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[发明专利]一种铜锡硫（CTS）忆阻器及其制备方法-CN202210386240.4在审
发明人：李燕;董小飞;李思源;孙浩;赵雲;陈江涛 -专利权人：西北师范大学
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明提供一种铜锡硫(CTS)忆阻器及其制备方法，由上至下包括：Al上电极，CTS‑PMMA阻变层，FTO下电极。通过传统水热法制备得到了CTS纳米颗粒，首次将CTS与PMMA复合并应用到忆阻器领域。实验结果发现，通过将CTS与PMMA混合，得到了阻变性能好，稳定性强的忆阻器件，而且控制阻变薄膜的厚度可以优化阻变性能。该忆阻器件具有结构简单、易制备、成本低、重复性好的优点，可为研发基于硫属化合物的忆阻器及其应用提供新思路。
一种铜锡硫 cts 忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种薄膜体声波谐振器及其制备方法-CN201610494499.5有效
发明人：帅垚;李杰;罗文博;吴传贵;张万里;龚朝官;白晓圆;潘忻强 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明涉及微电子器件领域，具体提供一种新型薄膜体声波谐振器及其制备方法，该薄膜体声波谐振器包括Si衬底，于Si衬底上相键合的Si键合层，于Si键合层上设置单晶铌酸锂薄片，所述Si键合层上表面开设空腔，对应设置于空腔内的下电极附着于单晶铌酸锂薄片下表面，于单晶铌酸锂薄片上表面设置上电极，所述上电极与下电极对应设置。本发明谐振器采用单晶铌酸锂薄片作为压电层，能够便捷精确的控制压电层晶格取向，显著提升谐振器的谐振频率和机电耦合系数等性能，同时，利用单晶铌酸锂薄片作为器件支撑结构，有效避免电极支撑带来的性能损害，进一步提升器件性能；并且本发明谐振器结构简单，加工重复性好，能够获得一致性良好的大规模线列和阵列。
一种新型薄膜声波谐振器及其制备方法

[发明专利]铌酸锂脊波导的制作方法和光电器件-CN202211665071.4在审
发明人：翟进;周赤;吉贵军;刘昆;陆龙钊;黄杭东;胡志刚 -专利权人：珠海光库科技股份有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G02B6/134 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种铌酸锂脊波导的制作方法和光电器件，其中铌酸锂脊波导的制作方法包括先在铌酸锂晶圆上生长硬掩模，在形成了刻蚀图形之后进行自对准质子交换，以在铌酸锂晶圆上形成交换区，之后再在铌酸锂晶圆上对交换区进行刻蚀，如此设置一方面可以提高铌酸锂的刻蚀效率，可以将铌酸锂的刻蚀效率提高4至5倍；另一方面，能够提高铌酸锂晶圆刻蚀面的光滑度，进而提高铌酸锂脊波导的良品率。
铌酸锂脊波导制作方法光电器件

[发明专利]铌酸锂光波导芯片-CN201910776688.5在审
发明人：陈亦凡;黄萌 -专利权人：易锐光电科技(安徽)有限公司;苏州易锐光电科技有限公司
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种铌酸锂光波导芯片，包括单晶硅基板、薄膜铌酸锂、设置在所述薄膜铌酸锂上的负热光系数材料、设置在所述单晶硅基板上并包覆所述铌酸锂薄膜和负热光系数材料的二氧化硅包层，以及设置在所述二氧化硅包层上的金属电极；所述薄膜铌酸锂包括铌酸锂中心脊，或者，包括质子交换层和铌酸锂侧翼。由于铌酸锂的折射率随温度的升高而增大，本发明利用负热光系数材料折射率随温度升高而降低的特性，通过在铌酸锂薄膜上设置合适厚度的负热光系数材料层，可以消除铌酸锂光波导有效折射率对温度的敏感性，实现了几种非热敏设计的光波导结构，可以有效降低薄膜铌酸锂光波导芯片的热光系数，使薄膜铌酸锂光波导的各种物理性能对温度变化不敏感。
铌酸锂热光系数薄膜铌酸锂光波导芯片二氧化硅包层铌酸锂光波导单晶硅基板铌酸锂薄膜温度变化不敏感侧翼材料折射率光波导结构有效折射率质子交换层金属电极物理性能材料层折射率中心脊包覆热敏升高

[实用新型]铌酸锂光波导芯片-CN201921367295.0有效
发明人：陈亦凡;黄萌 -专利权人：易锐光电科技（安徽）有限公司;苏州易锐光电科技有限公司
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种铌酸锂光波导芯片，包括单晶硅基板、薄膜铌酸锂、设置在薄膜铌酸锂上的负热光系数材料、设置在单晶硅基板上并包覆铌酸锂薄膜和负热光系数材料的二氧化硅包层，以及设置在二氧化硅包层上的金属电极；薄膜铌酸锂包括铌酸锂中心脊，或者，包括质子交换层和铌酸锂侧翼。由于铌酸锂的折射率随温度的升高而增大，本实用新型利用负热光系数材料折射率随温度升高而降低的特性，通过在铌酸锂薄膜上设置合适厚度的负热光系数材料层，可以消除铌酸锂光波导有效折射率对温度的敏感性，实现了几种非热敏设计的光波导结构，可以有效降低薄膜铌酸锂光波导芯片的热光系数，使薄膜铌酸锂光波导的各种物理性能对温度变化不敏感。
铌酸锂光波导芯片

