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[发明专利]垂直结构LED芯片的制造方法-CN202110650877.5有效
发明人：范伟宏;毕京锋;郭茂峰;李士涛;赵进超;金全鑫;石时曼 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：公开了一种垂直结构LED芯片的制造方法，包括在第一晶圆表面形成第一键合层，第一晶圆包括第一衬底以及外延层；在第二衬底表面形成第二键合层；在第一键合层和/或第二键合层表面上形成第三键合层；通过第一键合层、第二键合层及第三键合层将第一晶圆与第二衬底键合；将第一衬底剥离；第一键合层、第二键合层为高熔点金属层，第三键合层为低熔点金属层。在衬底转移过程中，通过第一键合层、第二键合层、第三键合层将外延层和第二衬底键合，第一键合层、第二键合层为高熔点金属层，第三键合层为低熔点金属层，在键合温度略高于第三键合层的熔点温度的环境下将外延层和第二衬底键合，以降低因材料晶格常数和热膨胀系统差异所导致的键合后翘曲问题。
垂直结构 led 芯片制造方法

[实用新型]一种微流控芯片-CN201521002786.7有效
发明人：周武平;黎海文;蒋克明;张涛;刘聪 -专利权人：中国科学院苏州生物医学工程技术研究所
申请日： 2015-12-07 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种微流控芯片，包括：键合元件、用于此键合元件键合的键合溶液，以及用于辅助键合的键合溶液注入孔、排气孔、辅助键合流道、辅助键合毛细结构。本实用新型采用在微流控芯片两键合表面制作出一种特殊的辅助键合微结构，该微结构形成一系列闭合的回路；在键合时，只有在这种特殊的辅助键合微结构内充满键合溶液；这样，在所有辅助键合微结构处，相邻两块微流控芯片基板都被牢固的键合在一起；而其他位置则不会与键合溶液接触，进而保持原始形貌；由于此键合方法可以采用粘接胶水和键合溶剂等作为键合溶液，因此可以实现高键合强度。
一种微流控芯片

[实用新型]一种射频遥控开关用编码解码装置-CN200620064286.0无效
发明人：陆德昌 -专利权人：陆德昌
申请日： 2006-09-18 - 公布日： 2007-09-12 - 主分类号： H03K17/94 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种射频遥控开关用编码解码装置，包括编码器和解码器，编码器为三态编码方式构成的编码器，包括分别与电源单元连接的微处理IC、射频发生单元、三态选择单元及控制指令键模块，微处理IC还分别与射频发射单元、三态选择单元及控制指令键模块电连接；解码器为自学习模式解码器，包括分别与稳压滤波模块连接的射频接收模块、微处理器模块、储存器及擦写键单元，微处理器模块还分别与射频接收模块、储存器及擦写键单元相连接。本实用新型克服了滚动编码模式编码器不可重新编码的不足之处，解决了常用三态编码模式解码器只能适用于一个编码器的缺点，编码操作简单方便，互换性强。
一种射频遥控开关编码解码装置

[发明专利]三维堆叠芯片及其键合测试方法、测试机台-CN202111535713.4在审
发明人：邱锋波;左丰国;王玉冰 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请公开了一种三维堆叠芯片及其键合测试方法、测试机台，该芯片包括：至少两层通过混合键合连接的晶圆，且混合键合的两层晶圆中：设置有第一键合节点以及第二键合节点；第一键合节点与第二键合节点通过键合测试线路连接，键合测试线路包括至少一条混合键合连线，混合键合连线用于连接两层晶圆；第一键合节点接收测试激励信号，第二键合节点输出测试结果信号，测试结果信号表征键合测试线路中混合键合连线的异常情况。这样能够实现混合键合连线的异常测试，有利于更准确地定位芯片异常。
三维堆叠芯片及其测试方法机台

[发明专利]一种新型大直径半导体芯片与钼片键合式欧姆接触加工方法-CN201510597500.2有效
发明人：高山城;周哲;赵卫 -专利权人：西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
申请日： 2015-09-18 - 公布日： 2017-10-31 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供了一种新型大直径半导体芯片与钼片键合式欧姆接触技术加工方法，包括半导体芯片、钼片、半导体芯片与钼片之间的接触层分别有AL电极层、Ti/Pt/Au金属过渡层、Ag层焊料层，本发明引入多层金属过渡层和焊料层，通过金属原子微扩散键合的原理，利用Au、Ag电导率低，低温下易与其它金属键合的特性，使半导体芯片Si与Mo片牢固地粘润在一起，形成优良的欧姆接触技术。使大功率半导体芯片与钼片形成无形变的大面积的欧姆接触，因此该发明明显降低了器件的通态压降、提高了通流能力和反向阻断特性、改善了器件的散热效果，因此提高了器件参数的一致性及成品率，将产生巨大的经济效益。
一种新型直径半导体芯片钼片键合式欧姆接触加工方法

