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[发明专利]己基取代-芴修饰的芳基咪唑类化合物、制备方法及其深蓝光电致发光器件-CN201810172466.8有效
发明人：霍延平;谭继华;周沛祺;陈国威;苏仕健;蔡欣佚 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2018-03-01 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： C07D235/02 文献下载
摘要：本发明属于有机发光材料及其光电器件应用技术领域，具体涉及己基取代‑芴修饰的芳基咪唑类化合物、制备方法及其深蓝光电致发光器件。本发明提供了一种己基取代‑芴修饰的芳基咪唑类化合物及其制备方法，所述己基取代‑芴修饰的芳基咪唑类化合物的结构通式为式Ⅰ。本发明还提供了基于己基取代‑芴修饰的芳基咪唑类化合物能高效发射深蓝光的电致发光器件，解决了现有技术难以兼顾高蓝光纯度与高荧光量子效率的技术难题，借助咪唑类材料与己基取代芴的优良特性，合成了兼具高可溶性、高蓝光纯度以及高荧光量子产率的有机发光小分子及其深蓝光有机电致发光器件。
己基芳基咪唑类化合物修饰制备发光器件高荧光蓝光有机电致发光器件有机发光小分子电致发光器件应用技术领域有机发光材料光电器件技术难题结构通式量子效率取代芴咪唑类产率量子合成发射

[发明专利]氮化物基异质结半导体器件及其制造方法-CN201310044202.1在审
发明人：李哉勋;郑在现 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-02-04 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本申请公开了一种氮化物基异质结半导体器件及其制造方法。所述氮化物基异质结半导体器件包括：布置在衬底上的氮化镓层；布置在所述氮化镓层上的铝掺杂氮化镓层；布置在所述铝掺杂氮化镓层上的第一区域中的肖特基电极；布置在所述铝掺杂氮化镓层上的第二区域中的氮化铝镓层；以及布置在所述氮化铝镓层上的欧姆电极
氮化物基异质结半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种基于硅基磷酸三丁酯固体吸附剂从酸性溶液提纯镓的方法-CN201911276212.1有效
发明人：何春林;蒙杰杰;韦悦周;宁顺艳;王欣鹏;藤田豊久;王开拓 -专利权人：广西大学
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅基磷酸三丁酯固体吸附剂从酸性溶液提纯镓的方法。所采用固体吸附剂为磷酸三丁酯‑硅基吸附剂(TBP/SiO2‑P)，其制备是通过将磷酸三丁酯(TBP)负载到多孔道硅基聚合物材料(SiO2‑P)表面或为孔道上制备而成，再将合成的TBP/SiO2‑P应用酸性溶液进行镓的吸附提纯，实现从富含镓、钒、铝、硅、镁等元素酸性溶液中高效回收和提纯镓，镓的回收率到达95%，后续经水解吸、氢氧化钠沉淀可制备高品质的氢氧化镓(Ga2O3:99.9%)，可煅烧生产高纯度的氧化镓或进行电解获得高纯度的金属镓(Ga:99.999%)。本发明回收吸附镓的速度快，镓回收率高，产品纯度高，吸附后酸液废水可循环利用，解吸采用水无污染的特点。
一种基于磷酸三丁酯固体吸附剂酸性溶液提纯方法

[发明专利]提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构及制作方法-CN200410009922.5有效
发明人：王翠梅;王晓亮;胡国新;王军喜;李建平;曾一平;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-12-02 - 公布日： 2006-06-07 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构，包括：一蓝宝石衬底或碳化硅衬底或硅衬底；一高阻半绝缘氮化镓缓冲层，该高阻半绝缘氮化镓缓冲层制作在衬底上；一高迁移率氮化镓沟道层，该高迁移率氮化镓沟道层制作在高阻半绝缘氮化镓缓冲层上；一薄层氮化铝插入层，该薄层氮化铝插入层制作在高迁移率氮化镓沟道层上，该薄层氮化铝插入层可以提高氮化镓基高电子迁移率晶体管材料的综合性能；一n型掺杂或非故意掺杂铝镓氮势垒层，该n型掺杂或非故意掺杂铝镓氮势垒层制作在薄层氮化铝插入层上
提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能结构制作方法

