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[发明专利]一种3D扇出型封装结构及制备方法-CN202210396720.9在审
发明人：刘翔;尹佳山;周祖源;薛兴涛;林正忠 -专利权人：盛合晶微半导体（江阴）有限公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供一种3D扇出型封装结构及制备方法，包括重新布线层、导电柱、中间芯片、第一塑封材料层、电连接结构及焊球凸块阵列、底部芯片、第二塑封材料层，电连接结构包括叠置的电连接层，以分层方式解决铝很难在10:1深宽比的通孔中垫积的问题，自上而下竖向电连接可减小电阻减小信号的延时，底部芯片还包括无源元件，失电时无源元件放电操作，保护数据免被损坏；大马士革镶嵌工艺制造的电连接结构兼顾芯片全局和局部的平坦化，进一步减少电阻减少信号的延时，适用于各种金属，能用电性能更优秀的金属来解决瓶颈问题，金属连线线宽线间距小于0.1μm，从而能封装更多芯片，提供更多输入/输出接口，减小封装尺寸，满足对高性能芯片的需求。
一种扇出型封装结构制备方法

[发明专利]一种TSV转接板结构的制作方法-CN202310533200.2在审
发明人：尹佳山;周祖源;薛兴涛 -专利权人：盛合晶微半导体（江阴）有限公司
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种TSV转接板结构的制作方法，包括以下步骤：提供基材、第一载体及第二载体，形成多个在水平方向上间隔排列的自基材正面开口的第一盲孔于基材中，进行第一次键合以将第一载体键合于基材形成有第一盲孔的正面上方，形成多个第二盲孔于基材中，多个第二盲孔与多个第一盲孔一一对应且上下连通以形成多个通孔，进行第二次键合以将第二载体键合于基材形成有第二盲孔的背面上；去除第一载体以显露通孔在基材正面的开口；进行导电材料填充以形成多个通孔导电柱。该制作方法能够制作得到高深宽比的TSV转接板结构，且在对其中的通孔进行导电材料填充时能够避免传统PVD工艺对通孔侧壁覆盖性差的问题，提高产品良率和性能。
一种 tsv 转接板结制作方法

[发明专利]防金属导电柱扩散的封装转接板及其制备方法、半导体封装结构-CN202310409676.5在审
发明人：尹佳山;卢春山;周祖源;薛兴涛 -专利权人：盛合晶微半导体（江阴）有限公司
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种防金属导电柱扩散的封装转接板及其制备方法、半导体封装结构，该制备方法，在进行金属导电柱露头工艺过程中，在进行第一步减薄衬底晶圆后，就对盲槽上端附近的衬底晶圆，通过离子注入的形式进行改性，改性为金属导电柱的金属元素难以扩散的性质，然后在金属导电柱露头工艺过程中有效杜绝金属导电柱扩散进入衬底晶圆中，有效提高后续封装结构的电性及可靠性，最后当金属导电柱露头后还保留一定厚度的离子扩散层，以作为整个转接板结构的扩散阻挡层，进一步提高后续封装结构的可靠性。
金属导电扩散封装转接及其制备方法半导体结构

[发明专利]一种2.5D封装结构的制备方法-CN202210441937.7有效
发明人：刘翔;尹佳山;周祖源;薛兴涛;林正忠 -专利权人：盛合晶微半导体（江阴）有限公司
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种2.5D封装结构的制备方法，将去除底部金属层的工艺放置在最后，以使底部金属层能够隔离去除第二支撑衬底时激光照射对封装结构特别是芯片的影响，从而保护2.5D封装结构保护所述芯片，提高2.5D封装芯片可靠性测试的成功率及成品率；底部金属层易于形成和去除，不会增加封装成本，工艺简单有效；半导体衬底的第二表面经过化学机械研磨，提高了半导体衬底的平整度，既能提高后续封装中多个界面的结合强度，也可降低底部金属层与TSV导电柱的接触电阻；TSV导电柱、连接焊盘及金属凸块位于同一垂线上，可有效地减小电阻减小信号的延时。
一种 2.5 封装结构制备方法

[发明专利]一种重布线层的制备方法及封装结构-CN202310122144.3在审
发明人：尹佳山;周祖源;薛兴涛 -专利权人：盛合晶微半导体（江阴）有限公司
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种重布线层的制备方法及封装结构，其制备方法是首先作业绝缘层，做出图案化的第一开孔，然后在第一开孔中填充导电层之后，通过平坦化工艺做出平坦的镶嵌式结构，在平整的镶嵌式结构表面形成溅射层，并在溅射层上作业光阻层，图案化光阻层形成第二开孔，且第二开孔的位置与平坦化后的导电层布设位置对应设置，在第二开孔中电镀金属，从而形成金属互联层，最后去除光阻层和被光阻层覆盖的溅射层，以形成重布线层。本发明最终形成的封装结构中通过电镀所形成的金属互联层的表面平整度更高，避免了传统封装工艺中光阻在较深的孔洞内残留，避免了后续电镀工艺过程异常的问题。
一种布线制备方法封装结构

