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[发明专利]漂移和噪声校正的忆阻器件-CN202180075252.9在审
发明人： G·S·塞耶德;B·克斯廷;A·塞巴斯蒂安 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G01C13/00 文献下载
摘要：一种忆阻器存储器器件(100)，包括忆阻式存储器单元(102)、输入端子(104)、输出端子(108)和栅极端子(112)。输入端子(104)和输出端子(108)直接附接到忆阻式存储器单元(102)，并且栅极端子(112)与忆阻式存储器单元(102)电隔离。栅极端子(112)被配置成用于接收用于忆阻式存储器单元(102)的电导的易失性调制的电信号，通过该易失性调制，实现了忆阻器存储器器件(100)的非理想电导调制的校正。
漂移噪声校正器件

[发明专利]一种基于有机铁电薄膜材料的忆阻器器件及其制备方法-CN201410693761.X在审
发明人：夏奕东;许含霓;黄文龙;朱冠宇;罗彩珠 -专利权人：华为技术有限公司;南京大学
申请日： 2014-11-26 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于有机铁电薄膜材料的忆阻器器件，包括柔性衬底、形成在所述柔性衬底上的底电极、形成在所述底电极之上的有机铁电薄膜层、以及形成在所述有机铁电薄膜层之上的上电极，其中，所述有机铁电薄膜层的材料为偏氟乙烯基铁电聚合物该忆阻器器件能实现多态存储，具备忆阻性能，且具有良好的与电子皮肤兼容的力学性能，能模拟生物神经突触的功能，此外还具有体积小、结构简单、成本低、非易失性、可快速读写等优点，为未来制备轻量化、柔性化、集成化的人工认知设备提供了可能本发明还提供了该基于有机铁电薄膜材料的忆阻器器件的制备方法。
一种基于有机薄膜材料忆阻器器件及其制备方法

[发明专利]一种基于铁电顶栅的忆阻器及其制备方法与调控方法-CN202210392593.5在审
发明人：韩素婷;吕子玉;周晔;高展;王燕;罗明涛;张宇琦 -专利权人：深圳大学
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开一种基于铁电顶栅的忆阻器及其制备方法与调控方法。所述忆阻器包括：衬底、间隔设置于所述衬底上的第一电极和第二电极、设置于所述第一电极和第二电极之间的阻变层、设置于所述阻变层上的铁电层、设置于所述铁电层上的顶栅极。本发明利用铁电效应调控忆阻器的存储效应，可实现忆阻行为的双向、非易失性调控；铁电效应也可在调控过程中，优化器件的存储性能，如降低器件操作电压，多比特存储和快速写入/擦除操作。铁电层的引入也使得器件可在两种模式下完成编程：其一，铁电层处于未极化翻转状态下，是单独的电场作用下完成电阻切换；其二，铁电层处于极化翻转状态，铁电场和电场的共同作用完成电阻切换。
一种基于铁电顶栅忆阻器及其制备方法调控

[发明专利]具有dropout功能的忆阻器件、忆阻器件阵列及制造方法-CN202211295383.0在审
发明人：张亦舒;凡雪蒙 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种具有dropout功能的忆阻器件、忆阻器件阵列及制造方法。本发明的具有dropout功能的忆阻器件包括逐层依次设置的第一电极、铁电材料层、二维石墨烯材料层、易失性器件电介质层和银电极所形成的垂直异质结构，其中二维石墨烯材料层充当银离子的阻挡层，在二维石墨烯材料层的帮助下，本发明实施例的忆阻器件实现易失性和非易失性动态行为的结合。易失性的银导电丝在易失性器件电介质层中的随机动态生长过程能够抑制潜行电流的同时实现dropout功能，而非易失性的铁电材料层通过铁电极化翻转能够实现高性能的突触可塑性行为。
具有 dropout 功能器件阵列制造方法

[发明专利]一种面内读/写操作铁电忆阻器及其制备方法-CN201710237667.7有效
发明人：江安全;张岩;白子龙 -专利权人：复旦大学
申请日： 2017-04-12 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L27/11507 文献下载
摘要：本发明属于铁电存储技术领域，具体为一种面内读/写操作的非易失性铁电忆阻器及其制备方法和操作方法。该铁电忆阻器包括铁电薄膜层及设置在铁电薄膜层表面的读写电极对，其中，读写电极对之间的间隙为不规则图形，铁电薄膜层的电畴的极化方向不平行于读写电极平面的法线方向；在读写电极对上偏置某一方向的写电压操作时，本发明的铁电忆阻器可以实现随写电压连续变化以电流方式非破坏性读出，适合于高密度应用，并且制备简单、成本低。
一种面内读操作铁电忆阻器及其制备方法