[发明专利]一种回收镍基高温合金的方法-CN201911336388.1有效
发明人：李彬;段云彪;胡劲;王玉天 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： C22B23/00 文献下载
摘要：本发明公开一种回收镍基高温合金的方法，在镍基高温合金中加入金属镓，金属镓在较低温度下与镍基高温合金进行热处理制备前驱体，有效破碎镍基高温合金，提高镍基高温合金的浸出效率，为后续分离回收各个元素提供有利条件，实现镍基高温合金的高效回收；相比于熔融喷粉等碎化方法，本发明热处理温度低，能有效破碎耐高温耐腐蚀的镍基高温合金，可以有效降低能耗；本发明可以回收金属镓以循环使用，具有环保的优点。
一种回收高温合金方法

[实用新型]陶瓷衬底的氮化镓基芯片-CN201020574260.7无效
发明人：金木子;彭刚 -专利权人：金木子
申请日： 2010-10-17 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01L29/02 文献下载
摘要：本实用新型的陶瓷衬底的正装结构的氮化镓基芯片包括陶瓷衬底、缓冲层和氮化镓基外延层。陶瓷衬底包括，氮化铝陶瓷衬底、氧化铝陶瓷衬底、碳化硅陶瓷衬底、氮化硼陶瓷衬底、氧化锆陶瓷衬底、氧化镁陶瓷衬底。成分分层结构包括，氮化镓-铝镓氮-氮化铝(AlxGa1-xN)，其中0≤X≤1。本实用新型的基于陶瓷衬底的垂直结构的氮化镓基芯片包括导电支持衬底和氮化镓基外延层。
陶瓷衬底氮化芯片

[发明专利]氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法-CN201110152904.2无效
发明人：郭恩卿;伊晓燕;汪炼成;孙波;王国宏 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-06-09 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法，包括如下步骤：步骤1：取一氮化镓LED外延片，该外延片由衬底，N型氮化镓，多量子阱，铝镓氮EBL和P型氮化镓组成；步骤2：将该氮化镓LED外延片隔离成多个重复单元，每个单元就是一个独立的LED芯片；步骤3：对每个单元上表面的选定区域进行表面处理，使P型氮化镓的表层的中心区域形成电流阻挡层；步骤4：在每个单元上表面制作P电极，该P电极覆盖整个电流阻挡层及P型氮化镓，完成氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作。
氮化发光二极管电流阻挡制作方法

[发明专利]具有引入粗化层的高亮度铝镓铟磷基发光二极管及其制作方法-CN201010131565.5有效
发明人：潘群峰;吴志强;洪灵愿;吴超瑜 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2010-03-19 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：一种具有引入粗化层的高亮度铝镓铟磷基发光二极管及其制作方法，在常规铝镓铟磷基发光二极管的基础上，通过键合和衬底去除，将一粗化的n型铝镓铟磷基外延层引入并结合到原有发光二极管结构中，第一外延片就是常规铝镓铟磷基发光二极管制作第二外延片提供可粗化外延层，为了使可粗化外延层结合到第一外延片的第一键合窗口层表面，在两者之间提供第二键合窗口层，并通过高温高压条件下直接键合方式，将第一键合窗口层和第二键合窗口层结合形成键合，本发明成功地将湿法粗化n型铝镓铟磷基外延层应用于常规铝镓铟磷基发光二极管，大幅度提升了取光效率；与倒装铝镓铟磷基发光二极管相比，本发明的制作工艺简单且不存在焊线坑洞问题。
具有引入粗化层亮度铝镓铟磷基发光二极管及其制作方法

[实用新型]一种氮化镓基肖特基二极管-CN202020289473.9有效
发明人：范捷;万立宏;王绍荣 -专利权人：江苏丽隽功率半导体有限公司
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氮化镓基肖特基二极管，涉及半导体技术领域，该新型结构的氮化镓基肖特基二极管包括衬底及其上的N+氮化镓外延层，N+氮化镓外延层上制作有呈间隔结构的N‑GaN外延层，N‑GaN外延层上制作有P‑GaN外延层，P‑GaN外延层上制作有介质层；阴极金属电极与N+氮化镓外延层形成欧姆接触，阳极金属电极与P‑GaN外延层形成肖特基接触；该新型结构的氮化镓基肖特基二极管可以大幅降低漏电，提升器件耐压
一种氮化镓基肖特基二极管

