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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种基于AgInSbTe硫系化合物的忆阻器及其制备方法-CN201210558819.0有效
发明人：缪向水;张金箭;孙华军;王青;徐小华 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2012-12-20 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于AgInSbTe硫系化合物的忆阻器，该忆阻器包括上电极层、下电极层以及位于上下电极层之间的功能材料层，其中所述功能材料层由譬如Ag5In5Sb60Te30、Ag5.5In6.5Sb59Te29通过本发明，能够以低成本、便于操控的方式来制备忆阻器元件，而且所制得的产品可提供非易失性的中间阻态，并能实现对电阻的多级连续可调。
一种基于 aginsbte 化合物忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种基于铁电顶栅的忆阻器及其制备方法与调控方法-CN202210392593.5在审
发明人：韩素婷;吕子玉;周晔;高展;王燕;罗明涛;张宇琦 -专利权人：深圳大学
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开一种基于铁电顶栅的忆阻器及其制备方法与调控方法。所述忆阻器包括：衬底、间隔设置于所述衬底上的第一电极和第二电极、设置于所述第一电极和第二电极之间的阻变层、设置于所述阻变层上的铁电层、设置于所述铁电层上的顶栅极。本发明利用铁电效应调控忆阻器的存储效应，可实现忆阻行为的双向、非易失性调控；铁电效应也可在调控过程中，优化器件的存储性能，如降低器件操作电压，多比特存储和快速写入/擦除操作。
一种基于铁电顶栅忆阻器及其制备方法调控

[发明专利]铌酸锂晶体化学机械抛光后的应力控制方法-CN201010231679.7有效
发明人：刘玉岭;孙鸣;田军 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2010-07-21 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： B08B3/10 文献下载
摘要：本发明涉及铌酸锂(LiNbO3)晶体化学机械抛光(CMP)后，铌酸锂晶体表面的应力控制方法。本发明铌酸锂晶体CMP后应力控制方法，CMP刚刚完成后清洗时，采用逐渐慢慢加大水抛清洗液流量，充分释放铌酸锂晶体表面的热应力，达到铌酸锂晶体内外热应力一致，从而有效地避免了铌酸锂晶体清洗过程中易产生开裂、碎晶的问题发生，完美实现了铌酸锂晶体CMP后的应力控制，大大提高了铌酸锂晶体因开裂、碎晶导致的加工良率。
铌酸锂晶体化学机械抛光应力控制方法

[发明专利]一种基于倏逝场的光纤忆阻单元-CN202111021714.7有效
发明人：金威;李翔;程思莹;李亚茹;张毅博;张亚勋;张羽;刘志海;杨军;苑立波 -专利权人：哈尔滨工程大学
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G11C13/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于倏逝场的光纤忆阻单元。该基于倏逝场的光纤忆阻单元，包括单模光纤、光学相变材料薄膜和防氧化薄膜。其中，光学相变材料薄膜位于单模光纤侧面凹槽，在光学相变材料薄膜上方镀有防氧化薄膜。在该光纤忆阻单元中，纤芯中注入脉冲光通过倏逝场耦合至光纤相变材料薄膜上，实现其相态的调控，使得光纤忆阻单元的透射率发生变化，完成非易失性全光存储。该单模光纤忆阻单元可以作为一种光脉冲调控的光纤存储器件，其存储速率高、能耗低以及抗电磁干扰等，能良好的与当前光纤系统兼容，具备极大的应用潜力。
一种基于倏逝场光纤单元

[发明专利]高偏振消光比的偏振片及其制作方法和测试装置-CN201510088214.3有效
发明人：华勇;田自君;杨千泽;张鑫 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2015-02-26 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：一种高偏振消光比的偏振片，所述偏振片的基体采用由铌酸锂晶体切割而成的铌酸锂晶片；所述铌酸锂晶片为片状结构体，铌酸锂晶片的正、反面各设置有一光波导区，两个光波导区的截面尺寸相同、位置正对；所述铌酸锂晶片表面光波导区以外的区域覆盖有阻光膜层；铌酸锂晶片表面与铌酸锂晶体的Y‑Z切向或X‑Z切向平行。
偏振及其制作方法测试装置

[发明专利]一种基于二维V2-CN202011116882.X在审
发明人：张强强;何南;童祎 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种基于二维V2C材料的忆阻器及其制备方法，忆阻器由下至上分为若干层，依次为衬底、底电极、阻变层和顶电极，阻变层位于底电极和顶电极之间，阻变层包括介质层和二维VSub>2C材料膜，二维V2C材料膜旋涂于介质层的上表面，介质层的底部与底电极的顶部相接触；二维V2C材料膜的顶部与顶电极的底部相接触；忆阻器采用二维V2C材料，在不同的限制电流下表现出易失和非易失特性共存的现象，具有良好的稳定性、高重复性及较低的工作电压等优点。
一种基于二维 base sub

