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[发明专利]一种X切铌酸锂晶圆正反面判定方法-CN202310759385.9在审
发明人：贾斌;李真宇;张秀全;卢桂杰;薛海蛟;胡卉 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明公开一种X切铌酸锂晶圆正反面判定方法，将X切铌酸锂晶圆的Y轴沿着X切铌酸锂晶圆的Z轴轴心旋转α角度后夹在X切铌酸锂晶圆正反面判定装置的上测试探头和下测试探头之间；利用X切铌酸锂晶圆正反面判定装置中的电磁驱动器在X切铌酸锂晶圆上施加低频交变力，X切铌酸锂晶圆产生交变电荷，测量获得X切铌酸锂晶圆的被测输出电压；利用X切铌酸锂晶圆的被测输出电压，计算获得X切铌酸锂晶圆的纵向压电应变常数；基于X切铌酸锂晶圆的纵向压电应变常数，判定X切铌酸锂晶圆的正反面状态，正反面状态为X切铌酸锂晶圆的+X面朝上或X切铌酸锂晶圆的‑X面朝上，本方法可以成功识别X切铌酸锂晶圆的正反面。
一种切铌酸锂晶圆正反面判定方法

[发明专利]含金属层Z切薄膜铌酸锂材料结构-CN202111279055.7在审
发明人：钱广 -专利权人：南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
申请日： 2021-10-31 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种含金属层Z切薄膜铌酸锂材料结构，该材料结构自下到上依次包括：衬底、金属层、缓冲层、Z切铌酸锂薄膜，满足Z切薄膜铌酸锂集成电光调控芯片制造需求。本发明在铌酸锂薄膜和衬底之间直接加入金属层，在电光调控结构应用中，金属层可直接作为一个电极层置于薄膜铌酸锂光波导正下方，与置于薄膜铌酸锂光波导正上方电极构建电场，对夹在上下电极中间的薄膜铌酸锂光波导进行电光调控，调控电极间距不受限于工艺精度，切电光重叠因子比传统结构更高，电光调控效率更高。
金属薄膜铌酸锂材料结构

[发明专利]以氧化碲为声光介质的横波声光器件-CN201110277946.9无效
发明人：张泽红;刘玲;李忠继;刘龙;杜明熙;周勇;罗传英;张传志;吴燕 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2011-09-19 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： G02F1/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种以氧化碲为声光介质的横波声光器件，包括表电极、换能器、键合层和声光介质，换能器通过键合层粘接于声光介质表面，表电极镀于换能器表面；所述声光介质为氧化碲晶体，换能器为铌酸锂，铌酸锂厚度方向与本发明在相同工艺条件下，分别使用X切铌酸锂和163±5°Y切铌酸锂在氧化碲晶体上制作横波声光器件，在相同温度范围下，163±5°Y切铌酸锂产生的裂纹约为X切铌酸锂的五分之一，大幅提高了氧化碲横波声光器件的可靠性
氧化声光介质器件

[发明专利]可调节双折射率差的1310nm波长的Y切Z传铌酸锂波导的制备方法-CN201410377147.2有效
发明人：李俊慧;杨成惠;郑远生;杨德伟;郝琰 -专利权人：北京世维通科技发展有限公司
申请日： 2014-08-01 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：本发明公开一种可调节双折射率差的1310nm波长的Y切Z传铌酸锂波导的制备方法，所述双折射率差值的范围在1.5×10‑5～4.8×10‑3，所述制备方法包括在清洗干净的Y切铌酸锂晶片上蒸发一层钛膜，所述钛膜的厚度为65nm～105nm；对所述钛膜进行腐蚀，在所述Y切铌酸锂晶片表面形成沿所述Y切铌酸锂晶片Z方向延伸的钛条，得到包括所述Y切铌酸锂晶片以及所述钛条的芯片，所述钛条的宽度为6μm～8.5μm；将清洗干净的所述芯片置于通入湿氧且设定扩散温度的环境下，静止扩散时间后取出所述芯片即为所述Y切Z传铌酸锂波导，所述扩散时间为6小时～12小时。本发明通过选择钛膜的厚度、钛条的宽度或者扩散时间，从而能够很好地调节Y切Z传铌酸锂波导的双折射率差。
调节双折射 1310 nm 波长传铌酸锂波导制备方法

[发明专利]可实现高偏振消光比的偏振片及其制作方法和测试装置-CN201510088213.9有效
发明人：华勇;田自君;张征;乔海燕 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2015-02-26 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：一种可实现高偏振消光比的偏振片，所述偏振片的基体采用由铌酸锂晶体切割而成的铌酸锂晶片；所述铌酸锂晶片为片状结构体，铌酸锂晶片的中部设置有柱状的光波导区，光波导区的轴向与铌酸锂晶片的大平面垂直，光波导区贯通铌酸锂晶片；铌酸锂晶片的大平面上光波导区以外的区域，覆盖有阻光膜层；铌酸锂晶片的大平面与铌酸锂晶体的Y‑Z切向或X‑Z切向平行。
实现偏振及其制作方法测试装置