[发明专利]一种基于铌酸锂薄膜的片上集成三轴陀螺组件-CN202210927142.7在审
发明人：李宁;尹承静;安士龙 -专利权人：北京浦丹光电股份有限公司
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： G01C19/72 文献下载
摘要：本申请涉及传感器的技术领域，尤其是涉及一种基于铌酸锂薄膜的片上集成三轴陀螺组件，其包括发光单元、铌酸锂薄膜芯片和尾纤单元；所述发光单元与所述铌酸锂薄膜芯片耦合，所述铌酸锂薄膜芯片与所述尾纤单元耦合；所述发光单元用于发射光波；所述铌酸锂薄膜芯片用于对所述光波进行分束、调制及探测；所述尾纤单元用于所述光波传播。
一种基于铌酸锂薄膜集成陀螺组件

[发明专利]钬镱双掺铌酸钾锂单晶及其制备方法-CN201110058798.1无效
发明人：周忠祥;李磊;封雷;宫德维 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2011-03-11 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：钬镱双掺铌酸钾锂单晶及其制备方法，它涉及铌酸钾锂单晶及其制备方法。本发明要解决目前尚没有以铌酸钾锂为基质的频率上转换性能的材料的技术问题。本发明的钬镱双掺铌酸钾锂单晶是由氧化镱、氧化钬、氧化铌、碳酸锂和碳酸钾制成；方法：称取氧化镱、氧化钬、氧化铌、碳酸锂和碳酸钾并混合均匀，再研磨后放在坩埚中，在晶体生长炉内先烧结得到铌酸钾锂多晶，采用逐步降温法，即得钬镱双掺铌酸钾锂单晶。本发明的单晶在975nm激光的激发下产生545nm绿光和650nm红光，可用于频率上转换短波长全固态激光器领域及太阳能电池、彩色显示和生物识别等领域。
钬镱双掺铌酸钾锂单晶及其制备方法

[发明专利]一种铌酸锂调制器及其制造方法-CN01140589.9有效
发明人：蒲天春;谭松;李汉国;曹宏斌;蔡义智 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2001-11-11 - 公布日： 2003-05-14 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：一种铌酸锂调制器及其制造方法，其包括选择具有合适的晶体切向和电场利用方向的铌酸锂晶体制备的衬底；在铌酸锂晶体上制作出的光波导；制作在铌酸锂晶体上的与光波导匹配的调制电极，包括中心信号电极和与地连接的地电极本发明由于巧妙地设计调制电极与光波导以及两者之间的匹配结构，从而可以提供一种调制速率高、插入损耗低、消光比高、半波电压低、电反射小的高可靠性的铌酸锂调制器及其制造方法。
一种铌酸锂调制器及其制造方法

[实用新型]一种新型忆阻器-CN201920807191.0有效
发明人：孙广辉;赵慧慧;徐志伟;徐兆青 -专利权人：南京邮电大学通达学院
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种新型忆阻器，克服了现有采用有源电路芯片、所设计忆阻器模型结构复杂、成本高的缺点，采用全新设计结构，通过两个晶体管、两个二极管、四个电阻及两个电容组成忆阻器，具有结构简单、易实现、成本低、便于电路参数调整的优点，为科研人员研究忆阻器电路的生产和应用提供便利。
一种新型忆阻器

[发明专利]偏振无关的光开关-CN202010575864.1在审
发明人：曹伟杰;储涛 -专利权人：浙江大学
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种偏振无关的光开关，涉及半导体领域，光开关为左右对称结构，包括：下包层、铌酸锂波导层、上包层和氮化硅层，铌酸锂波导层集成在下包层上方，氮化硅层在铌酸锂波导层上方，铌酸锂波导层与氮化硅层中间填充上包层；沿着光传播方向依次在氮化硅层刻蚀均匀分光多模干涉耦合器和上下层间耦合结构的上半部分；在铌酸锂波导层刻蚀上下层间耦合结构的下半部分和偏振无关调制波导；在铌酸锂波导层的偏振无关调制波导两侧制作金属电极，根据铌酸锂波导层的调制特征调整金属电极的位置该光开关利用氮化硅材料，实现了基本无源器件的偏振无关，同时利用铌酸锂材料的电光特性，实现了低损耗高速的调制特性。
偏振无关开关

