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[发明专利]增强随机激光面内辐射方向性的复合结构、激光器及方法-CN202310862759.X在审
发明人：曾永全;曾义宸 -专利权人：武汉量子技术研究院;武汉大学
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强随机激光面内辐射方向性的复合结构，该复合结构包括由半导体激光材料组成的随机结构，该随机结构的至少一侧包覆多周期的零折射率光子晶体结构，零折射率频率点在随机激光工作的频带范围内；零折射率光子晶体结构对随机结构产生的随机激光在面内进行方向性调控。本发明的复合结构可以替代现有技术中为提高随机激光收集效率而运用的光学透镜，在改善随机激光器方向性的同时减小了系统尺寸，也大大降低了系统成本。
增强随机激光辐射方向性复合结构激光器方法

[发明专利]一种激光器芯片的封装结构-CN202311034456.5在审
发明人：王果果;赵天宇 -专利权人：苏州芯创连光电科技有限公司
申请日： 2023-08-16 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光器芯片的封装结构，包括薄膜陶瓷电路和激光器芯片，所述薄膜陶瓷电路和激光器芯片通过金线电连接，所述薄膜陶瓷电路上集成有高频线，所述高频线包括本体部、第一拓宽部和第二拓宽部，所述本体部一端和所述第一拓宽部连接、另一端和所述第二拓宽部连接，所述第一拓宽部通过金线和所述激光器芯片电连接，所述第二拓宽部通过金线电连接有光模块PCB板。本发明提供的激光器芯片的封装结构能够缩小阻抗不连续点带来的影响，提高了整个激光器芯片的封装结构的带宽。
一种激光器芯片封装结构

[发明专利]光半导体装置-CN202280014225.5在审
发明人：八尾健一郎;若叶昌布;铃木理仁 -专利权人：古河电气工业株式会社
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：光半导体装置例如具备：台面，从基座的表面向第一方向突出并在与第一方向交叉的方向上延伸；以及加热器层，具有相对于台面的顶面位于与基座相反的一侧的顶壁，沿台面延伸，台面具有：第一台面，沿第二方向延伸；以及多个第二台面，从该第一台面分支，并延伸，以使得随着从该第一台面去往第二方向而在第三方向上相互远离，第二台面具有：第一侧面，接近在第三方向上相邻的其他第二台面；以及第二侧面，远离该相邻的其他第二台面，加热器层具有第一侧壁，在至少一个第二台面从远离第一台面的位置沿第一侧面延伸，以使得远离该第一台面。
半导体装置

[发明专利]VCSEL集成晶圆及其制造方法-CN202310811939.5在审
发明人：林珊珊;李念宜;刘赤宇 -专利权人：浙江睿熙科技有限公司
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：公开了一种VCSEL集成晶圆及其制造方法。所述VCSEL集成晶圆包括：至少一VCSEL芯片和与所述VCSEL芯片相间隔的至少一光电二极管芯片。每一VCSEL芯片包括至少一VCSEL发光点和在晶圆级别上集成于所述VCSEL发光点的光学调制部，每一所述VCSEL发光点包括VCSEL主体，以及，电连接于所述VCSEL主体的VCSEL正电极和VCSEL负电极，每一所述VCSEL主体包括衬底层、N‑DBR层、有源区、具有限制孔的限制层和P‑DBR层，所述光学调制部对应于所述限制孔。每一所述光电二极管包括至少一二极管主体、电连接于所述二极管主体的二极管正电极和二极管负电极，每一所述二极管主体包括所述衬底层、N型掺杂半导体层、内耗尽层、P型掺杂半导体层和防反射层，所述VCSEL主体和所述二极管主体共用所述衬底层。
vcsel 集成及其制造方法

[发明专利]VCSEL集成芯片和VCSEL晶圆-CN202310811945.0在审
发明人：林珊珊;李念宜;刘赤宇 -专利权人：浙江睿熙科技有限公司
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：公开了一种VCSEL集成芯片和VCSEL晶圆。所述VCSEL集成芯片包括：至少一VCSEL发光点、与所述VCSEL发光点相间隔的至少一光电二极管，以及，在晶圆级别上集成于所述VCSEL发光点的光调制部。每一所述VCSEL发光点包括VCSEL主体，以及，电连接于所述VCSEL主体的VCSEL正电极和VCSEL负电极，每一所述VCSEL主体包括衬底层、N‑DBR层、有源区、具有限制孔的限制层和P‑DBR层，所述光调制部对应于所述限制孔；每一所述光电二极管包括二极管主体、电连接于所述二极管主体的二极管正电极和二极管负电极，每一所述二极管主体包括所述衬底层、N型掺杂半导体层、内耗尽层、P型掺杂半导体层和防反射层，所述VCSEL主体和所述二极管主体共用所述衬底层。
vcsel 集成芯片晶圆

