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[发明专利]氮化镓基垂直器件及其制备方法-CN201911163576.9有效
发明人：康玄武;孙跃;刘新宇;郑英奎;魏珂 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基垂直器件及其制备方法，该器件包括：氮化镓化合物缓冲层；氮化镓掺杂层，与该氮化镓化合物缓冲层相接触；第一电极，设置与该氮化镓掺杂层相接触；第二电极，设置与该氮化镓化合物缓冲层相接触本发明提供的该氮化镓基垂直器件及其制备方法，基于异质外延结构如蓝宝石衬底等制作实现，制备时通过激光剥离技术对该蓝宝石衬底进行剥离，结合半导体制造前端和后端工艺，减小了氮化镓基垂直器件的尺寸，提高了器件的散热效率
氮化垂直器件及其制备方法

[发明专利]微量钽改性的镍锰钴镓基高温形状记忆合金-CN200910252189.2无效
发明人：马云庆;杨水源;赖三哩;张锦彬;黄艺雄;刘兴军;王翠萍 -专利权人：厦门大学
申请日： 2009-12-10 - 公布日： 2010-05-19 - 主分类号： C22C19/03 文献下载
摘要：微量钽改性的镍锰钴镓基高温形状记忆合金，涉及一种形状记忆合金。提供一种微量钽改性后具有高马氏体相变温度，较好塑性和形状记忆性能的微量钽改性的镍锰钴镓基高温形状记忆合金及其制备方法。将镍、锰、钴、镓和钽原料放入炉内，抽真空，充入氩气，熔炼，得镍锰钴镓钽高温形状记忆合金锭材；将镍锰钴镓钽高温形状记忆合金锭材热处理，随炉冷却；将经过热处理的镍锰钴镓钽高温形状记忆合金锭材热轧成片状合金材料；将得到的片状合金材料切成试样，热处理后，冰水淬火，即得微量钽改性的镍锰钴镓基高温形状记忆合金。
微量改性镍锰钴镓基高温形状记忆合金

[发明专利]氮化镓基蓝光LED结温及温度分布测试方法-CN202111409135.X有效
发明人：区炳显;冯慧玮;闫大为 -专利权人：江苏省特种设备安全监督检验研究院
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G01N25/20 文献下载
摘要：本发明公开一种氮化镓基蓝光LED结温及温度分布测试方法，首先在激励电流下采集不同温度时LED自发光图片；施加激励电流的同时提供额定工作电流，在结温保持稳定后断开工作电流，同时连续采集图片，得到切换前后自发光图片
氮化镓基蓝光 led 温度分布测试方法

[实用新型]一种N型氮化镓基发光二极管-CN201620436066.X有效
发明人：陆俊 -专利权人：苏州新纳晶光电有限公司
申请日： 2016-05-16 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种N型氮化镓基发光二极管，包括外延层结构，外延层结构包括从上至下依次设置的蓝宝石衬底、氮化镓缓冲层、非掺杂氮化镓层、硅掺杂的n型氮化镓层、硅掺杂的低温n型铝镓氮的电子扩散层、铟镓氮‑氮化镓多量子阱有源发光层、铝掺杂氮化镓层、镁掺杂的p型氮化镓层以及透明导电层，透明导电层上设置有p型电极，硅掺杂的低温n型铝镓氮的电子扩散层上设置有n型电极。本实用新型通过在硅掺杂的n型氮化镓层和铟镓氮‑氮化镓多量子阱有源发光层之间增加硅掺杂的低温n型铝镓氮的电子扩散层，并控制电子扩散层的组分、厚度，使载流子在LED结构中进行横向扩展，增加电子‑空穴对的复合概率，提高N型氮化镓基发光二极管的发光效率。
一种氮化发光二极管

[实用新型]一种多芯片合封的半导体封装结构-CN202121659319.7有效
发明人：曹周 -专利权人：杰群电子科技（东莞）有限公司
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：该多芯片合封的半导体封装结构包括：引线框架，其包括第一基岛、第二基岛以及第三基岛；硅基场效应晶体管芯片，其固定于第一基岛；氮化镓芯片，其固定于第二基岛；氮化镓芯片与硅基场效应晶体管芯片电连接；控制芯片，其固定于第三基岛；控制芯片与硅基场效应晶体管芯片电连接；封装体，其包封引线框架、硅基场效应晶体管芯片、氮化镓芯片以及控制芯片。该多芯片合封的半导体封装结构，将氮化镓芯片、硅基场效应晶体管芯片以及控制芯片合封至同一封装结构，可实现更优的性能，并且封装面积小，封装电阻低，节约成本。
一种芯片半导体封装结构

