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[发明专利]一种芯片、信号位移电路及电子设备-CN201910172026.7有效
发明人：蒋其梦;彭兴强;孙程豪 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：本申请公开了一种芯片及信号位移电路，应用于充电器或适配器等移动终端上，该芯片合封有采用硅基工艺制作的第一硅基驱动裸片和第二硅基驱动裸片，以及采用氮化镓工艺制作的第一氮化镓裸片和第二氮化镓裸片，第一硅基驱动裸片与控制器的两个输出端连接，第一硅基驱动裸片上集成有第一硅基电路，第二硅基驱动裸片集成有第二硅基电路，第一氮化镓裸片上集成有氮化镓电路，氮化镓电路耐高压，第一硅基电路接收控制器输出的脉冲信号HI，并将HI传递到氮化镓电路；氮化镓电路分担第二硅基电路的输入电压VB，并将HI传递到第二硅基电路。这样可以确保采用低压硅基工艺制作的低压第二硅基驱动裸片不被高输入电压损坏，从而降低了芯片的成本。
一种芯片信号位移电路电子设备

[实用新型]用于与镓基液态金属配合使用的金属结构件-CN202221152744.1有效
发明人：蔡昌礼;耿成都;陈道通;安健平;杜旺丽;唐会芳;张季 -专利权人：云南中宣液态金属科技有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于与镓基液态金属配合使用的金属结构件，其在所述金属结构件的与所述镓基液态金属接触的表面上具有高磷镍合金层。所述金属结构件在与镓基液态金属接触时，不会与镓基液态金属发生反应，从而避免由于镓基液态金属被消耗导致的散热性能下降。
用于液态金属配合使用结构件

[发明专利]一种能够低温固化的镓基液态金属热界面材料及其制备方法-CN202210558818.X在审
发明人：位松;郑增煌;李望云;杨道国 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C09K5/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种能够低温固化的镓基液态金属热界面材料及其制备方法，属于散热材料技术领域。该材料由熔炼后的镓基液态金属和固化剂混合所得；以质量百分比计，镓基液态金属为25％～95％，固化剂为5％～75％；镓基液态金属为纯镓、镓铟合金、镓锡合金、镓锌合金、镓铟锡合金、镓铟锌合金或镓铟锡锌合金；本发明材料具有远高于高分子基热界面材料的热导率，能够极大地降低界面接触热阻，且材料使用后能实现完全固化，彻底消除液态金属造成电子器件短路的风险；与金属基热界面材料相比，使用时无需经历高温焊接过程，极大地降低了材料连接工艺难度
一种能够低温固化液态金属界面材料及其制备方法

[发明专利]氮化镓基晶体管及其制备方法-CN201410153247.7在审
发明人：谢海忠;纪攀峰;杨华;伊晓燕;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-04-16 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化镓基晶体管及其制备方法。该氮化镓基晶体管包括：衬底；依次沉积于衬底上的低温成核层、氮化镓高阻层、高迁移率氮化镓层、氮化铝掺入层、铝镓氮势垒层和氮化镓帽层，其中，氮化镓帽层的两侧经刻蚀分别形成至铝镓氮势垒层的台阶；分别形成于氮化镓帽层两侧台阶的漏极和源级；形成于氮化镓帽层上方的栅极，构成氮化镓基晶体管主体；以及形成于氮化镓基晶体管主体的背面以及侧面，并露出漏极、栅极和源级的绝缘封装层。本发明氮化镓基晶体管及其制备方法在器件工艺的制作过程中由原来的三十步工艺，缩减到现在的二十二步工艺左右，同时使得器件体积减少到原来的五分之一。
氮化晶体管及其制备方法

[发明专利]硅基氮化镓外延层的生长方法及氮化镓外延片-CN202210884713.3在审
发明人：张臻琢;赵德刚;杨静;梁锋;陈平;刘宗顺 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基氮化镓外延层的生长方法及氮化镓外延片，硅基氮化镓外延层的生长方法包括：将硅基衬底放入反应室中；在硅基衬底上生长氮化铝缓冲层；在氮化铝缓冲层上生长氮化镓铝缓冲层；在氮化镓铝缓冲层上生长氮化镓铟插入层；在氮化镓铟插入层上生长氮化镓外延层；其中，生长氮化镓铟插入层的温度低于生长氮化镓铝缓冲层和氮化镓外延层的温度。在氮化镓铝缓冲层上降温生长一层氮化镓铟插入层，降温过程中氮化铝缓冲层和氮化镓铝缓冲层中出现裂纹，释放缓冲层中的部分应力，同时氮化镓铟插入层的生长能够覆盖裂纹，随后升温生长氮化镓外延层，能够使氮化镓外延层生长时受到更大更久的压应力
氮化外延生长方法