[发明专利]一种易失和非易失电阻转变行为可调控的忆阻器及其制备方法-CN201811340222.2有效
发明人：李祎;李灏阳;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种易失与非易失电阻转变行为可调控的忆阻器及其制备方法，包括：下电极、功能层和上电极，下电极位于衬底表面，上电极位于器件最上层，功能层夹在上电极和下电极之间形成三明治结构。本申请提供的技术方案通过改变功能层厚度实现器件易失和非易失电阻转变行为的可调控，并且通过利用改变器件结构，而不改变器件材料组成，从而能够在构建全忆阻神经网络时使用同一工艺，降低了制备工艺的难度及复杂程度
一种失和非易失电阻转变行为调控忆阻器及其制备方法

[发明专利]基于a-SiOx-CN201810893394.6有效
发明人：李伟;宋宇浩;次会聚;董湘;袁余涵;李东阳;蒋向东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-08-07 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：基于a‑SiOxNy忆阻效应的SPR神经突触器件及其制备方法，属于仿生器件技术领域。本发明将晶体硅棱镜与“顶电极/a‑SiOxNy∶金属纳米颗粒双阻变层/底电极”忆阻器结构耦合，使得电调制下光信号经晶体硅棱镜射入至双阻变层，并运用表面等离子体共振(SPR)效应，使得器件工作过程中阻变层的介电常数变化信息以光信号进行读取，进而实现器件突触权重的光读取。本发明所提出的“电调制，光读取”神经突触器件具有传统“电调制，电读取”神经突触器件无法比拟的优势，因其不仅具有传统忆阻器低能耗、非易失性等特性，而且还具有光作为信息载体进行信号处理带宽大、抗电磁干扰能力强的优势
基于 sio base sub

[发明专利]基于a-SiOx-CN201810893390.8有效
发明人：李伟;宋宇浩;次会聚;董湘;袁余涵;李东阳;蒋向东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-08-07 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：基于a‑SiOx忆阻效应的SPR神经突触器件及其制备方法，属于仿生器件技术领域。本发明将K9玻璃棱镜与“顶电极/a‑SiOx∶金属纳米颗粒双阻变层/底电极”忆阻器结构耦合，使得电调制下光信号经K9玻璃棱镜射入至双阻变层，并运用表面等离子体共振(SPR)效应，使得器件工作过程中阻变层的介电常数变化信息以光信号进行读取，进而实现器件突触权重的光读取。本发明所提出的“电调制，光读取”神经突触器件具有传统“电调制，电读取”神经突触器件无法比拟的优势，因其不仅具有传统忆阻器低能耗、非易失性等特性，而且还具有光作为信息载体进行信号处理带宽大、抗电磁干扰能力强的优势
基于 sio base sub

[发明专利]基于a-SiNx-CN201810893392.7有效
发明人：李东阳;次会聚;宋宇浩;陈奕丞;袁余涵;李伟;蒋向东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-08-07 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：基于a‑SiNx忆阻效应的SPR神经突触器件及其制备方法，属于仿生器件技术领域。本发明将晶体硅棱镜与“顶电极/a‑SiNx∶金属纳米颗粒双阻变层/底电极”忆阻器结构耦合，使得电调制下光信号经晶体硅棱镜射入至双阻变层，并运用表面等离子体共振(SPR)效应，使得器件工作过程中阻变层的介电常数变化信息以光信号进行读取，进而实现器件突触权重的光读取。本发明所提出的“电调制，光读取”神经突触器件具有传统“电调制，电读取”神经突触器件无法比拟的优势，因其不仅具有传统忆阻器低能耗、非易失性等特性，而且还具有光作为信息载体进行信号处理带宽大、抗电磁干扰能力强的优势
基于 sin base sub

[发明专利]一种铌酸锂晶圆的减薄方法-CN202010711681.8有效
发明人：何肇阳;赵亚东;罗立辉;钟志明;汪洋;陈楚杰 -专利权人：宁波芯健半导体有限公司
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸锂晶圆的减薄方法，属于芯片封装技术领域。本发明的铌酸锂晶圆的减薄方法，包括以下步骤：提供一铌酸锂晶圆，在铌酸锂晶圆的背面贴第一划片胶膜，并沿铌酸锂晶圆正面的切割道进行预切割至预定深度；去除第一划片胶膜，在铌酸锂晶圆的正面贴磨片胶膜，磨片胶膜为双层胶膜；对铌酸锂晶圆的背面进行研磨至晶粒分离；在铌酸锂晶圆的背面贴第二划片胶膜，再去除磨片胶膜。本发明实现了铌酸锂晶圆的研磨前切割工艺，避免了现有技术中铌酸锂晶圆在磨切加工时易出现脆性破坏、亚表面损伤层深和切割正背面崩裂大等损伤的现象，且芯片正背面崩裂均可以控制在10um以内，有利于保证铌酸锂芯片封装产品的品质
一种铌酸锂晶圆方法