[发明专利]VCSEL集成晶圆及其制造方法-CN202310811940.8在审
发明人：林珊珊;李念宜;刘赤宇 -专利权人：浙江睿熙科技有限公司
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：公开了一种VCSEL集成晶圆及其制造方法。所述VCSEL集成晶圆包括：至少一VCSEL芯片、与所述VCSEL芯片相间隔的至少一光电二极管芯片，以及，在晶圆级别上集成于所述VCSEL芯片的热电制冷结构，每一VCSEL芯片包括至少一VCSEL发光点和在晶圆级别上集成于所述VCSEL发光点的光调制部；所述VCSEL芯片和所述光电二极管芯片共用衬底层；所述热电制冷结构包括多个热电偶对，每一热电偶对包括相互电连接的P型结构和N型结构。
vcsel 集成及其制造方法

[发明专利]VCSEL晶圆及其VCSEL集成芯片-CN202310811948.4在审
发明人：林珊珊;李念宜;刘赤宇 -专利权人：浙江睿熙科技有限公司
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：公开了一种VCSEL晶圆及其VCSEL集成芯片。所述VCSEL集成芯片包括：至少一VCSEL发光点、在晶圆级别上集成于所述VCSEL发光点的光调制部、与所述VCSEL发光点相间隔的至少一光电二极管，以及，在晶圆级别上集成于所述VCSEL发光点的热电制冷结构，所述VCSEL发光点和所述光电二极管共用衬底层；所述热电制冷结构包括多个热电偶对，每一热电偶对包括相互电连接的P型结构和N型结构。
vcsel 及其集成芯片

[发明专利]基于波导结构的真空压缩态光子产生系统-CN202311136792.0在审
发明人：刘洋 -专利权人：武汉中科锐择光电科技有限公司
申请日： 2023-09-05 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于波导结构的真空压缩态光子产生系统，包括泵浦激光器、激光分束器、信号光产生装置、压缩态产生集成波导装置、泵浦光调控装置及压缩态测量装置，激光分束器将待测激光脉冲拆分为第一初始泵浦光及第二初始泵浦光；压缩态产生集成波导装置基于波导集成技术并根据第二初始泵浦光与信号光、以产生连续可变的待测泵浦光及待测真空压缩态光子；泵浦光调控装置探测待测泵浦光的相位是否在目标相位范围内，若否，则控制压缩态产生集成波导装置对第二初始泵浦光进行延时和相位调节、以获得目标真空压缩态光子。通过将所有光路集成在波导装置上，可以提高量子运算单元的体积，以获得大规模集成电路量子计算能力。
基于波导结构真空压缩光子产生系统

[发明专利]发光元件及其阵列、发光部件、光学装置及光测量装置-CN202211175692.4在审
发明人：近藤崇;早川纯一朗;崎田智明;樋口贵史;竹山庆 -专利权人：富士胶片商业创新有限公司
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：一种发光元件及其阵列、发光部件、光学装置及光测量装置，所述发光元件具备：发光部，层叠有多个半导体层，俯视时，从所述发光部的中心到第1方向的端部为止的长度比从所述中心到与所述第1方向交叉的第2方向的端部为止的长度短；及连接部，从所述发光部沿所述第1方向延伸，将所述发光部与其他半导体层连接。
发光元件及其阵列部件光学装置测量

[发明专利]半导体光集成元件及半导体光集成元件的制造方法-CN201980097117.7有效
发明人：山口勉 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-06-11 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：本发明涉及半导体光集成元件，激光器部(2)和受光元件部(3)沿着激光器的光轴配置于同一半导体基板(10)，激光器部(2)及受光元件部(3)均从靠近半导体基板(10)的一侧起依次具有限制光的光限制层(12)、包覆层(14)以及由InGaAs层或InGaAsP层形成的接触层(152、153)，激光器部(2)的光限制层为活性层(12)，受光元件部的接触层(153)为光吸收层，包覆层(14)为在与光轴垂直的剖面中光限制层(12)侧的宽度比接触层(152、153)侧的宽度窄的形状的脊构造，半导体光集成元件为在光限制层(12)、包覆层(14)以及接触层(152、153)的侧面不具有半导体埋入层的构造。
半导体集成元件制造方法

