质量的GaN外延层。
一种衬底制备电子迁移率场效应晶体管方法

[发明专利]一种非极性面氮化镓衬底外延结构及其制备方法与应用-CN201811463191.X有效
发明人： 贾传宇;王红成;胡西多 -专利权人：东莞理工学院
申请日： 2018-12-03 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种非极性面氮化镓衬底外延结构及其制备方法与应用。所述非极性面氮化镓衬底外延结构，包括从下向上的非极性面氮化镓衬底、第一n‑GaN层、复合应力释放层、有源区、电子阻挡层、高温p‑GaN层和p‑InGaN接触层；所述复合应力释放层从下向上依次由u‑GaN层、n‑Inx1Ga1‑x1N/GaN超晶格层和第二n‑GaN层组成；其中，u‑GaN层的厚度为100～400nm；n‑Inx1Ga1‑x1N/GaN超晶格层为势阱Inx1Ga1‑x1N层和势垒GaN层交替生长且呈周期性的多层膜，周期数为10～20。本发明提供的u‑GaN、n‑Inx1Ga1‑x1N/GaN超晶格和n‑GaN作为复合应力释放层提高了非极性面氮化镓衬底外延结构的发光效率。
一种极性氮化衬底外延结构及其制备方法应用

[发明专利]一种在Si衬底上制备无裂纹GaN薄膜的方法-CN201410687721.4有效
发明人： 贾传宇;殷淑仪;张国义 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司;北京大学
申请日： 2014-11-25 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供一种在Si衬底上制备无裂纹GaN薄膜的方法。先在Si衬底上采用金属有机化学气相外延技术生长高温AlN成核层；然后，依次生长三层其Al组分梯度渐变的应力调控层：第一层为5个周期(30nm)AlxGa1‑xN/(30nm)Al0.5Ga0.5N应力调控层(其中Al组分x从100％变化到50％，插入层厚度0.3微米)；第二层为4个周期(25nm)AlyGa1‑yN/(25nm)Al0.2Ga0.8N应力调控层(其中Al组分y从50％变化到20％，插入层总厚度0.2微米)；第三层为3个周期(20nm)AlzGa1‑zN/(20nm)GaN应力调控层(其中Al组分z从20％变化到零，插入层厚度0.12微米)；在此基础上，生长GaN层(薄膜厚1‑1.5微米)；最终，得到无裂纹、高品质的Si衬底GaN薄膜，可供制备AlGaN/GaN HEMT器件等。
一种 si 衬底制备裂纹 gan 薄膜方法

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