[发明专利]一种铌酸锂调制器跨阻放大器增益控制装置及方法-CN201110136791.7有效
发明人：吕书生 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2011-05-24 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H03G3/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸锂调制器跨阻放大器增益控制装置，装置中的电阻阵列单元用于与范围选择单元配合使用，根据从范围选择单元获取的所述PD的响应度范围，自适应的选择对应的电阻后输出信号给跨阻放大器。本发明还公开了一种铌酸锂调制器跨阻放大器增益控制方法，包括范围选择单元获取不同工作状态下铌酸锂调制器内部的PD的响应度范围；电阻阵列单元根据从范围选择单元获取的所述PD的响应度范围，自适应的选择对应的电阻后输出信号给跨阻放大器；可变增益控制单元对跨阻放大器输出的电压信号进行放大。
一种铌酸锂调制器放大器增益控制装置方法

[发明专利]忆阻Hopfield神经网络稀疏编码的电路及其操作方法-CN201910135036.3有效
发明人：王小平;李亚;洪庆辉 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-02-20 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G06F30/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于忆阻Hopfield神经网络实现稀疏编码的电路及其操作方法；通过基于Hopfield神经网络硬件电路解决了稀疏编码的问题。本发明是忆阻交叉阵列方式，电路整体结构更加简单灵活，功耗更低，体积更小；并且忆阻器具有良好的非易失性，能将存储和运算相结合，有望突破传统冯诺依曼体系架构的瓶颈。传统解决稀疏编码问题都是通过软件来实现，硬件电路实现相比于软件实现所需的时间更短，功耗更低，速度更快，同时由于忆阻器的阻值可以改变，灵活性更高，从而可以解决各种不同的稀疏编码问题。
忆阻 hopfield 神经网络稀疏编码电路及其操作方法

[发明专利]一种光栅结构的铌酸锂-金-铌酸锂表面等离子激元温度传感装置-CN201510401844.1有效
发明人：朱君;秦柳丽;宋树祥;傅得立 -专利权人：广西师范大学
申请日： 2015-07-09 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： G01K11/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种光栅结构的铌酸锂‑金‑铌酸锂表面等离子激元温度传感装置，其特征是，包括顺序叠接的底层玻璃层、第一铌酸锂层、金层和第二铌酸锂层，第一铌酸锂层、金层和第二铌酸锂层形成铌酸锂‑金‑铌酸锂介质波导结构；所述的铌酸锂‑金‑铌酸锂为对称的铌酸锂介质波导结构；所述铌酸锂介质波导结构的中间层金层为周期光栅结构。这种等离子激元温度传感装置将亚波长尺度的表面等离子技术应用在温度传感领域提高了器件的适应性和灵敏度，弥补了微机电系统应用中温度传感器精度低、稳定性差、反应时间长的缺陷，特别是具有的纳米级尺寸可以为光电集成的发展提供关键器件
一种光栅结构铌酸锂表面等离子温度传感装置

[实用新型]一种光栅结构的铌酸锂-金-铌酸锂表面等离子激元温度传感装置-CN201520495266.8有效
发明人：朱君;秦柳丽;宋树祥;傅得立 -专利权人：广西师范大学
申请日： 2015-07-09 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： G01K11/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光栅结构的铌酸锂-金-铌酸锂表面等离子激元温度传感装置，其特征是，包括顺序叠接的底层玻璃层、第一铌酸锂层、金层和第二铌酸锂层，第一铌酸锂层、金层和第二铌酸锂层形成铌酸锂-金-铌酸锂介质波导结构；所述的铌酸锂-金-铌酸锂为对称的铌酸锂介质波导结构；所述铌酸锂介质波导结构的中间层金层为周期光栅结构。这种等离子激元温度传感装置将亚波长尺度的表面等离子技术应用在温度传感领域提高了器件的适应性和灵敏度，弥补了微机电系统应用中温度传感器精度低、稳定性差、反应时间长的缺陷，特别是具有的纳米级尺寸可以为光电集成的发展提供关键器件
一种光栅结构铌酸锂表面等离子温度传感装置

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