[发明专利]半导体测试结构、测试方法及制备方法-CN202310119645.6在审
发明人：尹佳山;周祖源;薛兴涛 -专利权人：盛合晶微半导体（江阴）有限公司
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体测试结构、测试方法及制备方法中，在TSV转接板上制备形成包括测试焊盘及与测试焊盘电连接的金属互联线的测试单元，测试时无需进行晶圆背面研磨，且扎针方便，可实现便捷测试；在制备金属布线时可同时制备测试单元，工艺简单；进行测试时可实现对当站工艺的短时间内在线监控，避免问题片继续流片；采用开尔文法可实现针对单个TSV金属柱的高精度电性测试。
半导体测试结构方法制备

[发明专利]大马士革结构及制备方法-CN202310123532.3在审
发明人：尹佳山;周祖源;薛兴涛 -专利权人：盛合晶微半导体（江阴）有限公司
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种大马士革结构及制备方法，通过两次反溅射工艺可仅在通孔侧壁形成阻挡层与粘附层，使得通孔中的金属铜可直接与下层金属件进行金属互联，从而可减小互联点处的电阻率减小电阻、降低热损耗；位于侧壁底区的复合结构可提高金属铜的扩散难度，且侧壁顶区与侧壁底区之间可形成台阶以提高金属铜在通孔侧壁的覆盖率，从而可提高产品可靠性。
大马士革结构制备方法

[发明专利]一种通孔的制备方法-CN202211104381.9在审
发明人：蔡帅;潘远杰;周祖源;薛兴涛 -专利权人：盛合晶微半导体（江阴）有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种通孔的制备方法，所述制备方法包括：提供一中间结构，所述中间结构包括半导体基底及通孔，所述通孔形成在所述半导体基底内，所述半导体基底具有相对的第一表面及第二表面，其中所述第一表面暴露出所述通孔的铜柱；刻蚀所述第一表面，使所述通孔的铜柱相对于所述第一表面凸起；对所述第一表面进行湿法清洗，并采用铜刻蚀工艺处理所述第一表面及所述通孔的铜柱表面；于所述第一表面及所述通孔的铜柱表面形成绝缘层。本发明提供的一种通孔的制备方法能够解决现有通孔制作技术中，有铜颗粒散落在通孔周围，影响绝缘层的附着效果，并影响绝缘层电隔绝效果的问题。
一种制备方法

[发明专利]聚酰亚胺过孔及晶圆级半导体封装结构的制备方法-CN202211068622.9有效
发明人：刘翔;尹佳山;周祖源;薛兴涛;林正忠 -专利权人：盛合晶微半导体（江阴）有限公司
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明提供一种聚酰亚胺过孔及晶圆级半导体封装结构的制备方法，聚酰亚胺过孔的制备方法包括：S1：提供表面附有金属焊盘的基板；S2：于基板上形成聚酰亚胺层；S3：于聚酰亚胺层上形成金属层；S4：于金属层上形成预设层，并于预设层上形成第一预过孔；S5：刻蚀金属层形成第二预过孔；S6：刻蚀聚酰亚胺层形成第三预过孔；S7：去除聚酰亚胺层之上的所有结构，以于聚酰亚胺层上形成聚酰亚胺过孔。本发明避免了小尺寸聚酰亚胺过孔底部存在残留物的问题，使得聚酰亚胺过孔上下轮廓基本一致，制备工艺精细化，从而提高了产品的良率；本发明在晶圆级半导体封装中，较小的聚酰亚胺过孔可以使产品设计更加复杂和细致，大大提高了芯片性能。
聚酰亚胺晶圆级半导体封装结构制备方法

[发明专利]基于TSV互连的半导体封装结构及制备方法-CN202211161615.3在审
发明人：武沂泊;王玲;薛兴涛;林正忠 -专利权人：盛合晶微半导体（江阴）有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供一种基于TSV互连的半导体封装结构及制备方法，将TSV柱的一端直接作为连接件，可减少一次金属连接件的制备工艺，从而可节约成本，降低互联阻抗，适用于所有涉及TSV转接板的封装工艺；具有沟槽的第二介电层可作为显露的TSV柱保护侧墙，以提高封装稳定性；当TSV柱的表面具有绝缘层时，通过形成覆盖TSV柱的第二端的金属种子层或刻蚀去除绝缘层还可提高金属互连性。
基于 tsv 互连半导体封装结构制备方法

