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[发明专利]低导通电阻的横向扩散MOS半导体器件-CN201210014741.6无效
发明人：陈伟元 -专利权人：苏州市职业大学
申请日： 2012-01-18 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种低导通电阻的横向扩散MOS半导体器件，包括：位于P型的衬底层内的P型阱层和N型轻掺杂层；源极区和N型轻掺杂层之间区域的P型阱层上方设有栅氧层；源极区与N型轻掺杂层之间且位于P型阱层上部开有至少两个凹槽，此凹槽的刻蚀深度为源极区结深的1/4～1/5之间；N型轻掺杂层由第一N型轻掺杂区、第二N型轻掺杂区和P型轻掺杂区组成；所述第一N型轻掺杂区的掺杂浓度高于所述P型轻掺杂区的掺杂浓度，所述P型轻掺杂区的掺杂浓度高于所述第二N型轻掺杂区的掺杂浓度；所述第一N型轻掺杂区与第二N型轻掺杂区的掺杂浓度比例范围为：1.2∶1～1.3∶1。
通电横向扩散 mos 半导体器件

[发明专利]一种抗单粒子烧毁效应的快恢复二极管芯片及其制备方法-CN202210767073.8有效
发明人：马文力;李浩;杨梦凡 -专利权人：扬州国宇电子有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：该种快恢复二极管芯片，包括：从下至上依次设置的重掺杂N型衬底、纵向N型缓冲层、轻掺杂N型外延层和轻掺杂P型保护层；还包括重掺杂P型阱、重掺杂N型阱和横向N型缓冲层，重掺杂P型阱设置于轻掺杂P型保护层内，重掺杂N型阱设置于重掺杂N型衬底上方，重掺杂N型阱设置于轻掺杂N型外延层和轻掺杂P型保护层侧方，横向N型缓冲层设置于重掺杂N型阱和轻掺杂N型外延层、轻掺杂P型保护层之间。该种快恢复二极管芯片通过重掺杂N型阱、横向N型缓冲层结合P型保护层，实现了快恢复二极管芯片抗单粒子烧毁性能的巨大提升。
一种粒子烧毁效应恢复二极管芯片及其制备方法

[实用新型]一种横向功率MOS器件-CN201120309214.9有效
发明人：陈伟元 -专利权人：苏州市职业大学
申请日： 2011-08-24 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种横向功率MOS器件，包括：位于P型的衬底层内的P型阱层和N型轻掺杂层，一源极区位于所述P型阱层，一漏极区位于所述衬底层内，位于所述源极区和N型轻掺杂层之间区域的P型阱层上方设有栅氧层，此栅氧层上方设有一栅极区；所述N型轻掺杂层由第一N型轻掺杂区、第二N型轻掺杂区和P型轻掺杂区组成；所述第一N型轻掺杂区位于所述第二N型轻掺杂区上方；所述P型轻掺杂区在水平方向上位于所述第一N型轻掺杂区的中央区域且此P型轻掺杂区在垂直方向上位于所述第一N型轻掺杂区中央区域的中下部并与所述第二N型轻掺杂区表面接触。
一种横向功率 mos 器件

[发明专利]一种CMOS图像传感器结构及制造方法-CN202010339567.7有效
发明人：孙德明 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2020-04-26 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS图像传感器结构，自下而上包括：P+型衬底，第一P型轻掺杂层和第二P型轻掺杂层，P阱；第二P型轻掺杂层之间的第一P型轻掺杂层上设有第一N型中掺杂层，第一N型中掺杂层上依次设有N型轻掺杂层和第三N型中掺杂层，P阱内部设有第二N型中掺杂层，第三N型中掺杂层及其一侧的一个P阱上设有P型重掺杂层，第三N型中掺杂层另一侧的另一个P阱上设有电荷转移晶体管栅极，电荷转移晶体管栅极与第三N型中掺杂层存在部分交叠，第三N型中掺杂层，N型轻掺杂层和第一N型中掺杂层组成光电二极管PN结的N区。
一种 cmos 图像传感器结构制造方法

[发明专利]场截止型绝缘栅双极晶体管及其制造方法-CN201210439400.3有效
发明人：杨文清;赵施华;邢军军 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-11-06 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种场截止型绝缘栅双极晶体管，包括金属氧化物半导体场效应晶体管、N型轻掺杂基区、N+型缓冲层、背面P型掺杂区，还包括一附加N型轻掺杂区；金属氧化物半导体场效应晶体管的下面为N型轻掺杂基区，N型轻掺杂基区的下面为N+型缓冲层，附加N型轻掺杂区，位于N+型缓冲层及背面P型掺杂区之间；N型轻掺杂基区的N型掺杂浓度小于附加N型轻掺杂区的N型掺杂浓度小于N+型缓冲层的N型掺杂浓度。本发明还公开了该种场截止型绝缘栅双极晶体管的两种制造方法。本发明能提高使场截止型绝缘栅双极晶体管的发射效率。
截止绝缘双极晶体管及其制造方法