[发明专利]支持光功率反馈调节的半导体光放大器件、装置及系统-CN202310634212.4在审
发明人：陈帅;王伟;曾志超 -专利权人：天津见合八方光电科技有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：本发明公开了一种支持光功率反馈调节的半导体光放大器件，包括：管壳；封装于管壳内的耦合结构，包括光纤准直器、第一透镜、SOA芯片、第二透镜、MPD芯片和输出光纤；光路通过光纤准直器和第一透镜后传输进入SOA芯片，SOA芯片通过电光转换进行放大，放大后的光路经过第二透镜后传输至输出光纤，设置在第二透镜后的MPD芯片采集光路中的散射光，并进行光电转换；与SOA芯片正极相连接的第十管脚，与SOA芯片负极相连接的第十一管脚；与MPD芯片正极相连接的第三管脚，与MPD芯片负极相连接的第四管脚。本发明在满足光功率放大的同时，能够在线监控及反馈光功率值，并实现光功率值的实时调节。
支持功率反馈调节半导体放大器件装置系统

[发明专利]控流平衡式VCSEL芯片及其制备方法-CN202210289537.9在审
发明人：郭铭浩;周圣凯;赖威廷;王立;李念宜 -专利权人：浙江睿熙科技有限公司
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：公开了一种控流平衡式VCSEL芯片及其制备方法，其中，所述控流平衡式VCSEL芯片包括发光区域和形成于所述发光区域的电阻结构。所述发光区域包括多个VCSEL发光点，所述控流平衡式VCSEL芯片能够通过控制通过其发光区域中各个部分的VCSEL发光点的电流来调整不同部分的VCSEL发光点的发光强度，以提升其整体的发光均匀性。
平衡 vcsel 芯片及其制备方法

[发明专利]多材料体系光电集成平台及其制备方法-CN202310853423.7在审
发明人：聂骁敏;王磊;高峰;邓舒鹏;贺志学 -专利权人：鹏城实验室
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：本发明公开了一种多材料体系光电集成平台及其制备方法，属于光电集成技术领域，包括自下而上依次设置的绝缘体衬底、二氧化硅过渡层、硅器件层、氮化硅器件层，以及覆盖硅器件层和氮化硅器件层的二氧化硅包层；硅器件层上集成有锗硅光电探测器、III‑V族材料激光器和硅‑氮化硅波导耦合器；氮化硅器件层上集成有铌酸锂光电调制器和氮化硅无源光子器件；第一电器件位于铌酸锂光电调制器上方，通过互连金属与铌酸锂光电调制器互连；第二电器件位于锗硅光电探测器上方，通过互连金属与锗硅光电探测器互连。本发明采用绝缘体材料作为衬底，结合多材料体系发挥各自优势的特点，可以满足多功能、高性能的光电集成需求。
材料体系光电集成平台及其制备方法

[发明专利]混合波导结构EML激光器及其制作方法-CN202310982688.7在审
发明人：李鸿建;郭娟;孔德谋 -专利权人：武汉云岭光电股份有限公司
申请日： 2023-08-07 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：本发明涉及光通信激光器技术领域，提供了一种混合波导结构EML激光器的制作方法，包括如下步骤：S1，生长外延结构；S2，在所述外延结构的上表面划定LD激光器区和EA电吸收调制器区；S3，在所述LD激光器区制作掩埋异质结结构，在所述EA电吸收调制器区制作脊波导结构，所述掩埋异质结结构和所述脊波导结构一体成型制得。还提供一种混合波导结构EML激光器，包括掩埋异质结结构和脊波导结构，所述掩埋异质结结构和所述脊波导结构一体成型。本发明采用两种波导一体成型，避免两种波导的套刻偏差造成出光效率差问题，不需要高精度光刻对准设备，节约了昂贵设备投入成本。
混合波导结构 eml 激光器及其制作方法

[实用新型]发光装置-CN202223440175.3有效
发明人：今井武史;汤浅功治 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：本实用新型提供减少了斑点噪声的发光装置。具备多个半导体激光元件，包含分别具有第一波长的发光峰值波长的两个以上的第一半导体激光元件；分别具有比第一波长短的第二波长的发光峰值波长的两个以上的第二半导体激光元件；分别具有比第二波长短的第三波长的发光峰值波长的两个以上的第三半导体激光元件，排列为M行N列(M和N分别是M≥2，N≥3的自然数)的矩阵状，在M行N列的整体或者部分多个半导体激光元件在行方向在第一半导体激光元件旁边配置第一半导体激光元件以外的半导体激光元件，在第二半导体激光元件旁边配置第二半导体激光元件以外的半导体激光元件，在第三半导体激光元件旁边配置第三半导体激光元件以外的半导体激光元件。
发光装置

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