[发明专利]一种含三氧化二镓介孔薄膜的可变色可变形的智能纺织品及其制备方法-CN201910144798.X在审
发明人：林佳 -专利权人：温州优巴信息技术有限公司
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： D06M11/45 文献下载
摘要：本发明提供一种含三氧化二镓介孔薄膜的可变色可变形的智能纺织品及其制备方法，包括以下步骤：将氧化石墨烯溶液完全浸渍纺织基布，取出，完全干燥后，经水合肼还原处理，重复浸渍和还原处理，得到石墨烯改性的纺织基布；将石墨烯改性的纺织基布表面涂覆含碳纳米管的石墨溶胶，经热处理活化处理，得到预处理的石墨改性纺织基层；在惰性气体保护下，将镓基液态金属加入纤维素悬浮液中，充分搅拌，得到含镓基液态金属的纤维素悬浮液；在预处理的石墨改性纺织基层涂覆含镓基液态金属的纤维素悬浮液，在惰性气体下去除溶剂后，置于含氧气的环境中，低压加热处理，得到含三氧化二镓介孔薄膜的可变色可变形的智能纺织品。
纤维素悬浮液三氧化二镓智能纺织品纺织基布介孔薄膜液态金属可变色可变形镓基预处理浸渍石墨烯改性纺织基层还原处理石墨改性制备氧化石墨烯溶液惰性气体保护含碳纳米管热处理表面涂覆惰性气体活化处理加热处理石墨溶胶除溶剂水合肼涂覆氧气取出重复

[发明专利]一种砷化镓基几何巨磁电阻器件及其制备方法-CN201210220038.0无效
发明人：章晓中;王集敏;万蔡华;朴红光 -专利权人：清华大学
申请日： 2012-06-28 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明属于磁场检测和磁场传感器材料以及器件技术领域，特别涉及一种砷化镓基几何巨磁电阻器件及其制备方法。该砷化镓基几何巨磁电阻器件在矩形单晶GaAs（100）或矩形单晶GaAs（111）基片表面的4个角上分别设有1个金属电极，4个金属电极呈矩形或梯形。其制备方法为：将GaAs 基片用酒精或丙酮漂洗干净后裁剪成矩形，将高纯软金属分别沉积或压制成金属电极于矩形单晶GaAs基片的4个角上，即可得到砷化镓基几何巨磁阻器件。所得到的砷化镓基几何巨磁阻器件具有显著的磁电阻效应，其磁电阻大于常规GaAs基磁电阻器件的磁电阻。所得到的砷化镓基几何巨磁阻器件的结构简单，原材料价格适中，制备工艺简单，且环境友好。
一种砷化镓基几何磁电器件及其制备方法

[发明专利]一种利用液态金属镓制备大尺寸二维晶态氮化镓的方法-CN202210781925.9有效
发明人：张骐;呼布钦;李馨;徐旻轩 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明属于氮化镓制备领域，为解决如何使用无毒无害的氮源用以制备尺寸较大、厚度较小的二维氮化镓材料的问题，本发明提供一种镓基液态金属辅助制备二维氮化镓的方法，本技术方案通过化学气相沉积实现，包含三步：(1)使用镓基液态金属在氧化硅片上制得二维氧化镓薄膜；(2)将二维氧化镓薄膜与氮源尿素(CH4N2O)置于管式炉中；(3)在氧化硅基底上发生化学反应并产生二维氮化镓薄膜。使用本发明提供的技术方案制备的二维氮化镓表面平整度良好、尺寸较大，便于商业化生产。
一种利用液态金属制备尺寸二维晶态氮化方法

[发明专利]一种氮化镓基发光二极管及其制备方法-CN201310665463.5无效
发明人：云峰;郭茂峰 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2013-12-10 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基发光二极管及其制备方法，所述氮化镓基发光二极管包括X型氮化镓层和设置于X型氮化镓层上的X型电极；所述X型电极下部的X型氮化镓层上形成有电流阻隔区域；电流阻隔区域的面积小于X型电极的面积；所述X型氮化镓层为N型氮化镓层或P型氮化镓层，所述X型电极对应X型氮化镓层为N型电极或P型电极。
一种氮化发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种氮化镓基光子晶体面发射蓝光激光器及制备方法-CN202310127773.5在审
发明人：刘启发;李皖晴 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基光子晶体面发射蓝光激光器及制备方法，结构包括：衬底层、底层GaN层、多孔GaN层、AlGaN‑n层、n电极、GaN/InGaN成对组成的多层量子阱有源层、AlGaN‑p阻挡层、GaN‑p
一种氮化光子晶体发射激光器制备方法

