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[发明专利]硫化砷－铌酸锂复合波导耦合器-CN200410017042.2无效
发明人：陈抱雪;梁东波;贾洪波;周建忠 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2004-03-18 - 公布日： 2005-01-12 - 主分类号： G02B6/26 文献下载
摘要：一种硫化砷－铌酸锂复合波导耦合器，在铌酸锂晶体基板的表面上置有一个铌酸锂条波导，该铌酸锂条波导呈拉长的S、中间部分是直线形，铌酸锂条波导中间部分的水平位置两侧置有成对的金属薄膜电极，该电极连接着外部电压源，铌酸锂条波导和电极的上方覆盖有介质中间层，有一个直线形硫化砷条波导置于介质中间层的上方、与铌酸锂条波导中间部分在同一个垂直于铌酸锂晶体基板的平面内。本发明所述硫化砷－铌酸锂复合波导耦合器是一个非对称的定向耦合器，在光光效应、电光效应的组合作用下，本发明实现了以往空间光调制技术所不能表达的光学突触权重的负值、正值和零值的功能，促进了仿神经元光波导器件的发展
硫化铌酸锂复合波导耦合器

[实用新型]硫化砷－铌酸锂复合波导耦合器-CN200420021392.1无效
发明人：陈抱雪;梁东波;贾洪波;周建忠 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2004-03-30 - 公布日： 2005-03-30 - 主分类号： G02B6/26 文献下载
摘要：一种硫化砷－铌酸锂复合波导耦合器，在铌酸锂晶体基板的表面上置有一个铌酸锂条波导，该铌酸锂条波导呈拉长的S、中间部分是直线形，铌酸锂条波导中间部分的水平位置两侧置有成对的金属薄膜电极，该电极连接着外部电压源，铌酸锂条波导和电极的上方覆盖有介质中间层，有一个直线形硫化砷条波导置于介质中间层的上方、与铌酸锂条波导中间部分在同一个垂直于铌酸锂晶体基板的平面内。本实用新型所述硫化砷一铌酸锂复合波导耦合器是一个非对称的定向耦合器，在光光效应、电光效应的组合作用下，本实用新型实现了以往空间光调制技术所不能表达的光学突触权重的负值、正值和零值的功能，促进了仿神经元光波导器件的发展
硫化铌酸锂复合波导耦合器

[发明专利]基于交流电源的测量忆阻器失电电阻值的装置及方法-CN201310162968.X在审
发明人：李冠林;牟宪民;陈希有 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2013-05-04 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： G01R27/14 文献下载
摘要：本发明属于测量技术领域，涉及一种基于交流电源的测量忆阻器失电电阻值的装置及方法。其特征是交流电压源，可变电阻和忆阻器是相互串联在测量电路中，交流电压源的幅度U越小，频率f的值越大，在测量中忆阻器电阻值的相对变化越小。本发明采用交流电压源替代传统的直流电源，可以减少测量过程对忆阻器阻值的影响。交流电压信号的幅度和频率可调，可以满足不同测量精度的要求。
基于交流电源测量忆阻器失电电阻值装置方法

[发明专利]一种忆阻器阻态数目扩展的结构及相关方法-CN201811391853.7有效
发明人：刘文军;薛晓勇;张朕银;姜婧雯;周鹏 -专利权人：复旦大学
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种忆阻器阻态数目扩展的结构及相关方法，能够在忆阻器交叉阵列中实现阻态数目扩展的结构，包含交叉阵列单元、阻态扩展功能线群、输入线群、输出线群、单元连接线群；其中，阻态扩展功能线群通过多条末端为第一选通器的阻态扩展功能线，连接起交叉阵列单元中每两条相邻的横线或纵线，各个第一选通器根据控制端信号使所在阻态扩展功能线的信号路连通或断开，使接受输入信号的横线或纵线上所接的忆阻器并联，实现阻态扩展。本发明还实现了在忆阻器交叉阵列中实现阻态数目扩展的方法，以及对交叉阵列中忆阻器阻值写入的方法。本发明具有掉电不易失、适应神经网络大量加权求和中对多阻态的需求的特点。
一种忆阻器阻态数目扩展结构相关方法