[发明专利]基于非易失性二维元胞自动机的无线传感网络建模方法-CN201410305645.6有效
发明人：于秦;姜微;冷甦鹏;毛玉明;罗俊海 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-06-30 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H04W24/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于非易失性二维元胞自动机的无线传感器网络建模方法，具体利用二维元胞自动机对无线传感器网络的时空演化规律，将无线传感网络中海量的无线传感器节点视为元胞自动机中的元胞，并引入具有记忆功能的第四类基本元件——忆阻器构建非易失性元胞自动机，进而通过设计合理的活跃机制和元胞间的协同，实现了在邻居状态异步输入的情况下，中心元胞状态与邻居元胞状态的同步更新，从而大大减少元胞与其邻居元胞间的信息交互，降低元胞节点的能量耗费
基于非易失性二维自动机无线传感网络建模方法

[发明专利]基于模拟型和数字型共存的MoS2-CN202010625152.6有效
发明人：黄安平;耿雪丽;高勤 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2020-07-02 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明设计一种基于模拟型和数字型共存的MoS2基忆阻器及其制备方法，其结构由下至上依次包括衬底层、底电极层、二硫化钼‑聚合物‑锂盐凝胶层、顶电极层；其特征在于：所述二硫化钼‑聚合物‑锂盐凝胶层是作为阻变层，层状的二硫化钼均匀分散在聚合物中，为锂离子和电子提供存储位点，顶电极厚度为50‑100nm，底端电极厚度为30‑100nm，阻变层的厚度为100‑300nm本发明具有如下优点：在单一器件中存在模拟和数字忆阻行为共存的现象，并且存在多态存储、阈值电压小的忆阻器。该结构表现出的模拟和数字型共存的忆阻行为，为实现可调控的神经形态学习提供了一个可行的方案，促进类脑型形态计算的发展。
基于模拟和数字型共存 mos base sub

[发明专利]T结构电极背面光纤连接的硅基薄膜铌酸锂调制器及方法-CN202210207940.2有效
发明人：刘柳;陈斌;陈耿鑫;王迈 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种T结构电极背面光纤连接的硅基薄膜铌酸锂调制器及方法。包括层叠的衬底、埋氧层、铌酸锂层和包层，铌酸锂层上形成薄膜铌酸锂光波导，薄膜铌酸锂光波导包含输入输出光栅耦合器、两个分束器和马赫曾德尔结构；马赫曾德尔结构的包层上设T结构金属电极、金属行波信号电极和金属行波接地电极光栅耦合器的包层上设有金属反射镜，光纤从芯片背面连接光栅耦合器，因此铌酸锂调制器可倒装焊接于芯片底座上，本发明首次在硅基衬底下同时实现了超低功耗，超大电光带宽的薄膜铌酸锂电光调制器。
结构电极背面光纤连接薄膜铌酸锂调制器方法

[发明专利]折叠式硅-铌酸锂混合集成电光调制器及其制备方法-CN201910715011.0在审
发明人：陈朋鑫;蔡浚明;刘柳;胡金耀 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：本发明公开了一种折叠式硅‑铌酸锂混合集成电光调制器及其制备方法，包括硅基输入波导，硅基光分路器，硅‑铌酸锂波导耦合结构，第一条波导臂，第二条波导臂，硅基光合路器，硅基输出波导，硅基波导交叉结构，三个电极；其中第一条波导臂、第二条波导臂均包括硅‑铌酸锂波导耦合结构及两条以上铌酸锂波导；第一条波导臂、第二条波导臂还包括硅基弯曲波导，硅基交叉结构；在光路转弯前铌酸锂光波导中的光通过硅‑铌酸锂波导耦合结构从铌酸锂波导中耦合到硅基光波导中，在硅基波导中实现光路的转弯，并通过与硅基弯曲波导相连接的硅基交叉结构实现光路在波导中的转换，本发明有利于实现调制器的小型化。
硅基波导臂铌酸锂波导交叉结构耦合结构光路硅基波导弯曲波导转弯铌酸锂光波导电光调制器硅基光波导光分路器光合路器混合集成输出波导输入波导调制器折叠式铌酸锂耦合到电极波导制备转换

[发明专利]一种混合调制器及制备方法-CN202111151650.2在审
发明人：欧欣;陈阳;黄凯 -专利权人：上海新硅聚合半导体有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本申请公开了一种混合调制器及制备方法，其中，一种混合调制器，包括绝缘体上铌酸锂结构，绝缘体上铌酸锂结构包括依次层叠设置的硅衬底层、二氧化硅光隔离层和铌酸锂薄膜层；在铌酸锂薄膜层远离二氧化硅光隔离层的一侧由于在硅波导层和铌酸锂薄膜层之间加入了氮化硅材料作为过渡波导，本混合调制器实现了硅材料与铌酸锂材料的光学集成。同时，氮化硅材料作为加载条形波导，可以避免在混合调制器制备过程中铌酸锂材料受刻蚀，从而易于设计无源器件。
一种混合调制器制备方法