[发明专利]基于a-Si忆阻效应的SPR神经突触器件及其制备方法-CN201810892819.1有效
发明人：李伟;陈奕丞;次会聚;董湘;刘诚;李东阳;蒋向东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-08-07 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：基于a‑Si忆阻效应的SPR神经突触器件及其制备方法，属于仿生器件技术领域。本发明将晶体硅棱镜与“顶电极/a‑Si∶金属纳米颗粒双阻变层/底电极”忆阻器结构耦合，使得电调制下光信号经晶体硅棱镜射入至双阻变层，并运用表面等离子体共振(SPR)效应，使得器件工作过程中阻变层的介电常数变化信息以光信号进行读取本发明所提出的“电调制，光读取”神经突触器件具有传统“电调制，电读取”神经突触器件无法比拟的优势，因其不仅具有传统忆阻器低能耗、非易失性等特性，而且还具有光作为信息载体进行信号处理带宽大、抗电磁干扰能力强的优势
基于 si 效应 spr 神经突触器件及其制备方法

[发明专利]基于a-SiOx-CN201810893394.6有效
发明人：李伟;宋宇浩;次会聚;董湘;袁余涵;李东阳;蒋向东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-08-07 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：基于a‑SiOxNy忆阻效应的SPR神经突触器件及其制备方法，属于仿生器件技术领域。本发明将晶体硅棱镜与“顶电极/a‑SiOxNy∶金属纳米颗粒双阻变层/底电极”忆阻器结构耦合，使得电调制下光信号经晶体硅棱镜射入至双阻变层，并运用表面等离子体共振(SPR)效应，使得器件工作过程中阻变层的介电常数变化信息以光信号进行读取，进而实现器件突触权重的光读取。本发明所提出的“电调制，光读取”神经突触器件具有传统“电调制，电读取”神经突触器件无法比拟的优势，因其不仅具有传统忆阻器低能耗、非易失性等特性，而且还具有光作为信息载体进行信号处理带宽大、抗电磁干扰能力强的优势
基于 sio base sub

[发明专利]基于a-SiOx-CN201810893390.8有效
发明人：李伟;宋宇浩;次会聚;董湘;袁余涵;李东阳;蒋向东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-08-07 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：基于a‑SiOx忆阻效应的SPR神经突触器件及其制备方法，属于仿生器件技术领域。本发明将K9玻璃棱镜与“顶电极/a‑SiOx∶金属纳米颗粒双阻变层/底电极”忆阻器结构耦合，使得电调制下光信号经K9玻璃棱镜射入至双阻变层，并运用表面等离子体共振(SPR)效应，使得器件工作过程中阻变层的介电常数变化信息以光信号进行读取，进而实现器件突触权重的光读取。本发明所提出的“电调制，光读取”神经突触器件具有传统“电调制，电读取”神经突触器件无法比拟的优势，因其不仅具有传统忆阻器低能耗、非易失性等特性，而且还具有光作为信息载体进行信号处理带宽大、抗电磁干扰能力强的优势
基于 sio base sub

[发明专利]基于a-SiNx-CN201810893392.7有效
发明人：李东阳;次会聚;宋宇浩;陈奕丞;袁余涵;李伟;蒋向东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-08-07 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：基于a‑SiNx忆阻效应的SPR神经突触器件及其制备方法，属于仿生器件技术领域。本发明将晶体硅棱镜与“顶电极/a‑SiNx∶金属纳米颗粒双阻变层/底电极”忆阻器结构耦合，使得电调制下光信号经晶体硅棱镜射入至双阻变层，并运用表面等离子体共振(SPR)效应，使得器件工作过程中阻变层的介电常数变化信息以光信号进行读取，进而实现器件突触权重的光读取。本发明所提出的“电调制，光读取”神经突触器件具有传统“电调制，电读取”神经突触器件无法比拟的优势，因其不仅具有传统忆阻器低能耗、非易失性等特性，而且还具有光作为信息载体进行信号处理带宽大、抗电磁干扰能力强的优势
基于 sin base sub

[发明专利]基于铁电金属异质结的忆阻器及其制备方法-CN201010172495.8无效
发明人：李海涛;夏奕东;徐波;国洪轩;殷江;刘治国 -专利权人：南京大学
申请日： 2010-05-14 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：基于铁电金属异质结的忆阻器，其中忆阻器材料铁电铌酸锂，采用脉冲激光沉积系统制备：将单晶LN靶材(4)固定在脉冲激光沉积制膜系统的靶台(5)上，放置在脉冲激光沉积制膜系统的生长室(6)中；生长室中的真空抽到0.8×10-4Pa以下，并通入氧气，氧气压25～35Pa间，将衬底温度升到600～650℃间；启动KrF准分子激光器，根据单脉冲能量，确定沉积时间，沉积厚度为30nm～200nm厚LN薄膜；原位500将忆阻器铁电铌酸锂薄膜夹在两金属电极膜之间构成微型三明治结构忆阻器单元。该器件可应用于高密度低能耗非易失性阻变存储器。
基于金属异质结忆阻器及其制备方法