[发明专利]一种铌酸锂晶体薄片生产工艺-CN201910665283.4在审
发明人：俞平 -专利权人：浙江新泰通讯科技有限公司
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸锂晶体薄片生产工艺，依次包括以下步骤：切条成形，在大片的铌酸锂片上切下小块的铌酸锂晶片，并将之加工成所需的形状；晶片抛光，对铌酸锂晶片的两面进行抛光处理；晶片镀膜，对铌酸锂晶片经过抛光的两面进行镀膜；检测，对镀膜后的铌酸锂晶片进行角度、光洁度以及镀膜的牢固度进行检测，本发明工艺合理，按照工艺依次对铌酸锂晶片进行加工，使铌酸锂晶片能够根据客户需求生产出特定的铌酸锂晶片，使铌酸锂晶片的制作更加方便。
铌酸锂晶片镀膜薄片生产工艺铌酸锂晶体光洁度晶片镀膜晶片抛光客户需求抛光处理牢固度铌酸锂抛光检测成形切条切下小块加工大片制作生产

[发明专利]高偏振消光比的偏振片及其制作方法和测试装置-CN201510088214.3有效
发明人：华勇;田自君;杨千泽;张鑫 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2015-02-26 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：一种高偏振消光比的偏振片，所述偏振片的基体采用由铌酸锂晶体切割而成的铌酸锂晶片；所述铌酸锂晶片为片状结构体，铌酸锂晶片的正、反面各设置有一光波导区，两个光波导区的截面尺寸相同、位置正对；所述铌酸锂晶片表面光波导区以外的区域覆盖有阻光膜层；铌酸锂晶片表面与铌酸锂晶体的Y‑Z切向或X‑Z切向平行。
偏振及其制作方法测试装置

[发明专利]铌酸锂晶体畴结构的制备方法、光电器件-CN202111195202.2有效
发明人：张国权;钱月照;张子晴;许京军 -专利权人：南开大学
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： C30B33/04 文献下载
摘要：本发明涉及铁电畴制备技术领域，具体而言，涉及一种铌酸锂晶体畴结构的制备方法、光电器件。铌酸锂晶体畴结构的制备方法包括以下步骤：用施加了电压的导电探针扫描铌酸锂晶体表面形成畴结构，其中导电探针在铌酸锂晶体表面形成的电场强度大于等于铌酸锂晶体发生极化反转的阈值电场强度，铌酸锂晶体为非极性的X切向或非极性的Y切向的晶体。本发明还提供了一种包括上述制备方法制得的铌酸锂晶体畴结构的光电器件。
铌酸锂晶体结构制备方法光电器件

[发明专利]一种新型铌酸锂光学波导晶片及其制备方法-CN201910512827.3在审
发明人：李萍;史云玲;刘丹 -专利权人：天津领芯科技发展有限公司
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型铌酸锂光学波导晶片，包括：铌酸锂晶片和光学波导，所述铌酸锂晶片为光学级晶体，其晶向为X切Y传或Z切Y传或X切Z传或Y切Z传等四种中的一种，所述光学波导为氧化锌扩散铌酸锂光学波导。另外，还提供了两种铌酸锂光学波导晶片的制备方法。本发明所提出的氧化锌扩散铌酸锂光学波导具有如下优势：(1)能够同时传输TE和TM两种偏振模式，具有比钛扩散光学波导更高的光损伤阈值，更适合应用于需要传输较高光功率的光传输系统；(2)具有较高的光损伤阈值
光学波导铌酸锂偏振模式晶片铌酸锂晶片光损伤氧化锌传输制备光传输系统光学级晶体扩散高光功率制备工艺成品率钛扩散晶向滤波应用生产

[发明专利]一种铌酸锂晶体的压缩式高温压电敏感切型及制备与应用-CN202211507374.3在审
发明人：于法鹏;王国良;刘学良;程秀凤;赵显 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明属于压电晶体应用技术领域，具体涉及一种铌酸锂晶体的压缩式高温压电敏感切型及制备与应用。本发明提供了一种铌酸锂晶体的压缩式高温压电敏感切型，切型为YXl/θ，200°≤θ≤250°。本发明针对铌酸锂晶体纵向伸缩振动模式d22，设计了适用于宽温域范围内压电性能优异且温度稳定性高的切型；对于同成分铌酸锂晶体，在室温至600℃范围内，有效压电常数d’22的绝对值大于23pC/N，d’22随温度的变化率均小于17％；对于近化学计量比铌酸锂晶体，在室温至700℃范围内，该切型有效压电常数d’22的绝对值均大于24pC/N，d’22随温度的变化率均小于16％，表明本发明的铌酸锂晶体的压缩式高温压电敏感切型适合高温压电传感器件的研制
一种铌酸锂晶体压缩高温压电敏感制备应用