[发明专利]一种活化过渡金属氧化物晶格氧的方法及其应用-CN202310496485.7在审
发明人：余力;辛绍松;李玉婵;熊竹 -专利权人：广州大学
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： B01J23/889 文献下载
摘要：本发明利用部分特定催化惰性金属离子与氧键合较弱的特性，在金属‑氧成键能带上方构建额外的活性氧非键态以活化晶格氧，可实现多相芬顿催化电荷补偿由可变价过渡金属和晶格氧离子共同提供。
一种活化过渡金属氧化物晶格方法及其应用

[发明专利]堆叠三维异质存储器件及其形成方法-CN201980002601.7在审
发明人：刘峻 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：例如，3D存储器件包括：NAND存储单元和包括第一键合触点的第一键合层。3D存储器件还包括第二半导体结构，所述第二半导体结构包括：DRAM单元和包括第二键合触点的第二键合层。3D存储器件还包括第三半导体结构，所述第三半导体结构包括：SRAM单元、包括第三键合触点的第三键合层、和包括第四键合触点的第四键合层。第三键合层和第四键合层处于SRAM单元的两侧。半导体器件还包括在第一键合层和第三键合层之间的第一键合界面。第一键合触点在第一键合界面处与第三键合触点相接触。3D存储器件还包括在第二键合层和第四键合层之间的第二键合界面。第二键合触点在第二键合界面处与第四键合触点相接触。
堆叠三维存储器件及其形成方法

[发明专利]键合标记的制备方法、晶圆键合方法、键合标记及半导体器件-CN201911136266.8在审
发明人：毛益平;姬峰;彭翔;王奇伟;陈昊瑜 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-11-19 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明提供了一种键合标记的制备方法，包括：步骤S1：在承载晶圆上通过刻蚀形成沟槽；步骤S2：在沟槽中填充金属；步骤S3：除去承载晶圆表面的金属，以保留所述沟槽中填充的金属，从而在所述承载晶圆上形成键合标记所述键合标记的制备方法在蚀刻形成沟槽后，通过在沟槽中沉积金属改善标记表面的识别，并降低沟槽带来的键合空隙的风险，提高键合质量。进一步，本发明还提供了一种基于上述的方法制备得到的键合标记，所述键合标记具有清晰的分界线，易于识别，降低识别的失败率，能够减少晶圆报废率，提高产能。再进一步，本发明还提供了一种晶圆键合方法以及基于上述所述的晶圆键合方法制备得到的半导体器件。
标记制备方法晶圆键合半导体器件

[发明专利]一种减少临时键合过程气泡形成的键合方法及键合结构-CN202011059931.0在审
发明人：潘远杰;周祖源;薛兴涛 -专利权人：盛合晶微半导体（江阴）有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种减少临时键合过程气泡形成的键合方法及键合结构，通过添加等离子处理工艺，使重布线介质层的表面变粗糙，使其具有良好的亲水性，从而有利于临时键合胶粘剂流动性，实现临时键合胶与重布线介质层的紧密接触
一种减少临时过程气泡形成方法结构

[发明专利]键合标记的制作方法、键合晶圆、载体晶圆及键合方法-CN202110224468.9在审
发明人：槐宝;刘敏;强力;赵娅俊;刘括 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本申请提供一种键合标记的制作方法、键合晶圆、载体晶圆及键合方法，其中所述键合标记的制作方法包括：提供键合裸晶圆，所述键合裸晶圆的表面形成有第一氧化层；刻蚀所述第一氧化层，在所述第一氧化层中形成不贯穿所述第一氧化层的标记孔；在所述标记孔中填充标记材料，且使所述标记材料的顶面和所述第一氧化层的表面共面，形成键合标记。本申请技术方案能够更好的实现晶圆堆叠与键合，提升良率。
标记制作方法键合晶圆载体方法