[发明专利]金刚石基氮化镓外延的衬底结构及其制备方法-CN202210095235.8在审
发明人：宁静;武海迪;张进成;贾彦青;王东;马佩军;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种金刚石基氮化镓外延的衬底结构及其制备方法，该制备方法包括：步骤1：在金刚石衬底上制备氮化铝成核层；步骤2：在铜箔表面生长石墨烯层；步骤3：将石墨烯层从铜箔转移至氮化铝成核层上；步骤4：在石墨烯层上外延生长氮化镓外延层，得到金刚石基氮化镓外延的衬底结构。本发明的金刚石基氮化镓外延的衬底结构的制备方法，首先在金刚石衬底上低温磁控溅射了一层氮化铝成核层，再通过转移的方式将石墨烯层转移至氮化铝成核层上，然后再进行氮化镓外延生长，外延得到的氮化镓层具有良好的晶格取向
金刚石氮化外延衬底结构及其制备方法

[发明专利]氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法-CN202211419228.5在审
发明人：李俊;王琛;胡俊杰;王冲 -专利权人：中芯越州集成电路制造（绍兴）有限公司
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请实施例涉及一种氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法，包括：衬底，包括在厚度方向上彼此相对的第一表面和第二表面；漏极沟槽，从衬底的第一表面延伸至衬底的内部；氮化镓基外延叠层，在衬底的第一表面上以及漏极沟槽的内表面上延伸，氮化镓基外延叠层的至少部分区域用于形成二维电子气通道；漏极，位于漏极沟槽内且位于氮化镓基外延叠层的第一位置上；栅极，位于氮化镓基外延叠层的第二位置上；由氮化镓基外延叠层中位于第一位置和第二位置之间的部分形成的二维电子气通道具有沿厚度方向上的分量
氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法

[发明专利]铽镱共掺杂碱镓钨酸盐上转换发光材料、制备方法及其应用-CN201310578396.3在审
发明人：周明杰;陈吉星;王平;黄辉 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-11-18 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： C09K11/68 文献下载
摘要：一种铽镱共掺杂碱镓钨酸盐上转换发光材料，其化学式为R2Ga2WO7：xTb3+,yYb3+，其中，x为0.01～0.05，y为0.01～0.1，R选自锂元素，钠元素，钾元素，铷元素和锶元素中至少一种。该铽镱共掺杂碱镓钨酸盐上转换发光材料的光致发光光谱中，铽镱共掺杂碱镓钨酸盐上转换发光材料的激发波长为980nm，在485nm波长区由Tb3+离子5D4→7H6的跃迁辐射形成发光峰，可以作为蓝光发光材料。本发明还提供该铽镱共掺杂碱镓钨酸盐上转换发光材料的制备方法及使用该铽镱共掺杂碱镓钨酸盐上转换发光材料的有机发光二极管。
铽镱共掺杂碱镓钨酸盐上转换发光材料制备方法及其应用

[发明专利]钐镱共掺杂稀土镓酸盐上转换发光材料、制备方法及其应用-CN201310194873.6无效
发明人：周明杰;王平;陈吉星;黄辉 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-05-22 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： C09K11/80 文献下载
摘要：一种钐镱共掺杂稀土镓酸盐上转换发光材料，具有如下化学通式的MeGaO3：xTm3+，yYb3+，其中，x为0.01～0.08，y为0.01～0.06，Me为钇元素，镧元素，钆元素和镥元素中的一种。该钐镱共掺杂稀土镓酸盐上转换发光材料的光致发光光谱中，钐镱共掺杂稀土镓酸盐上转换发光材料的激发波长为578nm，得到的475nm的发光峰，是Tm3+离子1G4→3H6的跃迁辐射发光，可以作为蓝光发光材料本发明还提供该钐镱共掺杂稀土镓酸盐上转换发光材料的制备方法及使用该钐镱共掺杂稀土镓酸盐上转换发光材料的有机发光二极管。
钐镱共掺杂稀土镓酸盐上转换发光材料制备方法及其应用

[发明专利]一种基于镓基液态合金的血压计及血压标定方法-CN202110474319.8有效
发明人：金明江;金学军 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： A61B5/022 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于镓基液态合金的血压计及血压标定方法，涉及医疗设备技术领域，具体为利用镓基液态合金柱作为血压测试的感压液，测量人体的血压；提出通过调整玻璃毛细管长度配合控压腔进行血压计压力控制的体系，实现对镓基液态合金柱的精确控制，在避免镓基液态合金被氧化的同时，提高测量精度、缩短玻璃毛细管长度；本发明血压计及血压标定方法的提出可以大幅度降低社会对有害汞金属的依赖，解决电子式体温计的测量精度不佳等问题
一种基于液态合金血压计血压标定方法