[发明专利]一种横向扩散金属氧化物功率MOS器件-CN201110243454.8无效
发明人：陈伟元 -专利权人：苏州市职业大学
申请日： 2011-08-24 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种横向扩散金属氧化物功率MOS器件，包括：位于P型的衬底层内的P型阱层和N型轻掺杂层；所述N型轻掺杂层由第一N型轻掺杂区、第二N型轻掺杂区和P型轻掺杂区组成；所述第一N型轻掺杂区的掺杂浓度高于所述P型轻掺杂区的掺杂浓度，所述P型轻掺杂区的掺杂浓度高于所述第二N型轻掺杂区的掺杂浓度；所述第一N型轻掺杂区位于所述第二N型轻掺杂区上方；所述P型轻掺杂区在水平方向上位于所述第一N型轻掺杂区的中央区域且此P型轻掺杂区在垂直方向上位于所述第一N型轻掺杂区中央区域的中下部并与所述第二N型轻掺杂区表面接触。
一种横向扩散金属氧化物功率 mos 器件

[发明专利]横向扩散型低导通电阻MOS器件-CN201310153881.6有效
发明人：陈伟元 -专利权人：苏州市职业大学
申请日： 2013-04-28 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种横向扩散型低导通电阻MOS器件，包括：位于P型的衬底层内的P型阱层和N型轻掺杂层，栅氧层上方设有一栅极区；所述源极区与N型轻掺杂层之间且位于P型阱层上部开有至少两个凹槽，靠近源极区的凹槽刻蚀深度小于靠近所述N型轻掺杂层的凹槽刻蚀深度，且若干个所述凹槽的刻蚀深度由源极区至N型轻掺杂层方向依次增加；所述N型轻掺杂层内具有一P型轻掺杂区，此P型轻掺杂区位于N型轻掺杂层水平方向的中间区域，此P型轻掺杂区位于N型轻掺杂层垂直方向的中部区域
横向扩散型低导通电 mos 器件

[实用新型]横向扩散型低导通电阻MOS器件-CN201320225402.2有效
发明人：陈伟元 -专利权人：苏州市职业大学
申请日： 2013-04-28 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种横向扩散型低导通电阻MOS器件，包括：位于P型的衬底层内的P型阱层和N型轻掺杂层，栅氧层上方设有一栅极区；所述源极区与N型轻掺杂层之间且位于P型阱层上部开有至少两个凹槽，靠近源极区的凹槽刻蚀深度小于靠近所述N型轻掺杂层的凹槽刻蚀深度，且若干个所述凹槽的刻蚀深度由源极区至N型轻掺杂层方向依次增加；所述N型轻掺杂层内具有一P型轻掺杂区，此P型轻掺杂区位于N型轻掺杂层水平方向的中间区域，此P型轻掺杂区位于N型轻掺杂层垂直方向的中部区域
横向扩散型低导通电 mos 器件

[发明专利]耗尽型终端保护结构-CN200610096438.X无效
发明人：易扬波;李海松 -专利权人：无锡博创微电子有限公司
申请日： 2006-09-26 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：一种用于保护功率集成电路或功率器件的耗尽型终端保护结构，包括：重掺杂N型衬底，在重掺杂N型衬底上设有轻掺杂N型外延，在轻掺杂N型外延上设有重掺杂N型截止环及用于设置功率集成电路或功率器件原胞的腔体，在轻掺杂N型外延的重掺杂N型截止环及原胞腔体以外的区域上方设有场氧化层，在场氧化层上方设有多晶场板，在场氧化层、重掺杂N型截止环及多晶场板上覆有介质层，在重掺杂N型截止环及多晶场板上分别连接有金属引线，轻掺杂N型外延上设有接零电位的轻掺杂P型阱，该轻掺杂P型阱位于场氧化层的下面且位于重掺杂N型截止环与原胞腔体之间。
耗尽终端保护结构

[实用新型]耗尽型终端保护结构-CN200620078010.8无效
发明人：易扬波;李海松 -专利权人：无锡博创微电子有限公司
申请日： 2006-09-26 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：一种用于保护功率集成电路或功率器件的耗尽型终端保护结构，包括：重掺杂N型衬底，在重掺杂N型衬底上设有轻掺杂N型外延，在轻掺杂N型外延上设有重掺杂N型截止环及用于设置功率集成电路或功率器件原胞的腔体，在轻掺杂N型外延的重掺杂N型截止环及原胞腔体以外的区域上方设有场氧化层，在场氧化层上方设有多晶场板，在场氧化层、重掺杂N型截止环及多晶场板上覆有介质层，在重掺杂N型截止环及多晶场板上分别连接有金属引线，轻掺杂N型外延上设有接零电位的轻掺杂P型阱，该轻掺杂P型阱位于场氧化层的下面且位于重掺杂N型截止环与原胞腔体之间。
耗尽终端保护结构