[发明专利]基于交流电源的测量忆阻器失电电阻值的装置及方法-CN201310162968.X在审
发明人：李冠林;牟宪民;陈希有 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2013-05-04 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： G01R27/14 文献下载
摘要：本发明属于测量技术领域，涉及一种基于交流电源的测量忆阻器失电电阻值的装置及方法。其特征是交流电压源，可变电阻和忆阻器是相互串联在测量电路中，交流电压源的幅度U越小，频率f的值越大，在测量中忆阻器电阻值的相对变化越小。本发明采用交流电压源替代传统的直流电源，可以减少测量过程对忆阻器阻值的影响。交流电压信号的幅度和频率可调，可以满足不同测量精度的要求。
基于交流电源测量忆阻器失电电阻值装置方法

[发明专利]基于铁电忆阻器的逻辑电路的实现方法-CN202211739344.5在审
发明人：但荣辉;魏仡昕;刘城;戎焕焕;丁子轩;贺林;童祎 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G06F30/3308 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于铁电忆阻器的逻辑电路的实现方法，目的在于将高性能的铁电忆阻器应用到逻辑运算中。该方法将铁电忆阻器的伏安特性进行数据拟合，以建立具有铁电忆阻器特性的器件模型，然后通过Cadence Virtuoso工具设计出基于铁电忆阻器的与门、或门、减法器、加法器和比较器一系列基本逻辑电路，并对各个电路进行仿真验证本发明的可靠性本发明意在将低功耗、快读写速度、耐久性好的铁电忆阻器器件运用到逻辑运算中，具有广阔的前景。
基于铁电忆阻器逻辑电路实现方法

[发明专利]高集成度选通忆阻器及其制备方法-CN202211509885.9在审
发明人：段瑞斌;邱晨光;孟德欢 -专利权人：湘潭大学;北京大学
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H10B51/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种高集成度选通忆阻器及其制备方法，属于微电子器件技术领域，该选通忆阻器包括一MOSFET晶体管和一铁电隧道结，MOSFET晶体管和铁电隧道结均包括第一共用电极、第二共用电极、共用半导体层、第一石墨烯层和第二石墨烯层本申请提供的高集成度选通忆阻器及其制备方法，将MOSFET晶体管和铁电隧道结结合，具有抑制交叉开关矩阵阵列的旁路电流的能力；同时，将MOSFET和铁电隧道结混合，具有高开关速度、非易失性、低功耗、高可扩展性以及与CMOS工艺相兼容等特点；此外，高集成度选通忆阻器及其制备方法省略MOSFET晶体管的源金属电极，直接将MOSFET晶体管的半导体源端扩展部分作为铁电隧道结的一端，能够充分实现1T1R存储功能，大大提高了器件的集成度
集成度选通忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种高耐久性忆阻器及其制备方法-CN201910404862.3在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：北京科易达知识产权服务有限公司
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种高耐久性忆阻器及其制备方法，所述忆阻器通过活性金属电极在电场下的氧化还原反应和电迁移过程实现器件内部导电通路的通断，对外表现出高低阻态的变化，器件表现出了较好的耐久性能，能够在直流扫描电压下循环阻变10⁴次以上，在200ns的脉宽条件下实现了大于10⁸以上的阻变特性。在忆阻器性能方面，本发明的忆阻器阻变电压在3V以内，在直流电压激励下可以实现10⁴以上的阻变特性，在脉冲电压激励下可以实现10⁸以上的循环阻变，阻态保持时间大于本发明的忆阻器可以用于非易失存储、内存计算等应用。
忆阻器高耐久性阻变特性阻态制备活性金属电极脉冲电压激励内部导电通路氧化还原反应电迁移过程非易失存储耐久性能内存计算性能方面直流电压直流扫描电场变电压脉宽通断应用表现

[发明专利]一种基于忆阻器脉冲神经网络的电路结构-CN201610020097.1在审
发明人：宋博扬;赵秋奇;黄继攀;刘记朋;汤跃;王明江 -专利权人：哈尔滨工业大学深圳研究生院
申请日： 2016-01-13 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本发明适用于半导体集成电路技术领域，提供了一种基于忆阻器脉冲神经网络的电路结构，所述电路结构包括忆阻器单元及输出神经元单元，所述忆阻器单元的输出点连接所述输出神经元单元的输入端，根据识别的图像及字符转换成脉冲电信号，利用脉冲电信号来改变忆阻器单元的阻止实现脉冲神经网络的权值更新。基于忆阻器的脉冲神经网络电路相较于传统神经网络电路不存在电易失性缺点，精度更高，同时由于忆阻器是基本的电路元件，不需要单独存储，节省了权值传输时间并且保持精度不变。
一种基于忆阻器脉冲神经网络电路结构

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