[发明专利]一种扇出型芯片封装结构及封装方法-CN202211140860.6在审
发明人：蔡汉龙;陈彦亨;薛兴涛;林正忠 -专利权人：盛合晶微半导体（江阴）有限公司
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本申请提供了一种扇出型芯片封装结构及封装方法，该芯片封装结构包括第一芯片、封装层、第一重布线层、第二芯片和第二重布线层。通过将第一重布线层和第二重布线层相互电连接的方式，将包覆在封装层和第二重布线层内的第一芯片与第一重布线层上的第二芯片电连接，实现第一芯片和第二芯片的电性引出和控制。本申请还提供了一种适用于上述扇出型芯片封装结构的封装方法，代替了传统电子元器件所需要的电路基板和焊线，大大缩小芯片封装结构的封装尺寸和封装高度。
一种扇出型芯片封装结构方法

[发明专利]半导体结构的制备方法-CN202211106988.0在审
发明人：刘翔;尹佳山;周祖源;薛兴涛 -专利权人：盛合晶微半导体（江阴）有限公司
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构的制备方法，通过分步形成电镀金属层，可在具有不同面积的第一导电件及第二导电件上形成具有良好平坦度的第一电镀金属层及第二电镀金属层，从而可促进后续工艺的进行，降低工艺控制难度，大大提高最终制备的半导体结构的性能和成品率。
半导体结构制备方法

[实用新型]一种3D扇出型封装结构-CN202220872190.6有效
发明人：刘翔;尹佳山;周祖源;薛兴涛;林正忠 -专利权人：盛合晶微半导体（江阴）有限公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型提供一种3D扇出型封装结构，包括重新布线层、导电柱、中间芯片、第一塑封材料层、电连接结构及焊球凸块阵列、底部芯片、第二塑封材料层，电连接结构包括叠置的电连接层，以分层的方式解决铝很难在10:1深宽比的通孔中垫积的问题，自上而下竖向电连接可减小电阻减小信号的延时，底部芯片还包括无源元件，失电时无源元件放电操作，保护数据免被损坏。且所述电连接结构能够兼顾芯片全局和局部的平坦化，进一步减少电阻减少信号的延时，适用于各种金属，能够用电性能更优秀的金属来解决瓶颈问题，金属连线线宽线间距小于0.1μm，从而能封装更多芯片，提供更多输入/输出接口，减小封装尺寸，满足对高性能芯片的需求。
一种扇出型封装结构

[发明专利]系统晶圆级芯片封装方法及结构-CN202111235109.X在审
发明人：黄晗;陈彦亨;林正忠;李俊德;伍信桦;薛兴涛 -专利权人：盛合晶微半导体（江阴）有限公司
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供一种系统晶圆级芯片封装方法及结构。方法包括步骤：提供载体，形成第一布线层；形成第一焊球，与第一金属凸块电连接，且将SMT元件贴装至第一金属凸块上；形成第一塑封层；形成第二布线层，第二金属凸块与第一焊球电连接；将芯片安装至第二布线层上，与第二金属凸块电连接；形成第二塑封层；去除载体，将去除载体后得到的结构以芯片朝下的方式转移至临时基底上以显露出第一布线层；形成第二焊球与第一金属凸块电连接；去除临时基底。本发明采用MUF工艺代替了传统Underfill应用在晶圆级先进集成封装中，既可同时满足不同元器件塑封需求，又可以减少制程工序，降低制程成本，使芯片中不同材料结合面减少，降低器件失效的风险，提高器件可靠性。
系统晶圆级芯片封装方法结构

[实用新型]颗粒粉尘处理装置及可处理颗粒粉尘的化学气相沉积设备-CN202123005046.7有效
发明人：朱海洋;王维斌;薛兴涛;林正忠;李飞;崔尚坤 -专利权人：盛合晶微半导体（江阴）有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本实用新型提供一种颗粒粉尘处理装置及可处理颗粒粉尘的化学气相沉积设备，其中，颗粒粉尘处理装置包括：设置于工艺腔室的出气管路上，出气管路分别与颗粒粉尘处理器的进气口和出气口连通，颗粒粉尘处理器包括内置滤芯，用于过滤所述出气管路中气体携带的颗粒粉尘；保温装置，设置于工艺腔室至颗粒粉尘处理器之间的出气管路上，及颗粒粉尘处理器与真空泵之间的出气管路上，用于对出气管路保持恒温设置。本实用新型将颗粒粉尘处理装置作用在化学气相沉积设备中，以解决现有技术中化学气相沉积设备的出气管路堵塞，真空泵寿命减少，粉尘颗粒回灌，影响腔体内的洁净度的问题。
颗粒粉尘处理装置化学沉积设备

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