[发明专利]一种用于临时键合的载片结构、键合及解键合方法-CN201511000525.6有效
发明人：孙蓉;张国平;邓立波;刘强;方浩明 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2015-12-28 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于临时键合的载片结构，其包括器件晶圆和玻璃载片，所述玻璃载片设有若干穿孔，所述器件晶圆与玻璃载片之间设有由临时键合胶固化而成的键合层。本载片结构结构简单，仅在玻璃载片上开设若干穿孔，即可实现解键的可靠性和低成本。另外，本载片结构的解键合方法无需借助特殊设备，且操作简单、易操作；此外，本载片结构的解键合方法能保证解键合的可靠性，并能降低破片的风险，同时降低经济成本。
一种用于临时结构解键合方法

[发明专利]一种机械手、键合腔体、晶圆键合系统及键合方法-CN201810714786.1有效
发明人：付辉;霍志军 -专利权人：上海微电子装备(集团)股份有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种机械手、键合腔体、晶圆键合系统及键合方法，其中机械手包括：托盘；固定在托盘上的至少三个晶圆定位柱；固定在托盘上的至少三个第一晶圆间隔机构，第一晶圆间隔结构包括第一晶圆间隔片，以及用于驱动第一晶圆间隔片进入托盘的晶圆承载区域的第一驱动部件通过晶圆定位柱实现晶圆的外形定位，通过第一晶圆间隔机构将第一晶圆间隔片放在机械手取出的承载晶圆上方，然后利用机械手取出器件晶圆，最后机械手将承载晶圆和器件晶圆一次运送至键合腔体，减少承载晶圆和器件晶圆在键合腔体内对准的过程，缩短晶圆转移至键合腔体的时间，提高键合流程的效率。本发明实施例还公开了一种键合腔体、晶圆键合系统及键合方法。
一种机械手键合腔体晶圆键合系统方法

[发明专利]C2W键合控制系统及键合设备、C2W键合方法-CN202210459943.5在审
发明人：郭万里;周云鹏 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种C2W键合方法、C2W键合控制系统及键合设备。在将多个芯片键合到半导体基底上时，从所述半导体基底上设置的与所述多个芯片一一对应的多个键合单元中选择若干个键合单元作为定位单元，获取每个所述定位单元在一键合坐标系中的坐标，然后利用各个定位单元在所述键合坐标系中的坐标和所述多个键合单元在单元分布图中的相对位置，获得各个键合单元在所述键合坐标系中的坐标，在进行键合时，利用各个键合单元在所述键合坐标系中的坐标，将所述多个芯片分别移动到与对应的键合单元进行键合的位置，并与对应的键合单元键合，有助于提高键合效率。
c2w 控制系统设备方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202310042032.7在审
发明人：王春阳;高远皓;吴双双;陈小龙;王少伟;邵波 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-01-11 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：该方法包括：形成第一芯片，第一芯片包括第一键合层，第一键合层包括第一键合垫；形成第二芯片，第二芯片包括第二键合层，第二键合层包括第二键合垫；形成第三键合层，第三键合层包括第三键合垫；第一键合垫和第二键合垫分别键合于第三键合垫的两侧本公开提供的半导体结构形成方法，将第一键合垫和第二键合垫分别键合于第三键合垫的两侧，提高了第一芯片和第二芯片之间键合对准度，增大了芯片间的键合偏移允许量，进而提高了器件的良品率。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种硫化螯合态零价铁及其制备方法和应用-CN202210023624.X有效
发明人：郑春莉;林子深 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C02F1/70 文献下载
摘要：本发明公开了一种硫化螯合态零价铁及其制备方法和应用，属于重金属污染修复技术领域，解决传统零价铁易团聚和氧化铁膜电阻高的技术问题。本发明公开的一种硫化螯合态零价铁，采用含氮化合物螯合二价铁离子，并将NaBH4溶液加入混合溶液形成螯合态零价铁，然后采用硫化剂对螯合态零价铁硫化，最终形成非晶态的硫化螯合态零价铁，与传统的零价铁相比，螯合态零价铁更易于提供电子，有效解决团聚问题，且在制备过程中使用硫酸亚铁在螯合态零价铁颗粒的外部包裹了一层硫化铁膜，克服了传统零价铁材料的缺陷，因此该类材料具有非常广阔的应用前景。
一种硫化螯合态零价铁及其制备方法应用