[实用新型]一种基于外延技术的三维集成功率半导体-CN201320029728.8有效
发明人：傅兴华;马奎;杨发顺;林洁馨 -专利权人：贵州大学
申请日： 2013-01-21 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于外延技术的三维集成功率半导体，集成的大功率器件是VDMOS，集成功率半导体从下至上依次包括重掺杂N型硅片、第一层轻掺杂N型外延层、第二层轻掺杂N型外延层和第三层轻掺杂N型外延层，第二层轻掺杂N型外延层和第三层轻掺杂N型外延层之间包含P_bulk层，P_bulk层上方的第三层轻掺杂N型外延层中包含PBL、P_sink区和N_sink区，第二、三层轻掺杂N型外延层中有填充槽，槽内为填充介质
一种基于外延技术三维集成功率半导体

[实用新型]瞬态电压抑制器-CN201920694553.X有效
发明人：廖兵;沈礼福 -专利权人：苏州达晶微电子有限公司
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开一种瞬态电压抑制器，包括硅基片，此硅基片包括垂直方向相邻的N型掺杂区、P型掺杂区，所述P型掺杂区四周具有一沟槽，N型掺杂区进一步包括垂直方向相邻的轻掺杂N型层、重掺杂N型层，所述P型掺杂区进一步包括垂直方向相邻的轻掺杂P型层、重掺杂P型层，所述轻掺杂N型层与轻掺杂P型层接触，所述重掺杂P型层、重掺杂N型层分别位于硅基片上表面和下表面，所述重掺杂N型层中心处具有一中掺杂P型子区，此中掺杂P型子区位于重掺杂N型层内，所述中掺杂P型子区和位于中掺杂P型子区周边的重掺杂N型层均与第二金属层电连接。
重掺杂N型层掺杂P型子区硅基片轻掺杂N型层本实用新型轻掺杂重掺杂瞬态电压抑制器第二金属层钳位电压通流能力电连接抗浪涌上表面下表面中心处正向

[发明专利]一种P型绝缘栅双极型晶体管结构-CN201310496804.0有效
发明人：孙伟锋;戴伟楠;杨卓;孙华芳;祝靖;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2013-10-22 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种P型绝缘栅双极型晶体管，包括：兼做集电区的N型掺杂硅衬底，在N型掺杂硅衬底下方设有集电极金属，在N型掺杂硅衬底上方依次设有P型掺杂硅缓冲层和P型轻掺杂硅外延层，在P型轻掺杂硅外延层内设有和N型柱，在N型掺杂半导体区中设有P型和N型重掺杂半导体区，在N型柱中设有N型重掺杂半导体区，在N型柱和P型轻掺杂硅外延层之间设有介质层，在P型轻掺杂硅外延层上方依次设有栅氧化层和多晶硅栅，且多晶硅栅始于介质层的上方并止于与介质层相邻的P型重掺杂半导体区的上方，在多晶硅栅上方依次设有氧化层和发射极金属，且P型和N型重掺杂半导体区均与发射极金属电连接。
一种绝缘栅双极型晶体管结构

[发明专利]平面肖特基势垒二极管-CN201510946666.0在审
发明人：马文力;杨勇;谭德喜;姚伟明;付国振 -专利权人：扬州国宇电子有限公司
申请日： 2015-12-17 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：一种平面肖特基势垒二极管，包括N型重掺杂硅衬底、N型轻掺杂外延层、P型重掺杂环区、薄氧化层、场氧化层、肖特基势垒层、多层金属层；其特征在于在P型重掺杂环区外侧的N型轻掺杂外延层中设置有P型轻掺杂环区，薄氧化层位于P型重掺杂环区和P型轻掺杂环区上面，场氧化层位于部分P型轻掺杂环区上方及其外侧的N型轻掺杂外延层上方，肖特基势垒层形成于在部分P型重掺杂环区上面及N型轻掺杂外延层上面。本发明二极管可有效提高P型重掺杂环区的耐压效率，进而可以通过降低P型重掺杂环区的结深，进一步增强肖特基势垒区的表面电场，从而提高平面肖特基势垒的抗雷击能力，并能够降低正向导通压降、提高正向浪涌能力。
平面肖特基势垒二极管

[发明专利]一种肖特基二极管及其制备方法-CN202110037588.8在审
发明人：叶惠东;叶桢琪 -专利权人：苏州高新区华成电子有限公司
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请涉及一种肖特基二极管，包括壳体和本体，本体包括：重掺杂N型SiC衬底；轻掺杂N型SiC层，其生长在重掺杂N型SiC衬底上；重掺杂P型环区，其形成于轻掺杂N型SiC层上；轻掺杂P型环区，其形成于重掺杂P型环区内；介质保护层，其沉积在轻掺杂N型SiC层上；金属层，结合于轻掺杂N型SiC层上表面且与重掺杂P型环区和轻掺杂P型环区抵接，并进行退火处理形成肖特基结；阳极电极，其连接在金属层上；阴极电极，其连接在重掺杂N型SiC衬底背面形成欧姆接触。本申请通过重掺杂P型环区和轻掺杂P型环区的设置，形成PN结，有效提高了二极管的反向击穿电压，并且通过退火处理，有效地提高了肖特基势垒的均匀性，提高了势垒高度，提高了反向耐压值。
一种肖特基二极管及其制备方法

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