[发明专利]提高氮化镓基场效应晶体管肖特基势垒的方法-CN200910303939.4无效
发明人：赵妙;王鑫华;刘新宇;李诚瞻;魏珂;郑英奎 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-07-02 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高氮化镓基场效应晶体管肖特基势垒的方法，属于半导体材料器件制作技术领域。所述方法包括：对氮化镓基场效应晶体管进行清洗；在氮气保护下对清洗后的所述氮化镓基场效应晶体管进行高温存储。通过本发明，提高了氮化镓基场效应晶体管的肖特基势垒高度，降低了氮化镓基场效应晶体管肖特基的反向漏电，提高了氮化镓基场效应晶体管的功率特性和击穿特性，解决了氮化镓基场效应晶体管在工作中参数漂移的问题，提高了氮化镓基场效应晶体管的稳定性和可靠性
提高氮化场效应晶体管肖特基势垒方法

[发明专利]一种氮化镓器件及氮化镓器件的封装方法-CN201811356512.6在审
发明人：李孟;李幸辉;罗广豪 -专利权人：镓能半导体（佛山）有限公司;佛山华玉股权投资合伙企业（有限合伙）
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓器件及氮化镓器件的封装方法，所述氮化镓器件包括：包括氮化镓裸芯片，引线框架的引脚和用于对所述氮化镓裸芯片进行散热的基岛；所述氮化镓裸芯片正面的电极采用引线与所述引脚连接，所述氮化镓裸芯片背面与所述基岛直接接触；所述氮化镓裸芯片、所述引脚和所述基岛封装成一个氮化镓器件，且部分基岛外露在所述氮化镓器件的顶部。本发明能够解决现有氮化镓裸芯片在封装成贴片的器件时，封装材料的热阻高，散热效果差，不利于发挥氮化镓功率管的电流通过能力问题，同时能解决在贴片功率器件顶部安装散热片的问题。
一种氮化器件封装方法

[发明专利]氮化镓纳米超结构及其制备方法以及氮化镓基激光器-CN202210009700.1在审
发明人：王淼;易觉民;王建峰;徐科 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓纳米超结构及其制备方法以及设置有该氮化镓纳米超结构的氮化镓基激光器，该氮化镓纳米超结构用于实现氮化镓基激光器圆偏振出光。氮化镓纳米超结构由下至上依次包括衬底、介质膜层以及纳米光栅结构层，所述纳米光栅结构层的光栅材料包括氮化镓、n型氮化镓、p型氮化镓中的一种，光栅周期范围为100nm‑280nm，光栅高度范围为100nm‑本发明的氮化镓纳米超结构，其能够实现高效圆偏振出光功能，将其应用于氮化镓基激光器上可实现该氮化镓基激光器的圆偏振出光。
氮化纳米结构及其制备方法以及激光器

[发明专利]基于直接键合工艺的金刚石基氮化镓晶体管制备方法-CN202010617072.6有效
发明人：吴立枢;孔月婵;郭怀新 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于直接键合工艺的金刚石基氮化镓晶体管制备方法，包括：清洗碳化硅基氮化镓圆片和临时载片；碳化硅基氮化镓圆片与临时载片正面相对临时键合；去除碳化硅基氮化镓圆片的碳化硅衬底；清洗氮化镓外延层；在氮化镓外延层表面和金刚石衬底表面分别蒸发金属层；利用氩原子束对氮化镓外延层与金刚石衬底表面的金属层进行轰击并完全去除掉金属层，并进行键合；去除液分离金刚石基氮化镓与临时载片；在金刚石基氮化镓正面制备晶体管本发明利用直接键合工艺将氮化镓外延层与金刚石衬底结合在一起，减少了对氮化镓外延层损伤的风险，同时减少了低热导率键合材料的引入，可进一步提高金刚石对氮化镓晶体管的散热效果。
基于直接工艺金刚石氮化晶体管制备方法

[发明专利]X射线探测器及其制备方法-CN202310521847.3在审
发明人：李倩;刘静 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：制备方法包括：准备衬底和镓基液态金属；向衬底的表面添加镓基液态金属，并用刮板将镓基液态金属刮印在衬底的表面，以在衬底的表面形成氧化镓薄膜；对衬底表面的氧化镓薄膜退火处理；在衬底表面的氧化镓薄膜上设置电极通过刮板刮印镓基液态金属的方式在衬底的表面形成氧化镓薄膜，工艺简单，实施便捷，降低了在衬底表面形成氧化镓薄膜的难度，提高了氧化镓薄膜的生成速度，进而降低了氧化镓薄膜的生产成本。另外通过刮板刮印的方式，能够形成更大面积的氧化镓薄膜，因此适于氧化镓薄膜的大面积、连续化和规模化制备。
射线探测器及其制备方法