[发明专利]基于异质集成薄膜铌酸锂片上耦合结构、制备方法及光器件-CN202211167513.2在审
发明人：蔡鑫伦;张仙 -专利权人：中山大学
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G02F1/017 文献下载
摘要：本发明涉及光学器件技术领域，提出一种基于异质集成薄膜铌酸锂片上耦合结构、制备方法及光器件。其中，包括薄膜铌酸锂光子芯片，薄膜铌酸锂光子芯片上通过异质集成晶圆键合技术集成有III‑V有源波导层；薄膜铌酸锂光子芯片上设置有铌酸锂波导层，铌酸锂波导层的输出端与III‑V有源波导层的输入端垂直倏逝波耦合本发明通过异质集成晶圆键合技术将III‑V有源波导层集成到铌酸锂光子芯片上，实现了薄膜铌酸锂平台片上光探测的功能。III‑V有源波导层与薄膜铌酸锂光子芯片通过优化设计的III‑V/LN模斑转换器以垂直倏逝波耦合的方式光学互连，实现III‑V有源波导层与铌酸锂波导之间的高效率耦合。
基于集成薄膜铌酸锂片上耦合结构制备方法器件

[发明专利]一种基于X切铌酸锂薄膜的偏振无关反射式光滤波器-CN202110919248.8有效
发明人：夏金松;胡畅然;曾成;瞿智成 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于X切铌酸锂薄膜的偏振无关反射式光滤波器，属于集成光器件技术领域。包括：衬底，其材料为硅；埋氧层，其材料为二氧化硅；铌酸锂脊形波导，位于埋氧层之上；周期性二氧化硅包层，覆盖于脊波导之上。本发明在X切铌酸锂薄膜上加工被二氧化硅包层周期性覆盖的布拉格光栅结构，利用铌酸锂的双折射特性实现偏振无关的反射式光滤波器。其中周期性二氧化硅包层制备步骤具有较大的工艺容差，器件制备仅需两次光刻、无需套刻，制备工艺简单。该器件可以与基于薄膜铌酸锂材料的调制器、谐振器等结构单片集成，构成在光信号处理芯片，在微波光子学和光通讯等领域有较好的应用前景。
一种基于切铌酸锂薄膜偏振无关反射滤波器

[发明专利]频率温度系数降低的声波谐振器和滤波器-CN202110797866.X在审
发明人：布莱恩特·加西亚 -专利权人：谐振公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：公开了声波谐振器器件和滤波器。一种声波谐振器，包括具有表面的基板和铌酸锂板。所述铌酸锂板的背面附接到所述基板上，但是所述铌酸锂板形成一隔膜的部分未附接到所述基板上，所述隔膜跨越所述基板中的空腔。叉指换能器(IDT)在铌酸锂板的正面上形成，使得其中IDT的交错的指状物设置在隔膜上。IDT和铌酸锂板被配置成使得施加到IDT的射频信号激发隔膜内的剪切主声学模。铌酸锂极板的欧拉角为[0°，β，0°]，其中β大于等于40°且小于等于70°。
频率温度系数降低声波谐振器滤波器

[发明专利]一种铌酸锂平面波导上的光电探测器及制备方法-CN201910363000.0有效
发明人：王羿文;胡卉;张洪湖;朱厚彬;李青云 -专利权人：山东大学
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L31/102 文献下载
摘要：本公开提供了一种铌酸锂平面波导上的光电探测器及制备方法，自下而上分别包括铌酸锂平面波导本体、硅薄膜和叉指电极，所述铌酸锂平面波导本体自下而上依次包括铌酸锂衬底、二氧化硅层和铌酸锂薄膜，通过异质集成非晶硅薄膜的方式在LNOI上制备光电探测器，通过端面耦合的方法将光耦合到铌酸锂单晶薄膜中，利用光电探测器实现了对波导中传播光的探测，其暗电流低，制备简单，为LNOI上集成光芯片的实现探索了道路。
一种铌酸锂平面波导光电探测器制备方法