[发明专利]氮化镓基半导体生长衬底及其制作方法-CN201610122812.2在审
发明人：庄家铭;徐宸科;黄惠葵;范慧丽 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2012-03-15 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化镓基半导体生长衬底，其包括：基板；晶格缓冲层，形成于石英玻璃上，其由类钻石薄膜(Diamond-LikeCarbon，简称DLC)构成；晶格转换层，形成于晶格缓冲层，其为多晶结构，晶格系数介于利用DCL与氮化物的组合，克服了石英玻璃或金属基板等普通基板用于生长氮化镓基半导体材料存在的晶格不匹配及热失配等问题，从而降低了现有氮化镓基半导体生长衬底的成本，同时提高了其后续生长的氮化镓基半导体材料的质量
氮化半导体生长衬底及其制作方法

[发明专利]扩孔腐蚀液、腐蚀工艺及电极箔-CN201980101239.9在审
发明人：余英凤;何凤荣;邓利松;朱荣贵;向云刚;温益凡 -专利权人：东莞东阳光科研发有限公司;乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01G9/055 文献下载
摘要：扩孔腐蚀液包含镓基液态金属纳米颗粒分散液，镓基液态金属纳米颗粒分散液由镓基液态金属在聚苯乙烯磺酸和聚苯乙烯磺酸钠的高分子溶液中分散得到，其中，镓基液态金属的质量分数为0.3‑1.5％。
扩孔腐蚀工艺电极

[发明专利]复合式氮化镓基半导体生长衬底及其制作方法-CN201210067966.8有效
发明人：庄家铭;王振祖;黄惠葵;范慧丽 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2012-03-15 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种复合式氮化镓基半导体生长衬底，其包括：基板；晶格缓冲层，形成于石英玻璃上，其由类钻石薄膜(Diamond-LikeCarbon，简称DLC)构成；晶格转换层，形成于晶格缓冲层，其为多晶结构利用DCL与氮化物的组合，克服了石英玻璃或金属基板等普通基板用于生长氮化镓基半导体材料存在的晶格不匹配及热失配等问题，从而降低了现有氮化镓基半导体生长衬底的成本，同时提高了其后续生长的氮化镓基半导体材料的质量
复合氮化半导体生长衬底及其制作方法

[实用新型]复合式氮化镓基半导体生长衬底-CN201220096939.9有效
发明人：庄家铭;王振祖;黄惠葵;范慧丽 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2012-03-15 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种复合式氮化镓基半导体生长衬底，其包括：基板；晶格缓冲层，形成于石英玻璃上，其由类钻石薄膜(Diamond-LikeCarbon，简称DLC)构成；晶格转换层，形成于晶格缓冲层，其为多晶结构利用DCL与氮化物的组合，克服了石英玻璃或金属基板等普通基板用于生长氮化镓基半导体材料存在的晶格不匹配及热失配等问题，从而降低了现有氮化镓基半导体生长衬底的成本，同时提高了其后续生长的氮化镓基半导体材料的质量
复合氮化半导体生长衬底

[发明专利]一种新型结构的大功率氮化镓基LED-CN200910264672.2无效
发明人：郝国栋;王怀兵;孔俊杰;范亚明;陈勇;黄晓辉 -专利权人：苏州纳晶光电有限公司
申请日： 2009-12-22 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化镓基发光二极管，尤其涉及一种大功率氮化镓基发光二极管的结构，所述大功率氮化镓基的发光二极管自下而上包括：衬底、设置在衬底上的N型氮化镓层、设置在N型氮化镓层的高台面上的氮化铝镓空穴阻挡层、设置在空穴阻挡层上的非对称多量子阱有源层、设置在非对称多量子阱有源层上的P型氮化镓层、设置在P型氮化镓层上的P+-氮化铟镓导电层、设置在P+-氮化铟镓导电层上的氧化铟钛电极层；所述二氧化硅钝化层设置在整个发光二极管的顶表面和连接高低台面的侧表面；所述N电极设置在N型氮化镓层的低台面上，P电极设置在氧化铟钛电极层中间。
一种新型结构大功率氮化 led

[发明专利]氮化物基半导体器件及其制造方法-CN201310305879.6在审
发明人：李哉勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-07-19 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化物基半导体器件及其制造方法。在一种氮化物基半导体器件中，在氮化铝镓（AlGaN）层上形成未掺杂氮化镓（GaN）层，并且在未掺杂氮化镓层上形成硅氮化碳（SixC1-xN）功能层。
氮化物半导体器件及其制造方法