[实用新型]一种氮化镓器件-CN201821877443.9有效
发明人：李孟;李幸辉;罗广豪 -专利权人：镓能半导体（佛山）有限公司;佛山华玉股权投资合伙企业（有限合伙）
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型提供一种氮化镓器件，所述氮化镓器件包括：包括氮化镓裸芯片，引线框架的引脚和用于对所述氮化镓裸芯片进行散热的基岛；所述氮化镓裸芯片正面的电极采用引线与所述引脚连接，所述氮化镓裸芯片背面与所述基岛直接接触；所述氮化镓裸芯片、所述引脚和所述基岛封装成一个氮化镓器件，且部分基岛外露在所述氮化镓器件的顶部。本实用新型能够解决现有氮化镓裸芯片在封装成贴片的器件时，封装材料的热阻高，散热效果差，不利于发挥氮化镓功率管的电流通过能力问题，同时能解决在贴片功率器件顶部安装散热片的问题。
氮化镓裸芯片氮化镓器件基岛引脚本实用新型贴片封装电流通过顶部安装封装材料功率器件能力问题散热效果引线框架功率管散热片电极散热外露热阻背面

[发明专利]一种碳化硅基氧化镓复合物及其制备方法和应用-CN202311014544.9在审
发明人：马宏平;沈毅 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-08-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种碳化硅基氧化镓复合物及其制备方法和应用。该碳化硅基氧化镓复合物是通过在碳化硅基氧化镓的碳化硅衬底和氧化镓薄膜之间设置氧化硅层。该碳化硅基氧化镓复合物可以显著的提高碳化硅和氧化镓接触的界面导热能力，界面导热可以达到82.25MW/m2·K。
一种碳化硅氧化复合物及其制备方法应用

[发明专利]一种氮化镓基外延膜的激光剥离方法-CN200910031266.1有效
发明人：王怀兵;孔俊杰;杨辉;梁秉文 -专利权人：苏州纳晶光电有限公司
申请日： 2009-04-30 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基外延膜的激光剥离方法，在蓝宝石衬底上生长多层氮化镓基外延膜，然后通过划片槽隔离形成氮化镓基单元器件，将划片槽划穿至蓝宝石衬底表面，并在划片槽中填充保护材料；以金属层作为中间层，将所述氮化镓基外延膜连接于高导热导电衬底上；对激光光斑进行整形，将投影在蓝宝石衬底和氮化镓基外延膜界面处的光斑处理为图形化光斑阵列，该图形化光斑可有效降低和抑制激光冲击波应力；采用上述图形化光斑阵列透过蓝宝石照射到蓝宝石衬底和氮化镓界面处，使界面处的氮化镓发生分解，实现氮化镓基外延膜与蓝宝石衬底分离。本发明实现了低损伤激光剥离，大大降低了氮化镓基外延膜的损伤，提高了芯片良品率。
一种氮化外延激光剥离方法

[发明专利]一种白光发光二极管的制作工艺-CN201610215469.6在审
发明人：王星河;郑锦坚 -专利权人：王星河
申请日： 2016-04-08 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种白光发光二极管的制作工艺，具体步骤如下：在氮化镓衬底上制作具有三种面的氮化镓多面图形化衬底；通过控制极性面、半极性面和非极性面的倾斜角α、β、γ，制作类极性面、类半极性面和类非极性面；再外延生长多量子阱结构，调节多量子阱的阱厚度和铟组分，使类极性面发蓝光、类半极性面发绿光、类非极性面发红光，从而使每一个图形化衬底均发出红绿蓝光组合的白光出射。所述的具有三种面的氮化镓图形化衬底是通过纳米压印、光刻、激光微切割来蚀刻氮化镓衬底制备而成。所述斜角α、β、γ的范围均为‑90～90°。
一种白光发光二极管制作工艺

[发明专利]一种基于QFN外形的氮化镓半导体器件-CN202211133712.1有效
发明人：姜旭波;杨晓俊;尹飞 -专利权人：中科华艺（天津）科技有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于QFN外形的氮化镓半导体器件，包括框架，其包括基岛和两个管脚，所述基岛上固设有一个耗尽型氮化镓MOSFET和一个增强型硅基MOSFET，且所述耗尽型氮化镓MOSFET的G极和增强型硅基MOSFET的S极电连接，所述增强型硅基MOSFET的G极与框架的其中一个管脚电连接，所述耗尽型氮化镓MOSFET的D极与框架的另一个管脚电连接，所述耗尽型氮化镓MOSFET的S极与增强型硅基MOSFET本发明采用增强型硅基MOSFET控制耗尽型氮化镓MOSFET的开闭，从而使得氮化镓适用范围更广，提高电路导通后的整体电流。
一种基于 qfn 外形氮化半导体器件