[发明专利]一种CWDM光发送芯片-CN202211099433.8在审
发明人：张凯鑫;张赞允 -专利权人：苏州微光电子融合技术研究院有限公司
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G02B6/124 文献下载
摘要：本发明公开了一种CWDM光发送芯片，包括：SiNx光栅耦合器、SiNx模斑转换器、波导转换器、SiNx‑薄膜铌酸锂电光调制器、SiNx‑薄膜铌酸锂波导器件、SiNx‑薄膜铌酸锂CWDM波分复用器，其特征在于，SiNx材料沉积在二氧化硅衬底层，形成SiNx波导器件层，薄膜铌酸锂直接键合在SiNx波导器件层上，SiNx波导器件层用于刻蚀SiNx‑薄膜铌酸锂波导器件，SiNx波导器件层上依次覆盖二氧化硅薄膜层与薄膜铌酸锂层；本发明利用薄膜铌酸锂材料的电光调制特性，采用倒脊形波导结构，能够实现高速电光调制，将波分复用与电光调制集成，实现了高速率、大容量的信号传输。
一种 cwdm 发送芯片

[发明专利]铌酸锂半导体结构-CN202111403828.8有效
发明人：张国权;钱月照;张煜晨;许京军 -专利权人：南开大学
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种铌酸锂半导体结构，包括：第一铌酸锂材料层；第二铌酸锂材料层，与所述第一铌酸锂材料层间隔设置，所述第一铌酸锂材料层的铁电畴极化方向与所述第二铌酸锂材料层的铁电畴极化方向沿相同方向排列；以及第三铌酸锂材料层，夹设于所述第一铌酸锂材料层和所述第二铌酸锂材料层之间，所述第三铌酸锂材料层的铁电畴极化方向与所述第一铌酸锂材料层的铁电畴极化方向相反。
铌酸锂半导体结构

[实用新型]一种铌酸锂晶体结合结构和一种高能太赫兹脉冲产生装置-CN201721353418.6有效
发明人：吴晓君;戴军;方兆吉 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2017-10-19 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： G02F1/35 文献下载
摘要：本实用新型提供一种铌酸锂晶体结合结构和高能太赫兹脉冲产生装置，所述装置包括：飞秒激光器、反射光栅、半波片、成像透镜和铌酸锂晶体结合结构，所述飞秒激光器发射的泵浦飞秒激光通过所述反射光栅衍射到所述半波片上，经过所述半波片改变所述泵浦飞秒激光的偏振方向后，再通过成像透镜后入射至铌酸锂晶体结合结构中，从而在所述铌酸锂晶片中产生太赫兹脉冲辐射。其中，所述铌酸锂晶体结合结构包括切割成底角为62～63度，顶角为54～56度的等腰三角形棱柱铌酸锂晶体以及一个厚度为1～5mm的铌酸锂晶片，所述铌酸锂晶片通过光学接触的方法完全覆盖于所述等腰三角形棱柱铌酸锂晶体底边所在的柱面上，所述等腰三角柱形棱柱铌酸锂晶体的三个柱面经过光学抛光处理。
铌酸锂晶体结合结构太赫兹脉冲半波片棱柱等腰三角形飞秒激光器铌酸锂晶片产生装置成像透镜反射光栅飞秒激光泵浦等腰三角柱形底角本实用新型光学接触光学抛光铌酸锂晶顶角偏振入射衍射柱面切割发射辐射