[发明专利]一种在Z切铌酸锂薄膜上制作Y传脊型光波导的方法-CN202010938229.5有效
发明人：华平壤;姜唯臻 -专利权人：派尼尔科技（天津）有限公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G02B6/134 文献下载
摘要：本发明提供一种在Z切铌酸锂薄膜上制作Y传脊型光波导的方法，制作Y传脊型光波导的方法包括：在铌酸锂单晶薄膜+Z面的波导区形成掩膜；轻质子交换，非波导区在+Z面实现质子交换，波导区在非波导区与波导区的边界处实现X面质子交换；其中，质子源为苯甲酸和苯甲酸锂的混合物，苯甲酸锂的质量比为2％。本发明提出一种在Z切铌酸锂薄膜上制作Y传脊型光波导的方法，其主要在X切方向采用2％缓冲质子交换，可在Z切铌酸锂薄膜上制备出侧壁(X面)和表面(Z面)均很光滑、损耗低的Y传脊型光波导。
一种切铌酸锂薄膜制作传脊型光波导方法

[发明专利]一种铌酸锂晶圆的减薄方法-CN202010711681.8有效
发明人：何肇阳;赵亚东;罗立辉;钟志明;汪洋;陈楚杰 -专利权人：宁波芯健半导体有限公司
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸锂晶圆的减薄方法，属于芯片封装技术领域。本发明的铌酸锂晶圆的减薄方法，包括以下步骤：提供一铌酸锂晶圆，在铌酸锂晶圆的背面贴第一划片胶膜，并沿铌酸锂晶圆正面的切割道进行预切割至预定深度；去除第一划片胶膜，在铌酸锂晶圆的正面贴磨片胶膜，磨片胶膜为双层胶膜；对铌酸锂晶圆的背面进行研磨至晶粒分离；在铌酸锂晶圆的背面贴第二划片胶膜，再去除磨片胶膜。本发明实现了铌酸锂晶圆的研磨前切割工艺，避免了现有技术中铌酸锂晶圆在磨切加工时易出现脆性破坏、亚表面损伤层深和切割正背面崩裂大等损伤的现象，且芯片正背面崩裂均可以控制在10um以内，有利于保证铌酸锂芯片封装产品的品质
一种铌酸锂晶圆方法

[发明专利]一种Z切铌酸锂锥形波导及其制备方法-CN202110251977.0在审
发明人：华平壤;王少葳;黄颖 -专利权人：天津大学
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种Z切铌酸锂锥形波导及其制备方法，锥形波导的整体结构包括铌酸锂基底(1)、位于铌酸锂基底(1)+Z面上的质子交换层(2)、以及作为高折射率锥形波导区的锥形横向扩散区(3)；所述锥形横向扩散区(3)由所述质子交换层(2)中的质子在交换过程中横向扩散进入锥形区域的氢离子继续向里均匀扩散形成；本发明利用质子交换(PE)湿法刻蚀技术和退火工艺相结合，在Z切铌酸锂基底上制作出锥形波导，从而实现铌酸锂锥形波导制作工艺的改进和发展，推动铌酸锂波导器件向更加小型化、低损耗方向发展。
一种切铌酸锂锥形波导及其制备方法

[实用新型]一种新型铌酸锂光学波导晶片-CN201920894242.8有效
发明人：李萍;史云玲;刘丹 -专利权人：天津领芯科技发展有限公司
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型铌酸锂光学波导晶片，包括：铌酸锂晶片和光学波导，所述铌酸锂晶片为光学级晶体，其晶向为X切Y传或Z切Y传或X切Z传或Y切Z传等四种中的一种，所述光学波导为氧化锌扩散铌酸锂光学波导。本实用新型所提出的氧化锌扩散铌酸锂光学波导具有如下优势：(1)能够同时传输TE和TM两种偏振模式，具有比钛扩散光学波导更高的光损伤阈值，更适合应用于需要传输较高光功率的光传输系统；(2)具有较高的光损伤阈值
光学波导偏振模式铌酸锂本实用新型铌酸锂晶片光损伤氧化锌传输光传输系统光学级晶体扩散高光功率制备工艺成品率钛扩散晶片晶向滤波应用生产

[发明专利]铌酸锂起偏器芯片加工方法-CN201310144145.4有效
发明人：华勇;朱学军;张征;林志;丁黔川 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2013-04-24 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：一种铌酸锂起偏器芯片加工方法，包括如下步骤：1）对铌酸锂晶体进行切割，2）进行研磨抛光，3）采用质子交换退火工艺加工出波导，获得铌酸锂起偏器芯片；其改进在于：步骤1）中，进行切割时，切割面与铌酸锂晶体的Y轴方向平行，同时切割面与铌酸锂晶体的Z轴方向成一定夹角θ，0°＜θ＜90°；然后采用步骤2）、3）中的工艺，在铌酸锂晶片上加工出波导，最终获得起偏角度与波导面夹角成θ的铌酸锂起偏器芯片。本发明的有益技术效果是：在切割铌酸锂晶体时就完成了对铌酸锂起偏器芯片的起偏角度的调节，对切割工艺造成的影响仅在于调节切刀的角度，但却使耦合工艺的复杂度得到了大幅缩减，大大提高了耦合工艺的加工效率。
铌酸锂起偏器芯片加工方法

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