[发明专利]基于铌酸锂薄膜材料移相控制的光学相控阵及制备方法-CN202010413445.8在审
发明人：路侑锡;金里;刘其鑫;冯俊波;郭进;蒋平;杨米杰 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： G02F1/29 文献下载
摘要：本发明提供一种基于铌酸锂薄膜材料移相控制的光学相控阵及制备方法，光学相控阵包括：硅基底；氧化硅层，位于硅基底上；硅基光波导层，位于氧化硅层上，硅基光波导层包括耦合分束器及光栅天线，耦合分束器及光栅天线之间具有间隙带；氧化硅包层，填充于硅基光波导层周围及间隙带；铌酸锂移相器，包括位于间隙带上的铌酸锂薄膜、位于铌酸锂薄膜上且连接耦合分束器及光栅天线的铌酸锂光波导、以及位于铌酸锂光波导两侧的铌酸锂薄膜上的调制电极。本发明采用具有高电光系数、低损耗的材料如铌酸锂来代替传统的光学相控阵中所用的热调电阻或者载流子注入的相位调制方式，可以在光学相控阵中进行低功耗、高速、低波导损耗的光学相位调制。
基于铌酸锂薄膜材料控制光学相控阵制备方法

[发明专利]基于掺铒铌酸锂的光波导芯片及锁模激光器-CN202111088025.8有效
发明人：吴侃;陈建平 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01S3/063 文献下载
摘要：一种基于掺铒铌酸锂的光波导芯片及锁模激光器，该芯片自下向上依次是衬底、二氧化硅包层、掺铒铌酸锂薄膜和射频电极；利用光刻刻蚀所述的掺铒铌酸锂薄膜，形成脊型掺铒铌酸锂波导；在所述的掺铒铌酸锂波导的两侧、互相平行地设置所述的射频电极本发明采用掺铒铌酸锂薄膜作为波导，即保留了掺铒波导的低噪声增益特性，又引入了铌酸锂波导的电光特性，满足了主动锁模激光器所需的增益和调制需求，配合直流偏置，可以实现低噪声且重频连续可调的集成主动锁模激光器通过脊型掺铒铌酸锂波导将电极间距靠近，降低所需的调制电压和电功耗，对信号光和泵浦光模斑的强束缚还可以增加两者的交叠，提升泵浦效率。
基于掺铒铌酸锂波导芯片激光器

[发明专利]一种在铌酸锂晶体上制备周期性波导光栅的方法-CN201510183841.5有效
发明人：张爱玲;闫广拓 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2015-04-17 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： G02B6/124 文献下载
摘要：一种利用二次钛扩散在铌酸锂基片中制备周期性波导光栅的方法，在铌酸锂中利用二次钛扩散在铌酸锂基片中制备周期性波导光栅，所述二次钛扩散包括两种方式第一种方式为第一次钛扩散在铌酸锂基片中形成折射率周期性变化的光栅结构，第二次钛扩散在铌酸锂基片中形成单模条形波导结构；第二种方式为第一次钛扩散在铌酸锂基片中形成单模条形波导结构，第二次钛扩散在铌酸锂基片中形成折射率周期性变化的光栅结构，经第一次和第二次钛扩散后在铌酸锂基片中形成周期性波导光栅
一种铌酸锂晶体制备周期性波导光栅方法

[发明专利]一种InP基激光器与薄膜铌酸锂光波导异质集成结构-CN202111279069.9在审
发明人：钱广;唐杰;周奉节;孔月婵;姜文海;陈堂胜 -专利权人：南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
申请日： 2021-10-31 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：本发明公开了一种InP基激光器与薄膜铌酸锂光波导异质集成结构，属于光电集成芯片领域；该结构主要包括InP基激光器外延层薄膜、耦合层、薄膜铌酸锂光波导和衬底。InP基激光器外延层通过耦合层集成于薄膜铌酸锂光波导正上方，激光器输出光通过倏逝波耦合机制耦合进入其正下方的铌酸锂光波导中传输，满足InP基激光器芯片与薄膜铌酸锂光芯片的低损耗异质集成需求。
一种 inp 激光器薄膜铌酸锂光波导集成结构